一种用于制备晶体材料的加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于制备晶体材料的加热装置，包括壳体、坩埚、第一加热件、导热件、第二加热件和第三加热件，其中：壳体从下到上具有第一加热区间、第二加热区间和第三加热区间，第一加热件安装在第一加热区间，第二加热件安装在第二加热区间，第三加热件安装在第三加热区间；导热件安装在壳体上，且导热件的外侧壁与第一加热区间接触；导热件上开有容纳槽，坩埚安装在容纳槽。本实用新型专利技术中，所提出的用于制备晶体材料的加热装置，结构简单，第一加热区间、第二加热区间和第三加热区间的设置满足晶体不同生长阶段不同的温度需求，便于晶体材料的生长；且通过导热件的设置保证坩埚底部的温度进而增大晶体生长的效率。部的温度进而增大晶体生长的效率。部的温度进而增大晶体生长的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备晶体材料的加热装置


[0001]本技术涉及晶体生长设备
，尤其涉及一种用于制备晶体材料的加热装置。

技术介绍

[0002]在晶体的制备过程中往往需要对原料进行加热，一些晶体在生长过程中往往需要经过三个阶段：化料
‑
结晶
‑
热处理；比如在蓝宝石(组成为氧化铝(Al2O3))蓝宝石晶体的三个生产过程。
[0003]在晶体不同的生长阶段加热温度要求不同，现有技术中晶体生长的提供的加热装置需要多个加热炉分别操作，加工过程复杂，降低生产效率，且影响晶体的生长效果；
[0004]公开号为：CN206706249U、名称为“晶体加热器及加热器”的中国专利，公开了一种罩设在晶体生长炉外且具有第一加热区、第二加热区和第三加热区的加热装置，第一加热区、第二加热区和第三加热区对坩埚进行加热，导致坩埚底部温度较低不便于晶体受热生长。

技术实现思路

[0005]为解决
技术介绍
中存在的技术问题，本技术提出一种用于制备晶体材料的加热装置。
[0006]本技术提出的一种用于制备晶体材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备晶体材料的加热装置，其特征在于，包括壳体、坩埚、第一加热件、导热件、第二加热件和第三加热件，其中：所述壳体从下到上具有第一加热区间、第二加热区间和第三加热区间，所述第一加热件安装在所述第一加热区间，所述第二加热件安装在所述第二加热区间，所述第三加热件安装在所述第三加热区间；所述导热件安装在所述壳体上，且所述导热件的外侧壁与所述第一加热区间接触；所述导热件上开有容纳槽，所述坩埚安装在所述容纳槽。2.根据权利要求1所述的用于制备晶体材料的加热装置，其特征在于，所述第一加热区间、所述第二加热区间和所述第三加热区间的导热率逐渐变小。3.根据权利要求1所述的用于制备晶体材料的加热装置，其特征在于，所述导热件的导热率从上到下逐渐减小。4.根据权利要求1所述的用于制备晶体材料的加热装置，其特征在于，所述第一加热件、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯闽渤，
申请(专利权)人：广德特旺光电材料有限公司，
类型：新型
国别省市：