沟槽型MESFET制造技术

提供一种沟槽型MESFET(1)，具备：n型半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有在一个面(19)上开口的多个沟槽(12)；绝缘体(14)，其埋入于多个沟槽(12)各自的底部；栅极电极(13)，其埋入于多个沟槽(12)各自的绝缘体(14)上，在其侧面与n型半导体层(11)接触；源极电极(16)，其连接到n型半导体层(11)的相邻的沟槽(12)之间的台面形状部(18)；绝缘体(15)，其埋入于多个沟槽(12)各自的栅极电极(13)上，将栅极电极(13)与源极电极(16)绝缘；以及漏极电极(17)，其直接或间接地连接到n型半导体层(11)的与源极电极(16)相反的一侧。极电极(16)相反的一侧。极电极(16)相反的一侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】沟槽型MESFET


[0001]本专利技术涉及沟槽型MESFET。

技术介绍

[0002]以往，已知一种在半导体层埋入了栅极电极的沟槽型的Ga2O3系MOSFET，其(例如，参照专利文献1)。沟槽型的MOSFET由于其沟槽栅极结构而具有高的耐压特性。
[0003]一般来说，在MOSFET中，半导体层的电阻与耐压特性存在相关关系。如果使半导体层的电阻增加，则能够提高耐压特性，但另一方面，导通损耗会变大。沟槽型MOSFET由于其沟槽栅极结构，不使半导体层的电阻增加就能够提高耐压特性，因此，与平面型的MOSFET相比，容易兼顾高耐压和低损耗。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：特开2016
‑
15503号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]然而，如专利文献1所公开的这种沟槽型MOSFET不太能够在高的频率下进行动作，无法应用于便携电话的基站设备、无线供电设备等要求高频下的动作的用途。
>[0009]本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种沟槽型MESFET，其特征在于，具备：n型半导体层，其包括Ga2O3系单晶，具有在一个面上开口的多个沟槽；第1绝缘体，其埋入于上述多个沟槽各自的底部；栅极电极，其埋入于上述多个沟槽各自的上述第1绝缘体上，在其侧面与上述n型半导体层接触；源极电极，其连接到上述n型半导体层的相邻的上述沟槽之间的台面形状部；第2绝缘体，其埋入于上述多个沟槽各自的上述栅极电极上，将上述栅极电极与上述源极电极绝缘；以及漏极电极，其直接或间接地连接到上述n型半导体层的与上述源极电极相反的一侧。2.根据权利要求1所述的沟槽型MESFET，其中，上述栅极电极包...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木公平，
申请(专利权)人：诺维晶科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：