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提供一种沟槽型MESFET(1)，具备：n型半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有在一个面(19)上开口的多个沟槽(12)；绝缘体(14)，其埋入于多个沟槽(12)各自的底部；栅极电极(13)，其埋入于多个沟槽(12)各自的绝缘体(...
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