芯片间隔形成方法技术

本发明专利技术提供芯片间隔形成方法，在芯片之间良好地形成规定的间隔。在芯片间隔形成步骤中，从设置于扩展片的下方的保持台的保持面喷出空气，从而降低扩展片与保持面之间的摩擦。因此，能够容易地对扩展片进行扩展，因此能够在芯片之间良好地形成规定的间隔。在芯片之间良好地形成规定的间隔。在芯片之间良好地形成规定的间隔。

【技术实现步骤摘要】
芯片间隔形成方法


[0001]本专利技术涉及对扩展片进行扩展而在构成被加工物的多个芯片之间形成规定的间隔的芯片间隔形成方法。

技术介绍

[0002]存在如下的工艺：将沿着分割预定线在内部形成有断裂起点的晶片或者已沿着分割预定线分割成多个芯片的晶片粘贴于扩展片，并对扩展片进行扩展，由此扩大芯片间隔。
[0003]另外，存在如下的工艺：将上述的晶片粘贴在层叠有被称为粘片膜的粘接片的扩展片上，并对扩展片进行扩展，由此扩大晶片的芯片间隔，并且根据芯片而将粘片膜分割。
[0004]片扩展装置具有框架固定部、吸引保持台以及配置于吸引保持台的外周的扩展鼓。通过使扩展鼓在垂直方向上上升而对扩展片进行扩展，从而对芯片间隔进行扩展。然后，为了维持扩展后的芯片间隔，利用吸引保持台对扩展片进行吸引保持。
[0005]专利文献1：日本特许第6741529号公报
[0006]专利文献2：日本特开2007
‑
123658号公报
[0007]但是，在上述的片扩展装置中，在扩展鼓上升时，扩展鼓和吸引保持台配置在大致同一平面上。因此，会在扩展片的与芯片对应的中央区域与吸引保持台的保持面之间产生摩擦，因此难以充分地将扩展片的中央区域扩展。

技术实现思路

[0008]因此，本专利技术的目的在于提供芯片间隔形成方法，在芯片之间良好地形成规定的间隔。
[0009]根据本专利技术，提供芯片间隔形成方法，在构成被加工物的多个芯片之间形成规定的间隔，该被加工物借助扩展片而支承于环状框架的开口，其中，该芯片间隔形成方法具有如下的步骤：芯片间隔形成步骤，从设置于该扩展片的下方的保持台的保持面喷出空气，从而在降低了该扩展片与该保持面之间的摩擦的状态下将该扩展片扩展，在该芯片之间形成规定的间隔；以及收缩步骤，在实施了该芯片间隔形成步骤之后，在通过该保持台的该保持面对该扩展片的与该芯片对应的区域进行吸引保持而维持了该芯片彼此的间隔的状态下，对该扩展片的位于该环状框架的内周缘与被加工物的外周缘之间的部分进行加热，从而使该部分收缩。
[0010]在本专利技术的芯片间隔形成方法中，在芯片间隔形成步骤中，从设置于扩展片的下方的保持台的保持面喷出空气，由此降低扩展片与保持面之间的摩擦。因此，能够容易地对扩展片的与芯片对应的区域进行扩展，因此能够在芯片之间良好地形成规定的间隔。
附图说明
[0011]图1是包含晶片在内的框架单元的立体图。
[0012]图2是示出改质层形成步骤的剖视图。
[0013]图3是片扩展装置的分解立体图。
[0014]图4是片扩展装置的剖视图。
[0015]图5是示出芯片间隔形成步骤的框架保持工序的剖视图。
[0016]图6是示出芯片间隔形成步骤的片扩展工序的剖视图。
[0017]图7是示出收缩步骤的片吸引保持工序的剖视图。
[0018]图8是示出收缩步骤的退避工序的剖视图。
[0019]图9是示出收缩步骤的片收缩工序的剖视图。
[0020]图10是示出收缩步骤的片收缩工序的剖视图。
[0021]图11是示出改质层形成步骤的另一例的剖视图。
[0022]标号说明
[0023]4：片扩展装置；17：控制部；5：框架保持部件；40：基台；51：筒状基座；52：夹具；511：载置面；6：片扩展机构；61：扩展鼓；611：周壁；612：底壁；613：扩展辅助辊；614：孔；62：保持台；621：主体；622：保持面；623：主体通气路；63：移动部件；630：活塞基台；631：活塞杆；632：支承基台；635：连接管；636：空气通路；637：吸引源；638：空气源；639：切换阀；8：加热部件；81：红外线加热器；82：支承杆；83：转动部件；200：激光照射器；201：激光光线；210：切削刀具；100：晶片；101：器件；103：分割预定线；110：框架单元；111：环状框架；112：开口；113：扩展片；120：芯片；131：晶片粘贴区域；132：收缩区域；202：改质层；212：分割槽。
具体实施方式
[0024]在本专利技术实施方式的芯片间隔形成方法中，使用图1所示的晶片100作为被加工物。晶片100具有圆形状，在正面上形成有格子状的分割预定线103。在由分割预定线103划分的各区域中形成有器件101。
[0025]在本实施方式中，晶片100以框架单元110的状态被处理。框架单元110是通过扩展片113使具有能够收纳晶片100的开口112的环状框架111与定位于环状框架111的开口112中的晶片100一体化而形成的。这样，在本实施方式中，晶片100借助扩展片113而支承于环状框架111的开口112。
[0026]接着，对本实施方式的芯片间隔形成方法的各步骤进行说明。该芯片间隔形成方法是用于在构成晶片100的多个芯片之间形成规定的间隔的方法。
[0027][改质层形成步骤][0028]在该步骤中，如图2所示，使用激光照射器200沿着晶片100的分割预定线103照射激光光线201。由此，在晶片100的内部，沿着分割预定线103形成成为断裂起点的强度弱的改质层202。其结果是，晶片100被改质层202划分成多个分别包含1个器件101的芯片120。
[0029][芯片间隔形成步骤][0030]在该步骤中，通过对框架单元110的扩展片113进行扩展，在晶片100的芯片120之间形成规定的间隔。
[0031]在该步骤中，使用图3以及图4所示的片扩展装置4。如图3所示，该片扩展装置4具有矩形状的基台40。在该基台40的上表面配设有对框架单元110的环状框架111进行保持的框架保持部件5。
[0032]该框架保持部件5具有：配设于基台40的上表面的筒状基座51；以及配设于该筒状
基座51的上端部外周的作为框架固定部的4个夹具52。筒状基座51的上表面作为用于载置框架单元110的环状框架111的载置面511发挥功能。载置于载置面511的环状框架111通过夹具52固定于筒状基座51。这样，框架保持部件5能够对包含环状框架111和晶片100在内的框架单元110进行保持。
[0033]在框架保持部件5的筒状基座51内配设有对安装于环状框架111的扩展片113进行扩展的片扩展机构6。该片扩展机构6具有：保持台62，其对晶片100进行保持；扩展鼓61，其以从下方对保持台62进行保持的方式配置；以及移动部件63，其使扩展鼓61和保持台62沿着Z轴方向移动。
[0034]保持台62对框架保持部件5所保持的框架单元110的晶片100进行保持。保持台62具有圆板状的主体621和配设在主体621上的保持面(吸附卡盘)622。如图4所示，保持面622以覆盖设置于主体621的主体通气路623的方式配设于主体621的上表面。
[0035]保持面622具有通气性，通过与图4所示的吸引源637连通，对扩展片113中的粘贴有晶片100的区域即晶片粘贴区域131(参照图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片间隔形成方法，在构成被加工物的多个芯片之间形成规定的间隔，该被加工物借助扩展片而支承于环状框架的开口，其特征在于，该芯片间隔形成方法具有如下的步骤：芯片间隔形成步骤，从设置于该扩展片的下方的保持台的保持面喷出空气，从而在降低了该扩展片与该保持面之间的摩擦的状态下将该扩展片...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部笃，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：