硅片切割方法及切割装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种硅片切割方法及切割装置，利用厚度检测组件对待切割硅片进行厚度检测，从而得到待切割硅片的厚度参数信息并将该厚度参数信息传输至切割组件；切割组件获取到待切割硅片的厚度参数信息后，通过匹配对应该厚度参数信息的切割功率对待切割硅片进行切割处理，使得切割组件的切割功率能够动态化的与待切割硅片的厚度变化相适应，能够保证切割过程中不会出现碎片等切割不良问题，有效的消除或降低碎片率，提升切割组件的产能和良率。提升切割组件的产能和良率。提升切割组件的产能和良率。

【技术实现步骤摘要】
硅片切割方法及切割装置


[0001]本专利技术涉及硅片切割
，特别是涉及一种硅片切割方法及切割装置。

技术介绍

[0002]电池片在生产过程中，需要先对较大尺寸的硅片进行切割以获得尺寸合适的半片硅片。对硅片进行切割时，传统的方式为采用激光切割方法，在切割过程中，存在碎片率较高的缺陷。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对碎片率较高的问题，提供一种硅片切割方法及切割装置。
[0004]其技术方案如下：
[0005]一方面，提供了一种硅片切割方法，包括以下步骤：
[0006]对待切割硅片进行厚度检测，得到所述待切割硅片的厚度参数信息；
[0007]根据所述厚度参数信息匹配对应的切割功率以对所述待切割硅片进行切割处理，得到至少两个半片硅片。
[0008]下面进一步对技术方案进行说明：
[0009]在其中一个实施例中，在对待切割硅片的厚度进行检测的步骤之前，还包括：
[0010]对所述待切割硅片进行内部缺陷检测；
[0011]若内部缺陷检测合格则进行厚度检测，若内部缺陷检测不合格则进行踢片处理。
[0012]在其中一个实施例中，根据所述厚度参数信息匹配对应的切割功率以对所述待切割硅片进行切割处理，得到至少两个半片硅片的步骤中，还包括：进行切割处理过程中同步向切割处进行喷水处理。
[0013]在其中一个实施例中，进行切割处理过程中同步向切割处进行喷水处理的步骤之后，还包括：
[0014]在负压状态下同时对至少两个半片硅片进行烘干处理；
[0015]对烘干处理后的至少两个半片硅片进行切割缺陷检测，其中，若切割缺陷检测合格则进行分片输送，若切割缺陷检测不合格则进行踢片处理。
[0016]在其中一个实施例中，在负压状态下同时对至少两个半片硅片进行烘干处理的步骤中，还包括：
[0017]对输送至少两个所述半片硅片的输送线进行清洁处理。
[0018]在其中一个实施例中，在根据所述厚度参数信息匹配对应的切割功率以对所述待切割硅片进行切割处理的步骤中，包括：
[0019]根据所述厚度参数信息选取对应的预切割功率对所述待切割硅片进行预开口；
[0020]根据所述厚度参数信息选取对应的热切割功率并沿所述预开口对所述待切割硅片进行切割处理以得到至少两个半片硅片。
[0021]另一方面，提供了一种硅片切割装置，包括：
[0022]厚度检测组件，所述厚度检测组件用于对待切割硅片进行厚度检测以得到所述待切割硅片的厚度参数信息；及
[0023]切割组件，所述切割组件用于根据所述厚度参数信息匹配对应的切割功率以对所述待切割硅片进行切割处理。
[0024]在其中一个实施例中，所述硅片切割装置还包括内部缺陷检测元件及第一踢片机构，所述内部缺陷检测元件用于对所述待切割硅片进行内部缺陷检测，且所述内部缺陷检测元件设置于所述厚度检测组件的上一工序位置，所述第一踢片机构对应所述内部缺陷检测元件设置以对检测不合格的待切割硅片进行踢片处理。
[0025]在其中一个实施例中，所述硅片切割装置还包括烘干组件、负压生成元件、切割缺陷检测元件及第二踢片机构，所述烘干组件设有烘干腔，所述负压生成元件用于对所述烘干腔进行负压处理，所述切割缺陷检测元件以预设工位间距设置于所述烘干组件的下一工序位置，所述第二踢片机构对应所述切割缺陷检测元件设置以对检测不合格的半片硅片进行踢片处理。
[0026]在其中一个实施例中，所述硅片切割装置还包括清洁元件及用于连接所述切割组件与所述烘干组件的输送线，所述清洁元件用于对所述输送线进行清洁处理。
[0027]上述实施例的硅片切割方法及切割装置，至少具有以下几个优点：1、切割功率能够动态化的与待切割硅片的厚度变化相适应，能够保证切割过程中不会出现碎片等切割不良问题，有效的消除或降低碎片率，提升切割组件的产能和良率；2、通过在厚度检测之前先进行内部缺陷检测，能够预先发现问题硅片，消除或避免后续的切割处理过程中出现碎片等切割不良问题；3、将切割缺陷检测工序直接设置在烘干处理工序的下一相邻的工序，不仅能够降低水分残留对切割缺陷的影响程度，而且能够缩短与切割处理工序之间的工位间距，能够大大缩短发现切割缺陷的时间而避免产生大量切割不良的半片硅片，能够有效的降低损失；4、能够及时、有效的对输送线进行清洁从而将切割过程中附着在输送线上的碎渣进行清除，能够有效的避免因碎渣导致的隐裂或星隐问题。
附图说明
[0028]构成本申请的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为一个实施例的硅片切割方法的流程图；
[0031]图2为另一个实施例的硅片切割方法的流程图。
具体实施方式
[0032]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不
违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0033]如图1所示，在一个实施例中，提供了一种硅片切割方法，包括以下步骤：
[0034]S200、对待切割硅片进行厚度检测，得到该待切割硅片的厚度参数信息。
[0035]具体地，利用厚度检测组件对待切割硅片进行厚度检测，从而得到待切割硅片的厚度参数信息并将该厚度参数信息传输至切割组件。
[0036]其中，厚度检测组件可以是光电测厚仪、激光测厚仪、超声波测厚仪或其他能够对待切割硅片的厚度进行检测以获取到该待切割硅片的厚度参数信息的仪器。
[0037]S400、根据厚度参数信息匹配对应的切割功率以对待切割硅片进行切割处理，得到至少两个半片硅片。
[0038]具体地，切割组件获取到待切割硅片的厚度参数信息后，通过匹配对应该厚度参数信息的切割功率对待切割硅片进行切割处理，使得切割组件的切割功率能够动态化的与待切割硅片的厚度变化相适应，能够保证切割过程中不会出现碎片等切割不良问题，有效的消除或降低碎片率，提升切割组件的产能和良率。
[0039]更具体地，当待切割硅片较厚时，可以相应提高切割功率；当待切割硅片较薄时，可以相应降低切割功率。
[0040]其中，切割组件可以为激光切割机、激光划片机或其他能够对硅片进行切割以得到至少两个半片硅片的机械。
[0041]本领域技术人员可以理解的是，在厚度检测组件与切割组件之间可以通过输送线对待切割的硅片进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片切割方法，其特征在于，包括以下步骤：对待切割硅片进行厚度检测，得到所述待切割硅片的厚度参数信息；根据所述厚度参数信息匹配对应的切割功率以对所述待切割硅片进行切割处理，得到至少两个半片硅片。2.根据权利要求1所述的硅片切割方法，其特征在于，在对待切割硅片的厚度进行检测的步骤之前，还包括：对所述待切割硅片进行内部缺陷检测；若内部缺陷检测合格则进行厚度检测，若内部缺陷检测不合格则进行踢片处理。3.根据权利要求1所述的硅片切割方法，其特征在于，根据所述厚度参数信息匹配对应的切割功率以对所述待切割硅片进行切割处理，得到至少两个半片硅片的步骤中，还包括：进行切割处理过程中同步向切割处进行喷水处理。4.根据权利要求3所述的硅片切割方法，其特征在于，进行切割处理过程中同步向切割处进行喷水处理的步骤之后，还包括：在负压状态下同时对至少两个半片硅片进行烘干处理；对烘干处理后的至少两个半片硅片进行切割缺陷检测，其中，若切割缺陷检测合格则进行分片输送，若切割缺陷检测不合格则进行踢片处理。5.根据权利要求4所述的硅片切割方法，其特征在于，在负压状态下同时对至少两个半片硅片进行烘干处理的步骤中，还包括：对输送至少两个所述半片硅片的输送线进行清洁处理。6.根据权利要求1至5任一项所述的硅片切割方法，其特征在于，在根据所述厚度参数信息匹配对应的切割功率以对所述待切割硅片进行切割处理的步骤中，包括：根据所述厚度参数信息选取对应的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张远航，夏中南，吴孝为，章伟冠，张成虎，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：