本发明专利技术公开了一种裂片装置的控制方法、装置及计算机可读存储介质，其中，所述裂片装置的控制方法包括：获取待裂片的晶片的片厚参数；根据所述片厚参数确定所述晶片的片厚变化值；根据所述片厚变化值调整所述劈刀的刀深，所述刀深指所述劈刀下压的深度。本发明专利技术旨在提高发光二极管的生产良品率。高发光二极管的生产良品率。高发光二极管的生产良品率。
【技术实现步骤摘要】
裂片装置的控制方法、装置及计算机可读存储介质
[0001]本专利技术涉及半导体材料
，尤其涉及一种裂片装置的控制方法、装置及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]随着发光二极管工艺的发展，发光二极管被广泛应用于人们的生成生活中，比如LED显示屏，户外照明等。发光二极管是由一颗颗晶粒按顺序排列而制成的新型成像电子设备，常见的制作工艺是将整块晶片分割成多个晶粒。
[0003]在相关技术中，通常采用固定刀深的裂片刀对晶圆进行裂片，沿着纵横交错的切割线将其切成多个独立的晶粒，但是由于晶圆的来料不一，存在同规格的不同片之间有厚度不一致的现象，容易造成晶粒边缘崩裂的情况，导致生产的良品率太低。
[0004]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种裂片装置的控制方法、装置及计算机可读存储介质，旨在达成提高发光二极管的生产良品率的效果。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种裂片装置的控制方法，所述裂片装置包括劈刀，所述裂片装置的控制方法包括：
[0007]获取待裂片的晶片的片厚参数；
[0008]根据所述片厚参数确定所述晶片的片厚变化值；
[0009]根据所述片厚变化值调整所述劈刀的刀深，所述刀深指所述劈刀下压的深度。
[0010]可选地，所述根据所述片厚变化值调整所述劈刀的刀深的步骤之前，还包括：
[0011]获取所述晶片的子区域划分信息；
[0012]根据所述划分信息确定每个所述子区域对应切割线的长度，并根据所述长度确定所述子区域对应的目标切割线长度，以及确定所述子区域对应的片厚变化值；
[0013]所述根据所述片厚变化值调整所述劈刀的刀深的步骤包括：
[0014]根据所述目标切割线长度和所述片厚变化值调整每个所述子区域对应的所述刀深。
[0015]可选地，所述根据所述目标切割线长度和所述片厚变化值调整每个所述子区域对应的所述刀深的步骤包括：
[0016]根据所述片厚变化值和第一预设刀深补偿系数确定第一刀深变化值；
[0017]根据所述目标切割线长度和第二预设刀深补偿系数确定第二刀深变化值；
[0018]根据所述第一刀深变化值和所述第二刀深变化值确定所述刀深；
[0019]其中，所述第一预设刀深补偿系数小于零，所述第二预设刀深补偿系数大于零。
[0020]可选地，所述裂片装置还包括电磁击锤，所述根据所述目标切割线长度和所述片
厚变化值调整每个所述子区域对应的所述刀深的步骤之后，还包括：
[0021]根据所述目标切割线长度和所述片厚变化值，确定所述子区域对应的击锤力度；
[0022]控制所述电磁击锤根据所述击锤力度击打所述劈刀，以使所述劈刀对所述晶片进行裂片。
[0023]可选地，根据所述目标切割线长度和所述片厚变化值，确定所述子区域对应的击锤力度包括：
[0024]根据所述片厚变化值和第一预设力度补偿系数确定第一力度变化值；
[0025]根据所述目标切割线长度和第二预设力度补偿系数确定第二力度变化值；
[0026]根据所述第一力度变化值和所述第二力度变化值确定击锤力度；
[0027]其中，所述第一预设力度补偿系数大于零，所述第二预设力度补偿系数大于零。
[0028]可选地，所述根据所述划分信息确定每个所述子区域对应切割线的长度，并根据所述长度确定所述子区域对应的目标切割线长度，以及确定所述子区域对应的片厚变化值的步骤包括：
[0029]获取所述子区域内的所有切割线的长度；
[0030]计算所述子区域内切割线的长度的平均值，确定所述平均值为目标切割线长度；或者确定所述子区域内切割线的长度最大值为目标切割线长度。
[0031]可选地，所述获取待裂片的晶片的片厚参数的步骤包括：
[0032]向远程服务器发送参数请求，其中，所述远程服务器在接收到所述参数请求时，将晶片生产信息作为所述参数请求的响应信息，发送至执行所述裂片装置的控制方法的装置。
[0033]接收所述晶片生产信息，并根据所述生产信息确定所述片厚参数。
[0034]可选地，所述根据所述片厚参数确定所述晶片的片厚变化值的步骤包括：
[0035]获取所述晶片的标准片厚；
[0036]根据所述片厚参数和所述标准片厚的差值，确定所述片厚变化值。
[0037]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种裂片装置的控制装置，所述裂片装置的控制装置包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的裂片装置的控制程序，所述裂片装置的控制程序被所述处理器执行时实现如上所述的裂片装置的控制方法的步骤。
[0038]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有裂片装置的控制程序，所述裂片装置的控制程序被处理器执行时实现如上所述的裂片装置的控制方法的步骤。
[0039]本专利技术实施例提出的一种裂片装置的控制方法、装置及计算机可读存储介质，先获取待裂片的晶片的片厚参数；根据所述片厚参数确定所述晶片的片厚变化值；根据所述片厚变化值调整所述劈刀的刀深，所述刀深指所述劈刀下压的深度。由于一般情况下，劈刀刀深是固定的，本专利技术通过当前待裂片晶片的片厚参数确定该晶片的片厚变化值，根据晶片片厚变化值太调整刀深，可以减少由于刀深引起的废片，因此可以提高发光二极管的生产良品率。
附图说明
[0040]图1是本专利技术实施例方案涉及的硬件运行环境的终端结构示意图；
[0041]图2为本专利技术裂片装置的控制方法的一实施例的流程示意图；
[0042]图3为本专利技术裂片装置的控制方法的另一实施例的流程示意图；
[0043]图4为本专利技术裂片装置的控制方法的又一实施例的流程示意图；
[0044]图5为本专利技术实施例涉及的圆形晶片结构示意图；
[0045]图6为本专利技术实施例涉及的晶片裂片装置的结构示意图；
[0046]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0047]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0048]由于在相关技术中，通常采用固定刀深的裂片刀对晶圆进行裂片，由于晶圆的来料不一，存在同规格的不同片之间有厚度不一致的现象，容易造成晶粒边缘崩裂或者裂片不充分的情况，导致生产良品率太低。
[0049]为了提高生产良品率，本专利技术实施例提出一种裂片装置的控制方法、装置及计算机可读存储介质，其中，所述方法的主要步骤包括：
[0050]获取待裂片的晶片的片厚参数；
[0051]根据所述片厚参数确定所述晶片的片厚变化值；
[0052]根据所述片厚变化值调整所述劈刀的刀深，所述刀深指所述劈刀下压的深度。
[0053]这本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种裂片装置的控制方法，其特征在于，所述裂片装置包括劈刀，所述裂片装置的控制方法包括：获取待裂片的晶片的片厚参数；根据所述片厚参数确定所述晶片的片厚变化值；根据所述片厚变化值调整所述劈刀的刀深，所述刀深指所述劈刀下压的深度。2.如权利要求1所述的裂片装置的控制方法，其特征在于，所述根据所述片厚变化值调整所述劈刀的刀深的步骤之前，还包括：获取所述晶片的子区域划分信息；根据所述划分信息确定每个所述子区域对应切割线的长度，并根据所述长度确定所述子区域对应的目标切割线长度，以及确定所述子区域对应的片厚变化值；所述根据所述片厚变化值调整所述劈刀的刀深的步骤包括：根据所述目标切割线长度和所述片厚变化值调整每个所述子区域对应的所述刀深。3.如权利要求2所述的裂片装置的控制方法，其特征在于，所述根据所述目标切割线长度和所述片厚变化值调整每个所述子区域对应的所述刀深的步骤包括：根据所述片厚变化值和第一预设刀深补偿系数确定第一刀深变化值；根据所述目标切割线长度和第二预设刀深补偿系数确定第二刀深变化值；根据所述第一刀深变化值和所述第二刀深变化值确定所述刀深；其中，所述第一预设刀深补偿系数于零，所述第二预设刀深补偿系数大于零。4.如权利要求2所述的裂片装置的控制方法，其特征在于，所述裂片装置还包括电磁击锤，所述根据所述目标切割线长度和所述片厚变化值调整每个所述子区域对应的所述刀深的步骤之后，还包括：根据所述目标切割线长度和所述片厚变化值，确定所述子区域对应的击锤力度；控制所述电磁击锤根据所述击锤力度击打所述劈刀，以使所述劈刀对所述晶片进行裂片。5.如权利要求4所述的裂片装置的控制方法，其特征在于，根据所述目标切割线长度和所述片厚变化值，确定所述子区域对应的击锤力度包括：根据所述片厚变化值和第一预设力度补偿系数确定第一力度...
【专利技术属性】
技术研发人员：高昆，谢海龙，黄韶湖，卢金盈，
申请(专利权)人：深圳市青虹激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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