一种关键尺寸量测标记结构制造技术

本发明专利技术公开了一种关键尺寸量测标记结构，所述结构包括目标区域和位于所述目标区域中的第一图形区，所述第一图形区与所述目标区域处于不同水平面上，其中，所述第一图形区具有不同线宽的第一量测部和第二量测部，所述第一量测部和所述第二量测部组成非对称的开放性连续图案。所述第一量测部和所述第二量测部组成非对称的开放性连续图案，不会产生封闭区域，不同于现有技术中使用的封闭图案，以解决光阻在封闭图形区容易洒出的问题，减少缺陷，提高良率。提高良率。提高良率。

【技术实现步骤摘要】
一种关键尺寸量测标记结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造设备
，具体涉及一种关键尺寸量测标记结构。

技术介绍

[0002]目前，在半导体制造过程中，采用线宽扫描式电子显微镜又称关键尺寸扫描电子显微镜(Critical Dimension Scanning Electronic Microscope，缩写为CD
‑
SEM或CDSEM)测量制作在晶片上的图形的关键尺寸。随着半导体制造技术的发展，半导体器件的关键尺寸(Critical Dimension，简称CD)越来越小，为保证光刻后晶片上图形的准确性，经过曝光显影将光罩上的图形转移到晶片上以后，带有图形的晶片会放置在CDSEM机台上，以确认图形的尺寸是否符合大规模集成电路设计要求，从而了解光刻准确性。
[0003]带有图形的晶片由于图案以及边缘处比较粗糙，对于大线宽层特征尺寸(layer CD)以及注入层特征尺寸(Implant layer CD)的量测比较困难，容易受到较大杂讯的干扰造成量测不准确。针对大线宽层特征尺寸以及注入层特征尺寸不易量测的特点，CDSEM一般量测晶片上的关键尺寸量测部来监控此道层特征尺寸状况，目前关键尺寸量测部多采用P型图案、R型图案等封闭性图案，容易使得封闭的光阻在后续的制程中洒出从而造成缺陷；或是尺寸设计不当，解析不出图案。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种关键尺寸量测标记结构，用于解决现有技术关键尺寸量测部中光阻在封闭图形区容易洒出的问题。
[0005]为实现上述目的及其它相关目的，本专利技术提供了一种关键尺寸量测标记结构，所述结构包括目标区域和位于所述目标区域中的第一图形区，所述第一图形区与所述目标区域处于不同水平面上，其中，所述第一图形区具有不同线宽的第一量测部和第二量测部，所述第一量测部和所述第二量测部组成非对称的开放性连续图案。
[0006]所述第一图形区可设置成相对于所述目标区域凸出或凹陷，以使第一图形区与目标区域处于不同水平面上；第一图形区中的第一量测部和第二量测部组成非对称的开放性连续图案，不会产生封闭区域，不同于现有技术中使用的封闭图案，以解决光阻在封闭图形区容易洒出从而造成缺陷影响良率的问题。
[0007]可选地，所述目标区域包括沿第一方向延伸的第一边和沿第二方向延伸的第二边，所述第一量测部沿所述第一边延伸，所述第二量测部沿所述第二边延伸，所述第一量测部在所述第一方向上具有第一高度，所述第二量测部在所述第二方向上具有第二高度，所述第一高度大于或等于所述第二高度。
[0008]可选地，所述第一量测部的线宽大于所述第二量测部的线宽。
[0009]可选地，所述第一量测部距离所述第一边具有第一最短距离，所述第二量测部距离所述第二边具有第二最短距离，所述第一最短距离小于或等于所述第一量测部的线宽，所述第二最短距离小于或等于所述第二量测部的线宽。因为目标区域是有限的，目标区域
设置的越小越好，第一图形区域设置在位于靠近目标区域边缘的地方，为后续的进一步设置例如第二图形区预留区域。
[0010]可选地，在所述第一方向上，所述第一量测部具有第一端部，在所述第二方向上，所述第二量测部具有第二端部，所述第一端部连接所述第二端部。第一图形中的第一量测部与第二量测部具有公共端。
[0011]可选地，所述第一高度至少四倍于所述第一量测部的线宽。即所述第一高度是所述第一量测部的线宽的四倍以上，以使第一量测部的高度远大于线宽。
[0012]可选地，所述第一图形区与所述目标区域具有不同的光透过率。
[0013]可选地，所述目标区域中还包括第二图形区，所述第二图形区包括间隔排布的辅助图形区，所述辅助图形区包括第一辅助图形区和第二辅助图形区，其中，所述第一辅助图形区包括多个间隔排布的第一辅助图形，所述第二辅助图形区包括多个间隔排布的第二辅助图形，所述第一辅助图形与所述第二辅助图形具有不同的线宽。所述第二图形区作为密集区域，设置了两种具有不同的线宽的辅助图形作为量测特征图形，对每一种量测特征图形设置了多个，且设置多排具有不同量测特征的辅助图形，这样能有效降低或避免图案破坏的可能性。
[0014]可选地，所述第一辅助图形与所述第二辅助图形处于同一水平面上。
[0015]可选地，所述第一辅助图形、所述第二辅助图形以及所述第一图形区处于同一水平面上。
[0016]可选地，所述第一辅助图形区和所述第二辅助图形区沿平行于所述第二量测部的方向间隔排布，所述第一辅助图形和所述第二辅助图形沿平行于所述第一量测部的方向间隔排布。
[0017]可选地，所述第一辅助图形和所述第二辅助图形的线宽均小于所述第一量测部和所述第二量测部的线宽。
[0018]可选地，所述第一辅助图形区中的各所述第一辅助图形之间具有与所述目标区域在同一水平面的第一间隔，所述第一间隔的线宽与所述第一辅助图形的线宽均大于或等于第一解析度，所述第二辅助图形区中的各所述第二辅助图形之间具有与所述目标区域在同一水平面的第二间隔，所述第二间隔的线宽与所述第二辅助图形的线宽均大于或等于第二解析度，其中，所述第一解析度和所述第二解析度为不同曝光机台的最小解析度。不同的曝光机台有不同的最小解析度，如果量测标记结构尺寸不合适会有解析不出图案的风险，造成缺陷影响良率，本专利技术设置两种具有合适的量测尺寸的辅助图形区，保证曝光机台解析出图案，不易造成缺陷，提高良率。
[0019]可选地，所述第一图形区与所述第二图形区具有相同的光透过率，所述第二图形区与所述目标区域具有不同的光透过率。
[0020]可选地，所述第一图形区所处的水平面低于所述目标区域所处的水平面。
[0021]本专利技术关键尺寸量测标记结构简单，其特有的结构能够解决光阻在封闭图形区容易洒出从而造成缺陷影响良率的问题。配合辅助图形区能有效降低或避免图案破坏的可能性。
附图说明
[0022]本申请所涉及的专利技术的具体特征如所附权利要求书所显示。通过参考下文中详细描述的示例性实施方式和附图能够更好地理解本申请所涉及专利技术的特点和优势。对附图的简要说明如下：
[0023]图1为本专利技术关键尺寸量测标记结构的示意图。
[0024]图2为本专利技术关键尺寸量测标记结构的另一种示意图。
具体实施方式
[0025]以下结合所示例的具体实施例说明本申请的实施方式，熟悉此技术的人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。
[0026]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。所示附图用于展示结构，不局限于其尺寸。
[0027]虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种关键尺寸量测标记结构，其特征在于，所述结构包括目标区域和位于所述目标区域中的第一图形区，所述第一图形区与所述目标区域处于不同水平面上，其中，所述第一图形区具有不同线宽的第一量测部和第二量测部，所述第一量测部和所述第二量测部组成非对称的开放性连续图案。2.根据权利要求1所述的标记结构，其特征在于，所述目标区域包括沿第一方向延伸的第一边和沿第二方向延伸的第二边，所述第一量测部沿所述第一边延伸，所述第二量测部沿所述第二边延伸，所述第一量测部在所述第一方向上具有第一高度，所述第二量测部在所述第二方向上具有第二高度，所述第一高度大于或等于所述第二高度。3.根据权利要求2所述的标记结构，其特征在于，所述第一量测部的线宽大于所述第二量测部的线宽。4.根据权利要求2所述的标记结构，其特征在于，所述第一量测部距离所述第一边具有第一最短距离，所述第二量测部距离所述第二边具有第二最短距离，所述第一最短距离小于或等于所述第一量测部的线宽，所述第二最短距离小于或等于所述第二量测部的线宽。5.根据权利要求2所述的标记结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一量测部具有第一端部，在所述第二方向上，所述第二量测部具有第二端部，所述第一端部连接所述第二端部。6.根据权利要求2所述的标记结构，其特征在于，所述第一高度至少四倍于所述第一量测部的线宽。7.根据权利要求1所述的标记结构，其特征在于，所述第一图形区与所述目标区域具有不同的光透过率。8.根据权利要求1所述的标记结构，其特征在于，所述目标区域中还包括第二图形区，所述第二图形区包括间隔排布的辅助图形区，所述辅助图形区包括第一辅助图形区和第二辅助图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卫，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：