半导体结构的对准标记及半导体结构制造技术

本公开提供了一种半导体结构的对准标记及半导体结构，涉及半导体技术领域，对准标记包括多个标记单元，每个标记单元的形貌相同，多个标记单元之间以相对预设位置设置。在本公开中，将多个形貌相同的标记单元相对预设位置进行设置，作为半导体结构的对准标记，与单个对准标记相比，量测稳定性提高，能够减小对准误差，提高了半导体结构加工制作过程中的产品良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的对准标记及半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的对准标记及半导体结构。

技术介绍

[0002]晶圆(Wafer)加工过程中，能够形成多个晶粒(Die)，以及位于相邻晶粒之间的切割道区。沿切割道区对晶圆进行切割，能够使得晶圆变成多个独立的晶粒，晶粒在封装后即可形成芯片(Chip)。
[0003]相关技术中，通常在切割道区上设置单边对准标记，通过切割道区上的对准标记确定曝光位置，并对晶圆上的指定位置进行曝光，实现刻蚀、切割等功能。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供了一种半导体结构的对准标记及半导体结构。
[0006]根据本公开的第一方面，提供了一种半导体结构的对准标记，所述对准标记包括多个标记单元，每个所述标记单元的形貌相同，多个所述标记单元之间以相对预设位置设置。
[0007]其中，多个所述标记单元之间呈中心对称设置。
[0008]其中，呈中心对称设置的多个所述标记单元之间相互连接。
[0009]其中，呈中心对称设置的多个所述标记单元之间断开设置。
[0010]其中，相邻的两个所述标记单元之间偏移设置。
[0011]其中，所述标记单元呈L型。
[0012]其中，所述对准标记包括两个呈L型的所述标记单元。
[0013]其中，所述标记单元呈直线型。
[0014]其中，所述对准标记包括多个标记组，每个标记组包括多个所述标记单元，相邻的所述标记组相互平行。
[0015]其中，所述对准标记包括相互平行的两个标记组，每个所述标记组包括两对标记对，每对所述标记对包括两个相对设置的所述标记单元。
[0016]其中，每对所述标记对中相对的两个所述对准单元之间的距离相等。
[0017]其中，所述标记单元的宽度为90纳米至100纳米。
[0018]根据本公开的第二方面，提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括基底，所述基底上设置有如第一方面所述的半导体结构的对准标记。
[0019]其中，所述基底包括切割道区和晶粒，相邻的所述晶粒被所述切割道区分隔；
[0020]所述对准标记设置于所述基底的切割道区和/或所述晶粒的预设区域中。
[0021]其中，所述预设区域包括所述晶粒的阵列区域中的空闲区域，和/或，所述晶粒的
虚拟区域。
[0022]本公开提供的半导体结构的对准标记及半导体结构中，将多个形貌相同的标记单元相对预设位置进行设置，作为半导体结构的对准标记，与单个对准标记相比，量测稳定性提高，能够减小对准误差，提高了半导体结构加工制作过程中的产品良率。
[0023]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0024]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是相关技术中对准标记。
[0026]图2是根据一示例性实施例示出的半导体结构的对准标记的示意图。
[0027]图3是根据一示例性实施例示出的半导体结构的对准标记的示意图。
[0028]图4是根据一示例性实施例示出的半导体结构的对准标记的示意图。
[0029]图5是根据一示例性实施例示出的半导体结构的对准标记的示意图。
[0030]图6是根据一示例性实施例示出的半导体结构的对准标记的示意图。
[0031]图7是根据一示例性实施例示出的半导体结构的对准标记的示意图。
[0032]图8是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
[0033]附图标记：
[0034]10、对准标记；
[0035]11、直线型标记单元；111、第一直线；112、第二直线；113、第三直线；114、第四直线；115、第五直线；116、第六直线；117、第七直线；118、第八直线；
[0036]12、L型标记单元；121、第一折线；1211、第一结构；1212、第二结构；122、第二折线；1221、第三结构；1222、第四结构；
[0037]13、十字型标记单元；131、第一十字；132、第二十字；
[0038]20、基底；21、切割道区；22、晶粒。
具体实施方式
[0039]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0040]晶圆(Wafer)加工后能够形成多个晶粒(Die)，位于相邻晶粒之间的晶圆形成切割道区。沿切割道区对晶圆进行切割，能够使得晶圆变成多个独立的晶粒，封装后的晶粒即可形成芯片(Chip)。
[0041]参照图1，图1示出了一种单边对准标记。光刻机的对准系统(alignment system)通过对单边准标记将掩模板与晶圆进行对准，单边对准标记的线长D
’
比如2μm，线宽W
’
比如
0.02μm，该种单边对准标记尺寸小，其由于只有一个标记图形用于实现对准，在量测时会有较大误差。
[0042]并且，目前通常将对准标记设置在切割道区，从而在制作过程中，无法直接得到晶粒中图案的偏移情况，影响晶粒的产品良率。
[0043]本公开提供了一种半导体结构的对准标记，对准标记包括多个标记单元，每个标记单元的形貌相同，多个标记单元之间以相对预设位置设置，从而形成了以双层形式布置的对准标记，由于对准标记中的标记单元不止一个，因此，在对准时多个标记单元可以形成多个参照，提升了对准精度。
[0044]本公开示例性的实施例中，如图8所示，示出了一种半导体结构的对准标记10，对准标记10可以设置于基底20上，基底20比如可以是晶圆。在晶圆加工过程中，光刻机的对准系统能够根据对准标记10将掩模板与晶圆对准，使得晶圆上的指定位置得到曝光，例如，可以对晶圆上的晶粒22进行光刻，以将掩模板中的电路图案转移至晶粒22中，也可以对完成电路结构的晶圆进行切割，将晶圆切割成多个独立的晶粒22。
[0045]本实施例中，如图2、图3、图4和图7所示，对准标记10包括多个标记单元，每个标记单元的形貌相同，每个标记单元的结构简单，方便进行加工。其中，根据标记单元的形状分类，标记单元包括直线型标记单元11、十字本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的对准标记，其特征在于，所述对准标记包括多个标记单元，每个所述标记单元的形貌相同，多个所述标记单元之间以相对预设位置设置。2.根据权利要求1所述的半导体结构的对准标记，其特征在于，多个所述标记单元之间呈中心对称设置。3.根据权利要求2所述的半导体结构的对准标记，其特征在于，呈中心对称设置的多个所述标记单元之间相互连接。4.根据权利要求2所述的半导体结构的对准标记，其特征在于，呈中心对称设置的多个所述标记单元之间断开设置。5.根据权利要求1所述的半导体结构的对准标记，其特征在于，相邻的两个所述标记单元之间偏移设置。6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体结构的对准标记，其特征在于，所述标记单元呈L型。7.根据权利要求6所述的半导体结构的对准标记，其特征在于，所述对准标记包括两个呈L型的所述标记单元。8.根据权利要求1至5任一项所述的半导体结构的对准标记，其特征在于，所述标记单元呈直线型。9.根据权利要求8所述的半导体结构的对准标记，其特征在于，所述对准标记包括多个标记组，每...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪美里，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：