一种双面散热封装器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双面散热封装器件，解决了现有技术中，功率耗散会造成器件内部芯片有源区温度上升，超过允许结温时器件性能将显著下降，不能稳定工作的问题。具体为，一种双面散热封装器件，包括MOS芯片，所述MOS芯片外设置有铜框架，MOS芯片的MOS芯片源极上设置有源极铜片、MOS芯片的MOS芯片栅极上设置有栅极铜片，源极铜片和栅极铜片包括伸出铜框架外的突出部分，源极铜片和栅极铜片还设置有绝缘DBC。本实用新型专利技术具有多种散热路径，覆盖MOS芯片多面，能够有效提升功率器件散热性能。能够有效提升功率器件散热性能。能够有效提升功率器件散热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种双面散热封装器件


[0001]本技术属于电力电子器件
，涉及一种双面散热封装器件。

技术介绍

[0002]随着电子技术的不断发展，大功率器件的发热功耗越来越大、热流密度不断增加。产品散热设计对产品的可靠性有着至关重要的影响。一般电子元器件的工作温度都有一定限制，功率耗散会造成器件内部芯片有源区温度（结温）上升，超过允许结温时器件性能将显著下降，不能稳定工作。器件的失效率与结温成指数关系，性能随结温升高而降低。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种双面散热封装器件，解决了现有技术中存在的功率器件散热性能较低的问题。
[0004]本技术具体技术方案如下：
[0005]一种双面散热封装器件，包括MOS芯片，所述MOS芯片外设置有铜框架， MOS芯片的MOS芯片源极上设置有源极铜片、MOS芯片的MOS芯片栅极上设置有栅极铜片，源极铜片和栅极铜片包括伸出铜框架外的突出部分，源极铜片和栅极铜片还设置有绝缘DBC。
[0006]所述铜框架为方形框架结构。
[0007]所述源极铜片和栅极铜片的突出部分上还设置有管脚折弯处。
[0008]所述铜框架、源极铜片和栅极铜片分别与MOS芯片的漏极、源极和栅极连接。
[0009]本技术所述的一种双面散热封装器件，具有多种散热路径，覆盖MOS芯片多面，能够有效提升功率器件散热性能。
附图说明
[0010]图1是本技术的结构示意图；
[0011]图中，1
‑
铜框架，2r/>‑
MOS芯片源极，3
‑
MOS芯片栅极，4
‑
源极铜片，5
‑
栅极铜片，6
‑
管脚，7
‑
管脚折弯处。
具体实施方式
[0012]如图1所示，本技术公开了一种双面散热封装器件，包括MOS芯片，所述MOS芯片外设置有铜框架1， MOS芯片的MOS芯片源极2上设置有源极铜片4、MOS芯片的MOS芯片栅极3上设置有栅极铜片5，源极铜片4和栅极铜片5上设置有绝缘DBC，均包括伸出铜框架1外的突出部分，所述突出部分作为器件的管脚6。
[0013]管脚6上还设置有管脚折弯处7。
[0014]本技术中，铜框架1、源极铜片4和栅极铜片5分别连接MOS芯片的漏极、源极和栅极，起到了电气互联作用。
[0015]本技术的散热路径共有三种：
[0016]a.芯片正面
‑
源极铜片/栅极铜片2
‑
DBC
‑
外部散热片；
[0017]b.芯片正面
‑
管脚；
[0018]c.芯片背面
‑
铜框架
‑
PCB板。
[0019]通过上述三种散热路径，本技术有效解决了现有技术中，大功率器件的发热功耗大，器件内部芯片有源区温度结温上升，不能稳定工作的问题，能够有效提升功率器件散热性能。
[0020]本技术的内容不限于实施例所列举，本领域普通技术人员通过阅读本技术说明书而对本技术技术方案采取的任何等效的变换，均为本技术的权利要求所涵盖。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面散热封装器件，其特征在于：包括MOS芯片，所述MOS芯片外设置有铜框架（1）， MOS芯片的MOS芯片源极（2）上设置有源极铜片（4）、MOS芯片的MOS芯片栅极（3）上设置有栅极铜片（5），源极铜片（4）和栅极铜片（5）包括伸出铜框架（1）外的突出部分，源极铜片（4）和栅极铜片（5）还设置有绝缘DBC。2.根据权利要求1所述的一种双...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锴，曹琳，
申请(专利权)人：龙腾半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：