【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力电子功率器件测试，具体涉及一种评估mosfet短路能力的测试方法及装置。
技术介绍
1、si基trench-mosfet、sgt-mosfet具有超低的导通电阻，优良开关特性及可靠性。广泛应用于电机驱动、bms、dc/dc、整流等领域。且具有多样的封装，便于设计优化及减小体积。在电机应用中，mosfet是驱动器的主要部分，其工作的安全性，决定电机驱动整体的可靠性。
2、在功率器件工作过程中会存在极限工况，尤其是短路，线路会迅速产生几百安培的大电流，在这种情况下控制mosfet迅速关断，切断线路，起到保护的作用。器件会有失效风险。
3、现有技术中对mosfet短路的测试仍有不明确，无法确定功率器件的本体短路能力及功率器件在此类应用中短路的匹配性，仅对电力电子装置进行整体评估。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种评估mosfet短路能力的测试方法及装置，通过模拟mosfet短路的极限工况简化实验方法，用来评估mosfet的短路能力，模拟实际应用的运行环境，来确定mosfet在该应用的匹配性，该装置较电力电子变换器整机短路测试，更易改变测试条件，且便于更换功率器件，增加测试效率。
2、本专利技术技术方案如下：
3、评估mosfet短路能力的测试装置，包括直流电压源、驱动电源、电容、电阻、电感、mosfet、驱动模块、信号发生器、高压差分电压探头、低压差分电压探头、电流探头及示波器。
4、直流电压源正极接电容正
5、基于上述装置评估mosfet短路能力的测试方法，包括以下步骤：
6、步骤一，将电流探头连接电感回路，测量流过整条回路的短路电流id；高压差分电压探头接mosfet漏源极，测量mosfet漏源电压vds；低压差分探头接mosfet栅源极，测量栅极电压vgs；mosfet漏源电压vds栅源电压vgs及回路电流id信息通过示波器显示。
7、步骤二，开启直流电源和驱动电源，控制信号发生器输出脉冲信号，驱动模块响应信号，控制mosfet开启，脉冲结束，控制信号消失，驱动模块控制mosfet关断，mosfet在该条件下关断。
8、步骤三，调整合适电感及电阻。逐渐增加直流电源电压，增大电容及回路能量，在相同脉冲信号时间内，回路电流大小因能量逐渐增大而增加。即可控制电源电压大小调节电流大小。控制mosfet在不同电流下关断，得到相应波形；开始测试，调整电压为较低值，避免电压过高导致电流过大失效。
9、步骤四，调整合适电感及电阻，在相同电压条件下，增大信号发生器脉冲的脉宽时间，调整mosfet开通时间，短路电流处于上升阶段，开启的时间增加，短路电流也会增大，脉冲结束，mosfet关断，得到mosfet在该电流下关断波形；初始脉冲时间为较低值，避免电流上升时间过长，电流过大导致mosfet失效。
10、步骤五，记录并分析短路波形，判断mosfet失效情况；如未失效，重复操作步骤三、步骤四，直至短路波形异常，器件失效，记录电压及电流值，评估mosfet短路能力。
11、相较于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：
12、电机驱动发生短路故障时主要有两种工况，桥臂短路和相线间的短路，通过电路分析可以发现，虽然短路方式不同，但是短路时mosfet的工况基本相似，主要差异为线路的寄生参数，本专利技术通过外电路模拟的方式，将该短路的工况模拟出来，该测试方法有效评估mosfet短路能力，同时也能对mosfet短路在电机系统中起到有效评估作用。
13、本专利技术提供的一种评估mosfet短路能力的测试方法及装置，通过模拟mosfet在不同应用中的短路情况，分析短路时mosfet的电参数，可以有效评估该功率器件在应用领域中的短路能力，对能否使用在该应用领域，也是合理的验证方式。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种评估MOSFET短路能力的测试装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种评估MOSFET短路能力的测试装置，其特征在于：
3.一种基于权利要求1所述测试装置的评估MOSFET短路能力的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的评估MOSFET短路能力的测试方法，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的评估MOSFET短路能力的测试方法，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种评估mosfet短路能力的测试装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种评估mosfet短路能力的测试装置，其特征在于：
3.一种基于权利要求1所述测试装置的评估mosfet短路...
【专利技术属性】
技术研发人员：王舶男，郑天浩，
申请(专利权)人：龙腾半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。