【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功率半导体器件，具体涉及一种增强抗闩锁特性的iegt器件的制造方法。
技术介绍
1、iegt，即注入增强型igbt器件（injection enhanced insulated gate bipolartransistor，iegt），是通过发射极近表面层引入空穴积累区，以增发射机载流子（电子）注入效率的技术。
2、在iegt器件中，存在由发射极n+，pbody区和n-区和集电极构成的寄生npnp晶闸管结构，在空穴电流很大或者开关过程集电极-发射极电压上升速度过快等情况下，会引起pbody/n+结开启，导致iegt不能通过栅极来控制其关断，进而导致igbt因过热而失效，即所谓的闩锁效应。
3、图1是iegt器件的等效电路图，为了防止iegt器件发生闩锁效应，必须抑制寄生npnp晶闸管结构中pnp晶体管和npn晶体管的导通，通常采用降低二者共基极放大系数的方法。降低pnp晶体管共基极放大系数降低通常通过降低iegt集电极的注入效率实现，但这会引起iegt器件的通态压降vceon增大，因此降低npn晶体管的共基极放大系数是更加良好的选择。降低npn晶体管的共基极放大系数可以通过增大npn晶体管的发射极电阻re来实现。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种增强抗闩锁特性的iegt器件的制造方法，解决了现有技术中存在的iegt器件高温大电流下容易闩锁的问题。
2、本专利技术具体技术方案如下：
3、一种增强抗闩锁特性的ie
4、步骤一、制备轻掺杂区熔单晶硅衬底片100；
5、步骤二、在区熔单晶硅衬底片上进行p+注入并推进，形成iegt的p型dummy区200；
6、步骤三、在正面刻蚀沟槽300，热生长牺牲氧化层，剥离后再次生长栅氧化层301；
7、步骤四、在沟槽300中淀积多晶硅，完整填充沟槽，并回刻si晶圆表面，形成iegt的沟槽栅极；
8、步骤五、正面离子注入硼b并热推进形成pbody区400；
9、步骤六、正面离子注入砷as并热推进形成发射区500；
10、步骤七、正面淀积由usg和bpsg构成的层间介质层600；
11、步骤八、正面刻蚀接触孔700，蚀刻体硅区域深度为发射区下方；
12、步骤九、正面离子注入硼b和二氟化硼bf2，形成接触孔欧姆接触区域800，并淀积金属900；
13、步骤十、背面离子注入形成场截止fs层101；
14、步骤十一、背面离子注入b形成集电区102，并溅射背面金属103。
15、步骤二中，p+注入位置为衬底片中央。
16、步骤三中，具体为在p型dummy区两侧刻蚀沟槽。
17、步骤五中，pbody区深度小于p型dummy区深度，注入位置为沟槽外侧。
18、步骤六中，发射区在pbody区上部。
19、步骤七中，在正面两侧pbody区位置的外侧边缘，刻蚀接触孔。
20、相较于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：
21、iegt的抗闩锁能力通过降低pnp和npn或者两者的电流放大增益来获得，降低pnp的电流增益会增加通态压降，导致器件导通损耗增大，因此需要降低npn的电流增益，通过layout结构改版来增大npn发射极的电阻，使其具有正温度系数，增强iegt器件的抗闩锁能力。本专利技术通过改变发射极n+的layout结构，增大了npn晶体管发射极电阻，降低npn管的电流增益，提高iegt器件的抗闩锁能力。
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1.一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，其特征在于：步骤二中，P+注入位置为衬底片中央。
3.根据权利要求1所述的一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，其特征在于：步骤三中，具体为在P型dummy区两侧刻蚀沟槽。
4.根据权利要求1所述的一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，其特征在于：步骤五中，PBody区深度小于P型dummy区深度，注入位置为沟槽外侧。
5.根据权利要求1所述的一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，其特征在于：步骤六中，发射区在PBody区上部。
6.根据权利要求1所述的一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，其特征在于：步骤七中，在正面两侧PBody区位置的外侧边缘，刻蚀接触孔。
【技术特征摘要】
1.一种增强抗闩锁特性的iegt器件的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种增强抗闩锁特性的iegt器件的制造方法，其特征在于：步骤二中，p+注入位置为衬底片中央。
3.根据权利要求1所述的一种增强抗闩锁特性的iegt器件的制造方法，其特征在于：步骤三中，具体为在p型dummy区两侧刻蚀沟槽。
4.根据权利要求1所述的一种增强抗闩...
【专利技术属性】
技术研发人员：张军亮，张园园，王荣华，李铁生，徐西昌，
申请(专利权)人：龙腾半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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