【技术实现步骤摘要】
本技术涉及脉冲功率,具体涉及一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构。
技术介绍
1、传统的叠层母排或者多电缆并联等连接方式一般存在难以获得即结构紧凑安装简单又能达到匹配电路的低电感问题。在纳秒级高压脉冲电源设备中有脉冲宽度窄、响应速度快、脉冲输出峰值功率大的要求下,传统连接方式往往难以满足电路需求,专利技术一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构是解决以上技术难题的关键。
技术实现思路
1、1、技术要解决的技术问题
2、本技术目的在于解决现有技术中存在的技术问题,提供一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,它能将电路中的谐振电容、igbt及脉冲变压器紧密连接在一起,有效解决了难以获得窄脉冲宽度及igbt关断出现高电压尖峰的问题。
3、2、技术方案
4、为解决上述问题,本技术提供的技术方案为:
5、一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,包括叠层母排,所述叠层母排的上端弯折形成第一连接部,所述叠层母排的下端弯折形成第二连接部,所述叠层母排包括叠层连接在一起的第一正极铜排、第一pet绝缘膜、第二正极铜排、第二pet绝缘膜和负极铜排,所述第一正极铜排和第二正极铜排之间设有第一pet绝缘膜,所述第一正极铜排、第二正极铜排和负极铜排上均设有铜柱及裸孔与电路连接,所述第一正极铜排和负极铜排的外层均设有pet覆膜。
6、可选地,所述第一正极铜排包括弯折连接的第一上连接片和第一中连接片,所述第二正极铜排包括弯折连接的
7、可选地,所述第一pet绝缘膜、第二pet绝缘膜和pet覆膜的厚度为0.5mm。
8、可选地,所述第二连接部外部加衬一层fr4绝缘板。
9、可选地,所述第一正极铜排的第一上连接片连接脉冲变压器,所述第一中连接片连接谐振电容。
10、可选地,所述第二正极铜排的第二中连接片连接谐振电容,所述第二下连接片连接igbt。
11、可选地,所述负极铜排的第三上连接片连接脉冲变压器,所述第三下连接片连接igbt。
12、3、有益效果
13、采用本技术提供的技术方案,与现有技术相比,具有如下有益效果:
14、本技术通过制作作为优选一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,有效解决了纳秒级高压脉冲电源设备中要求脉冲宽度窄、响应速度快、脉冲输出峰值功率大的要求,并同时满足了结构简单紧凑,安装方便快捷、成本较低,可靠性高的特点。
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1.一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,其特征在于:包括叠层母排,所述叠层母排的上端弯折形成第一连接部,所述叠层母排的下端弯折形成第二连接部,所述叠层母排包括叠层连接在一起的第一正极铜排、第一PET绝缘膜、第二正极铜排、第二PET绝缘膜和负极铜排,所述第一正极铜排和第二正极铜排之间设有第一PET绝缘膜,所述第一正极铜排、第二正极铜排和负极铜排上均设有铜柱及裸孔与电路连接,所述第一正极铜排和负极铜排的外层均设有PET覆膜。
2.根据权利要求1所述的一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,其特征在于:所述第一正极铜排包括弯折连接的第一上连接片和第一中连接片,所述第二正极铜排包括弯折连接的第二中连接片和第二下连接片,所述负极铜排包括弯折连接的第三上连接片、第三中连接片和第三下连接片,所述第一上连接片和第三上连接片层叠连接,所述第一中连接片、第二中连接片和第三中连接片叠层连接,所述第二下连接片和第三下连接片叠层连接。
3.根据权利要求1所述的一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,其特征在于:所述第一PET绝缘膜、第二PET绝缘膜和PET覆膜
4.根据权利要求1所述的一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,其特征在于:所述第二连接部外部加衬一层FR4绝缘板。
5.根据权利要求2所述的一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,其特征在于:所述第一正极铜排的第一上连接片连接脉冲变压器,所述第一中连接片连接谐振电容。
6.根据权利要求2所述的一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,其特征在于:所述第二正极铜排的第二中连接片连接谐振电容,所述第二下连接片连接IGBT。
7.根据权利要求2所述的一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,其特征在于:所述负极铜排的第三上连接片连接脉冲变压器,所述第三下连接片连接IGBT。
...【技术特征摘要】
1.一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,其特征在于:包括叠层母排,所述叠层母排的上端弯折形成第一连接部,所述叠层母排的下端弯折形成第二连接部,所述叠层母排包括叠层连接在一起的第一正极铜排、第一pet绝缘膜、第二正极铜排、第二pet绝缘膜和负极铜排,所述第一正极铜排和第二正极铜排之间设有第一pet绝缘膜,所述第一正极铜排、第二正极铜排和负极铜排上均设有铜柱及裸孔与电路连接,所述第一正极铜排和负极铜排的外层均设有pet覆膜。
2.根据权利要求1所述的一种用于小型化纳秒级脉冲等离子电源的母排结构,其特征在于:所述第一正极铜排包括弯折连接的第一上连接片和第一中连接片,所述第二正极铜排包括弯折连接的第二中连接片和第二下连接片,所述负极铜排包括弯折连接的第三上连接片、第三中连接片和第三下连接片,所述第一上连接片和第三上连接片层叠连接,所述第一中连接片、第二中连接片和第三中连接片叠层连接,所述第二下连接片和第三...
【专利技术属性】
技术研发人员:金理剑,陈国栋,郭炎鹏,方洲,李玉柱,朱素丽,茅航挺,
申请(专利权)人:杭州卓天科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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