【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体量子器件，具体涉及量子场效应晶体管中等离子体孤波的传播模型。
技术介绍
1、随着21世纪的到来，半导体产业的发展速度令人瞩目。在这个过程中，场效应晶体管的尺寸已经达到了纳米级别。此时，由于晶体管的尺寸与电子的波长可相比拟，量子效应对器件性能的影响变得不容忽视。要充分利用或规避量子尺寸效应、热载流子效应和量子隧穿效应，深入理解量子场效应晶体管中电子流体的输运方式是关键。在器件微型化的过程中，电子受量子效应调制，导致场效应晶体管的工作模式与传统器件大不相同。
2、孤波作为非线性相干结构中的重要一员，由于其稳定的“钟状”结构，已在等离子体物理、高能电磁学、流体力学和非线性光学等领域展现出其独特的应用价值。令人惊讶的是，孤波结构也存在于场效应晶体管中。当等离子体从源极流向漏极时，会在漏极遭到反射并被放大，导致原本的等离子体变得不稳定。这使得沟道中电子流体密度在时空中的分布不均，并向外辐射电磁波，形成等离子体孤波。当场效应晶体管的尺寸达到纳米级别时，其向外辐射的波频率可达太赫兹。这一发现为我国实现可用、可协调的高功...
【技术保护点】
1.量子场效应晶体管中等离子体孤波的传播模型，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的量子场效应晶体管中等离子体孤波的传播模型，其特征在于，步骤1的具体方法如下：
3.根据权利要求1所述的量子场效应晶体管中等离子体孤波的传播模型，其特征在于，步骤2得到的场效应晶体管导电沟道中等离子体孤波传播特性的KdV模型为：
4.根据权利要求1所述的量子场效应晶体管中等离子体孤波的传播模型，其特征在于，步骤5的具体方法如下：
5.根据权利要求1所述的量子场效应晶体管中等离子体孤波的传播模型，其特征在于，步骤6的具体方法如下：
【技术特征摘要】
1.量子场效应晶体管中等离子体孤波的传播模型，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的量子场效应晶体管中等离子体孤波的传播模型，其特征在于，步骤1的具体方法如下：
3.根据权利要求1所述的量子场效应晶体管中等离子体孤波的传播模型，其特征在于，步骤2得到...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯江旭，杨乐，李铁生，曹琳，
申请(专利权)人：龙腾半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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