太阳能电池生产方法及太阳能电池技术

本发明专利技术提供太阳能电池生产方法及太阳能电池，涉及光伏技术领域。太阳能电池生产方法包括：提供硅基板；在硅基板上设置具有第一金属粒子的第一电极部；在第一电极部上形成具有贵金属元素的阻挡层；在阻挡层上电镀第二电极部。在电镀第二电极部之前，在第一电极部上形成了具有贵金属元素的阻挡层，具有贵金属元素的阻挡层会对第一电极部进行填充，从很大程度上避免第二电极部渗入至第一电极部中，且能够从很大程度上避免电镀第二电极部的过程中的辅助材料等渗入至第一电极部中，保障了第一电极部与硅基板的结合力，提升了太阳能电池的发电效率和可靠性。电效率和可靠性。电效率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池生产方法及太阳能电池


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及太阳能电池生产方法及太阳能电池。

技术介绍

[0002]目前，生产基于硅基底的太阳能电池的电极的方式主要有以下几种方式：丝网印刷、镀覆。由于丝网印刷存在精度有限、形成的电极的串联电阻大、成本高等问题，因此镀覆方式应用逐渐广泛。
[0003]但是，专利技术人在研究现有的镀覆方式生产电极的方法中发现，存在如下缺点：现有的镀覆方式形成的电极与硅基板的结合力差，严重影响了太阳能电池的发电效率和可靠性。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种太阳能电池生产方法及太阳能电池，旨在解决现有的镀覆方式形成的电极与硅基板的结合力差的问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面，提供了一种太阳能电池生产方法，包括如下步骤：
[0006]提供硅基板；
[0007]在所述硅基板上设置具有第一金属粒子的第一电极部；
[0008]在所述第一电极部上形成具有贵金属元素的阻挡层；
[0009]在所述阻挡层上电镀第二电极部。
[0010]在本专利技术实施例中，在电镀第二电极部之前，在第一电极部上形成了具有贵金属元素的阻挡层，具有贵金属元素的阻挡层会对第一电极部进行填充，特别是会对第一电极部靠近第二电极部的表面进行填充，使得第一电极部靠近第二电极部的表面更为致密，能够从很大程度上避免第二电极部渗入至第一电极部中，且能够从很大程度上避免电镀第二电极部的过程中的辅助材料等渗入至第一电极部中，使得第一电极部能够最大程度的保持其原有的性能，更大程度上避免了由于上述第二电极部、电镀第二电极部的过程中的辅助材料等渗入至第一电极部中对第一电极部与硅基板的结合能力的影响，保障了第一电极部与硅基板的结合力，进而保障了电极与硅基板的结合力，提升了太阳能电池的发电效率和可靠性。而且，具有贵金属元素的阻挡层具有优良的导电性，以及较大的表面积，可以提高第一电极部与第二电极部的电连接，同时提高电极与硅基板之间的导电性，以进一步提升太阳能电池的发电效率和可靠性。同时，上述第二电极部通过电镀的方式形成，可以减少金属材料的用量，特别是大大降低了银材料的使用，能够降低生产成本，制作精度高，且操作相对简单，便于大规模的工业应用。
[0011]根据本专利技术的第二方面，提供了一种太阳能电池，采用前述任一所述的太阳能电池生产方法制备得到。
[0012]上述太阳能电池，与前述太阳能电池生产方法具有相同或相似的有益效果，为了
避免重复，此处不再赘述。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1示出了本专利技术实施方式中的一种太阳能电池生产方法的步骤流程图；
[0015]图2示出了本专利技术实施方式中的一种太阳能电池的结构示意图；
[0016]图3示出了本专利技术实施方式中的另一种太阳能电池的结构示意图；
[0017]图4示出了本专利技术实施方式中的还一种太阳能电池的结构示意图；
[0018]图5示出了本专利技术实施方式中的一种太阳能电池电极的结构示意图；
[0019]图6示出了本专利技术实施方式中的另一种太阳能电池电极的结构示意图；
[0020]图7示出了本专利技术实施方式中的再一种太阳能电池的结构示意图；
[0021]图8示出了本专利技术实施方式中的又一种太阳能电池的结构示意图。
[0022]附图编号说明：
[0023]1‑
硅基板，2
‑
钝化膜，3
‑
第一电极部，4
‑
阻挡层，5
‑
第二电极部，51
‑
第一金属电极层，52
‑
第二金属电极层，53
‑
第三金属电极层，6
‑
主栅电极，7
‑
细栅电极，8
‑
钝化减反层，9
‑
隧穿层，10
‑
掺杂多晶硅层，11
‑
硅基底，12
‑
发射极，13
‑
正面电极，14
‑
背面电极，15
‑
p型多晶硅，16
‑
n型多晶硅，17
‑
n型电极，18
‑
p型电极。
具体实施方式
[0024]专利技术人发现，现有的镀覆方式形成的电极与硅基板的结合力差的主要原因在于：位于硅基板上的种子层的不够致密，使得镀覆在种子层上的其它层渗入种子层、以及镀覆其它层的辅助材料渗入种子层，然而，渗入种子层的上述材料会与种子层发生反应生成新物质，上述新物质会导致种子层中的玻璃体结构降解，从而降低种子层与硅基板的结合能力，使得种子层与硅基板的结合能力变差。而本申请中，在电镀第二电极部之前，在第一电极部上形成了具有贵金属元素的阻挡层，具有贵金属元素的阻挡层会对第一电极部进行填充，特别是会对第一电极部靠近第二电极部的表面进行填充，使得第一电极部靠近第二电极部的表面更为致密，能够从很大程度上避免第二电极部渗入至第一电极部中，且能够从很大程度上避免电镀第二电极部的过程中的辅助材料等渗入至第一电极部中，使得第一电极部能够最大程度的保持其原有的性能，更大程度上避免了由于上述第二电极部、电镀第二电极部的过程中的辅助材料等渗入至第一电极部中对第一电极部与硅基板的结合能力的影响，保障了第一电极部与硅基板的结合力，进而保障了电极与硅基板的结合力，提升了太阳能电池的发电效率和可靠性。而且，具有贵金属元素的阻挡层具有优良的导电性，以及较大的表面积，可以提高第一电极部与第二电极部的电连接，同时提高电极与硅基板之间的导电性，以进一步提升太阳能电池的发电效率和可靠性。同时，上述第二电极部通过电镀的方式形成，可以减少金属材料的用量，特别是大大降低了银材料的使用，能够降低生产成本，制作精度高，且操作相对简单，便于大规模的工业应用。
[0025]图1示出了本专利技术实施方式中的一种太阳能电池生产方法的步骤流程图。参照图1所示，该方法包括如下步骤：
[0026]步骤S1，提供硅基板。
[0027]硅基板可以由硅基底和导电区域组成。硅基底主要由单晶硅、多晶硅组成，对硅基底的具体材料不作限定。导电区域和硅基底配合主要用于在太阳能电池中分离和传输载流子。
[0028]导电区域可以位于硅基底中，具体的，导电区域可以由硅基底掺杂得到。如，硅基板可以为具有导电类型的单晶硅片或多晶硅片，导电类型的掺杂物是n型或p型掺杂物，即，导电类型的掺杂物可以是诸如V族元素(包括磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等)的n型杂质。或者，导电类型的掺杂物可以是诸如III族元素(包括硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池生产方法，其特征在于，包括如下步骤：提供硅基板；在所述硅基板上设置具有第一金属粒子的第一电极部；在所述第一电极部上形成具有贵金属元素的阻挡层；在所述阻挡层上电镀第二电极部。2.根据权利要求1所述的太阳能电池生产方法，其特征在于，所述在所述第一电极部上形成具有贵金属元素的阻挡层的步骤，包括：在所述第一电极部上涂覆具有贵金属元素的盐溶液，热分解所述盐溶液，在所述第一电极部上形成具有贵金属元素的阻挡层；或，在所述第一电极部上印刷具有贵金属元素的膏体；或，在所述第一电极部上涂覆具有贵金属元素的膏体。3.根据权利要求2所述的太阳能电池生产方法，其特征在于，在烘箱或红外快烧炉中热分解所述盐溶液，热分解所述盐溶液的温度为：150
‑
500℃，热分解所述盐溶液持续的时间为1
‑
60分钟；所述膏体包含有增稠剂以及有机溶剂。4.根据权利要求1所述的太阳能电池生产方法，其特征在于，所述第二电极部包括靠近所述阻挡层的第一金属电极层，在电镀形成所述第一金属电极层之后，所述方法还包括：将电镀有所述第一金属电极层的硅基板，在氮气环境和/或惰性气体环境中烧结；烧结温度为300
‑
500℃，烧结时间为0.5
‑
2分钟。5.根据权利要求1所述的太阳能电池生产方法，其特征在于，所述在所述硅基板上设置具有第一金属粒子的第一电极部的步骤，包括：在硅基板上印刷包含第一金属粒子的浆料；烧结或固化所述浆料，形成与硅基板电接触的第一电极部。6.根据权利要求1所述的太阳能电池生产方法，其特征在于，所述第一电极部包含银或铝。7.根据权利要求1所述的太阳能电池生产方...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘继宇，张洪超，童洪波，李华，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：