异质结电池的加工方法技术

本发明专利技术涉及电池制造技术领域，提供一种异质结电池的加工方法，该方法包括：在基底的工作面依次形成钝化层和传输层；在所述传输层的表面形成透明导电层；在所述透明导电层的表面形成金属种子层；在所述金属种子层的表面形成掩膜，所述掩膜为含硅无机化合物；去除部分所述掩膜，露出部分所述金属种子层，形成电极栅线图形；在所述电极栅线图形处形成电极；去除剩余的所述掩膜；去除所述电极栅线图形外的所述金属种子层。本发明专利技术提供的异质结电池的加工方法，通过采用含硅无机化合物掩膜，可以利用含硅无机化合物硬度大、致密性好和针孔少的特性，形成厚度极薄的掩膜，相对于有机膜起到更好的抗腐蚀性，且去除工艺更简单环保。且去除工艺更简单环保。且去除工艺更简单环保。

【技术实现步骤摘要】
异质结电池的加工方法


[0001]本专利技术涉及电池制造
，尤其涉及一种异质结电池的加工方法。

技术介绍

[0002]异质结电池以其结构简单、工艺温度高、转换效率高、温度系数好等优点受到广泛关注。相对成熟的加工工艺中，主要采用丝网印刷低温银浆制备电极，该工艺耗银量大，成本很高。相关技术中，采用电镀铜、锡等金属来替代丝网印刷低温银浆这一步骤，通常是在金属种子层上制备覆盖抗蚀感光干膜、热固性胶膜、UV油墨或抗电镀油墨等掩膜，这种工艺，在制备掩膜时需引入新设备，还需要额外的固化工序，增加了工序、时间及相应成本，且掩膜的清洗去除工序繁杂。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种异质结电池的加工方法，用以解决现有技术中掩膜的加工及去除均复杂的缺陷，实现较少的材料损耗。
[0004]本专利技术提供一种异质结电池的加工方法，包括：在基底的工作面依次形成钝化层和传输层；
[0005]在所述传输层的表面形成透明导电层；
[0006]在所述透明导电层的表面形成金属种子层；
[0007]在所述金属种子层的表面形成掩膜，所述掩膜为含硅无机化合物；
[0008]去除部分所述掩膜，露出部分所述金属种子层，形成电极栅线图形；
[0009]在所述电极栅线图形处形成电极；
[0010]去除剩余的所述掩膜；
[0011]去除所述电极栅线图形外的所述金属种子层。
[0012]根据本专利技术提供一种的异质结电池的加工方法，所述掩膜为SiNx、SiOx、SiC中的一种或多种。
[0013]根据本专利技术提供一种的异质结电池的加工方法，所述掩膜的厚度为：5纳米
‑
30微米。
[0014]根据本专利技术提供一种的异质结电池的加工方法，所述去除剩余的所述掩膜，包括：
[0015]使用HF溶液去除所述掩膜。
[0016]根据本专利技术提供一种的异质结电池的加工方法，所述在所述传输层的表面形成透明导电层，包括：通过PVD设备在所述传输层的表面沉积出透明导电层；
[0017]所述在所述透明导电层的表面形成金属种子层，包括：通过同一台所述PVD设备在所述透明导电层的表面沉积出金属种子层；
[0018]所述在所述金属种子层的表面形成掩膜，包括：通过同一台所述PVD设备在所述金属种子层的表面沉积出掩膜。
[0019]根据本专利技术提供一种的异质结电池的加工方法，所述去除所述电极栅线图形外的
所述金属种子层，包括：
[0020]通过湿法腐蚀去除所述电极栅线图形外的所述金属种子层，且反应时间为10秒
‑
1000秒。
[0021]根据本专利技术提供一种的异质结电池的加工方法，所述湿法腐蚀采用的溶液为氢氧化钠溶液、氨水/过氧化氢溶液、过硫酸铵溶液、三氯化铁溶液、磷酸/硝酸溶液中的至少一种。
[0022]根据本专利技术提供一种的异质结电池的加工方法，所述金属种子层为Cu、Sn、Ni、In、Ti、W、Cr、Co、Mo、Al中的至少一种，且厚度为5纳米
‑
200纳米。
[0023]根据本专利技术提供一种的异质结电池的加工方法，所述电极的材料与所述金属种子层的材料相同。
[0024]根据本专利技术提供一种的异质结电池的加工方法，所述电极包括第一层和第二层，所述第一层位于所述金属种子层与所述第二层之间，且所述第一层为Cu，所述第二层为Ag，所述金属种子层为Ni。
[0025]本专利技术提供的异质结电池的加工方法，通过采用含硅无机化合物掩膜，可以利用含硅无机化合物硬度大、致密性好和针孔少的特性，形成厚度极薄的掩膜，相对于有机膜起到更好的抗腐蚀性，且去除工艺更简单环保。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本专利技术提供的异质结电池的加工方法的流程示意图；
[0028]图2是本专利技术提供的异质结电池的加工方法得到的异质结电池的结构示意图；
[0029]附图标记：
[0030]基底210，钝化层220，传输层230，透明导电层240，金属种子层250，电极260。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]下面结合图1至图2描述本专利技术的异质结电池的加工方法。
[0033]如图1所示，本专利技术的异质结电池的加工方法可以包括：步骤110
‑
步骤180。
[0034]步骤110、在基底210的工作面依次形成钝化层220和传输层230；
[0035]在该步骤中，基底210可以为硅基底，包括N型硅片或P型硅片等。
[0036]在实际加工过程中，可对硅片先进行预处理，以得到该基底210，该预处理可以包括对硅片进行清洗、制绒等处理，且该预处理可针对硅片的双面。
[0037]钝化层220形成在传输层230与基底210之间，即先在基底210的工作面形成钝化层
220，再在钝化层220背离基底210的表面形成传输层230，基底210为片状，基底210的工作面可以为基底210沿厚度方向相对设置的顶面和底面。
[0038]钝化层220位于基底210与传输层230之间，将基底210与传输层230隔离开，钝化层220用于钝化基底210表面的悬挂键，在基底210为硅基底的情况下，钝化层220可以为本征非晶硅。
[0039]传输层230与硅基底的导电类型不同，从而使得传输层230与基底210形成异质结，作为异质结电池的发射极。
[0040]比如，在基底210为N型硅片的情况下，基底210两侧的传输层230可分别为N型非晶硅和P型非晶硅。
[0041]在实际加工过程中，该步骤可以采用化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition，CVD)，在基底210的表面进行钝化层220和传输层230的沉积，或者可以采用等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)进行钝化层220和传输层230的沉积。
[0042]即顺次在基底210上沉积出钝化层220和传输层230，在加工时，先在PECVD设备的工艺腔内沉积出钝化层220，再沉积出传输层230。在一些实施例中，在沉积出钝化层220后，可先去除杂质气体，再进行传输层230的沉积。
[0043]如图2所示，上述钝化层220本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的加工方法，其特征在于，包括：在基底的工作面依次形成钝化层和传输层；在所述传输层的表面形成透明导电层；在所述透明导电层的表面形成金属种子层；在所述金属种子层的表面形成掩膜，所述掩膜为含硅无机化合物；去除部分所述掩膜，露出部分所述金属种子层，形成电极栅线图形；在所述电极栅线图形处形成电极；去除剩余的所述掩膜；去除所述电极栅线图形外的所述金属种子层。2.根据权利要求1所述的异质结电池的加工方法，其特征在于，所述掩膜为SiNx、SiOx、SiC中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的异质结电池的加工方法，其特征在于，所述掩膜的厚度为5纳米
‑
30微米。4.根据权利要求1所述的异质结电池的加工方法，其特征在于，所述去除剩余的所述掩膜，包括：使用HF溶液去除剩余的所述掩膜。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的异质结电池的加工方法，其特征在于，所述在所述传输层的表面形成透明导电层，包括：通过PVD设备在所述传输层的表面沉积出透明导电层；所述在所述透明导电层的表面形成金属种子层，包括：通过同一台所述PVD设备在所述透明导电层的表面沉积出金属种子层；所述在所述金属种子层的表面形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：三一集团有限公司，
类型：发明
国别省市：