支撑片、保护膜形成用复合片及装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够兼顾片的拉出不良与隔着基材观察时的激光打标的辨认性的支撑片、具备该支撑片与保护膜形成膜的保护膜形成用复合片、以及半导体装置等装置的制造方法。所述支撑片具有基材与形成在基材的一个主面上的粘着剂层，基材的未形成粘着剂层的主面上的4.91mm

【技术实现步骤摘要】
支撑片、保护膜形成用复合片及装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及支撑片、保护膜形成用复合片及装置的制造方法。特别涉及在加工半导体晶圆等工件时用于固定工件的支撑片、具有该支撑片与适合用于保护半导体晶圆等工件或保护对工件进行加工而得到的半导体芯片等加工物的保护膜形成膜的保护膜形成用复合片、以及半导体芯片等装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，采用被称为所谓倒装(face down)方式的安装方法进行半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸点(bump)等电极的半导体芯片将电极与基板接合。因此，有时会露出半导体芯片的与电路面相反一侧的背面。
[0003]有时在该露出的半导体芯片的背面，形成作为保护膜的由有机材料构成的树脂膜，并将这样的带保护膜的半导体芯片安装到半导体装置中。保护膜用于在切割工序及其后续工序中防止半导体芯片发生碎裂或缺损等崩边。
[0004]为了形成这样的保护膜，可使用在支撑片上具备保护膜形成膜(保护膜形成层)而成的保护膜形成用复合片。作为支撑片，例如可使用在树脂制的基材上层叠粘着剂层等而成的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种支撑片，其具有基材与形成在所述基材的一个主面上的粘着剂层，所述基材的未形成粘着剂层的主面上的4.91mm
×
4.90mm的四边形区域的算数平均高度Sa1大于0.50μm，所述未形成粘着剂层的主面在入射角为60
°
时的光泽度值为20以上。2.根据权利要求1所述的支撑片，其中，所述未形成粘着剂层的主面上的4.91mm
×
4.90mm的四边形区域是由300个作为0.36mm
×
0.27mm的四边形区域的小区域合成而得到的大区域，将各个小区域的算数平均高度中的最小算数平均高度至第20小的算数平均高度的平均值设为Sa2时，Sa2为0.43μm以下。3.根据权利要求1或2所述的支撑片，其中，作为Sa1相对于Sa2之比的Sa1/Sa2为1.40以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的支撑片，其中，不在所述未形成粘着...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本大辅，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
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