存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法技术

本申请提供了一种存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法。该制作方法包括：提供一侧具有开口的沟道孔；使多种反应气体在沟道孔的侧壁分别进行膜层生长，以形成功能层，多种反应气体中具有至少一种含氮气体，在每种含氮气体进行膜层生长的过程中，使含氮气体进行多次膜层生长；在沟道孔中形成沟道层，以使功能层包裹在沟道层外周。通过在功能层的形成工艺中使含氮气体进行多次膜层生长，能够提高含氮气体在沟道孔中的扩散能力，从而使最终沉积于孔壁上的功能层的含氮量由沟道孔的上端至下端均趋于一致，从而避免了功能层中在孔壁不同位置处氮含量不一致而导致的对存储结构的电性能的影响，进而将存储结构应用于存储器中，能够提高器件性能。能够提高器件性能。能够提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，闪存(Flash Memory)存储器的主要功能是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在电子产品中得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(Bit Density)，同时减少位成本(Bit Cost)，进一步提出了三维NAND闪存存储器。
[0003]存储结构是三维存储器的关键结构，存储结构包括功能层和沟道层，功能层起到控制存储器电荷存储的功能。目前，三维NAND闪存存储器中存储结构的制作工艺通常是在堆叠结构中形成沟道孔，并形成覆盖沟道孔侧壁内表面的功能层，然后需要把沟道孔底部的功能层去除，再沟道孔中形成沟道层。
[0004]存储结构的制备工艺对其电性参数的影响很大，从而影响器件的读写性能和使用寿命等性能。因此，如何对存储结构的制备工艺进行优化，以提高电性输出，从而提高器件性能是目前亟需解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一侧具有开口的沟道孔；使多种反应气体在所述沟道孔的侧壁分别进行膜层生长，以形成功能层，所述多种反应气体中具有至少一种含氮气体，在每种所述含氮气体进行膜层生长的过程中，使所述含氮气体进行多次膜层生长；在所述沟道孔中形成沟道层，以使所述功能层包裹在所述沟道层外周。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沟道孔设置于反应腔内，在每种所述含氮气体进行膜层生长的过程中，使所述含氮气体进行多次膜层生长的步骤包括：将所述含氮气体多次通入所述反应腔内，以使每次通入的所述含氮气体由所述开口扩散至所述沟道孔的底部，所述含氮气体在扩散过程中在所述沟道孔的侧壁进行膜层生长。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，每次在相同时间内通入相同流量和相同压强的所述含氮气体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述功能层包括在所述沟道孔侧壁上顺序形成层叠的电荷阻挡层、电子捕获层和隧穿层。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述功能层为ONO结构，所述ONO结构包含SiON层。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述多种反应气体至少包括所述含氮气体、含氧气体以及含硅气体，形成所述功能层的步骤包括：采用原子层沉积工艺使所述含硅气体、所述含氧气体以及所述含氮气体在所述沟道孔的侧壁顺序进行膜层生长，以形成所述SiON层，在所述含氮气体进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓侠，蒲浩，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：