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本申请提供了一种存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法。该制作方法包括：提供一侧具有开口的沟道孔；使多种反应气体在沟道孔的侧壁分别进行膜层生长，以形成功能层，多种反应气体中具有至少一种含氮气体，在每种含氮气体进行膜层生长的过程中，使含氮...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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