一种半导体设备扩散炉用冷阱制造技术

本实用新型专利技术提供种半导体设备扩散炉用冷阱，用于对扩散炉中的特气进行收集；包括冷却筒1，内胆2，内冷却组件，和连接组件；所述冷却筒1，内胆2和内冷却组件依次由外至内共轴套设，通过顶部连接组件固定；连接组件，包括第二连接法兰6和内胆顶部的第一连接法兰23；所述冷却筒1上设置有进气口槽部11与设置在内胆2侧壁的进气口21配合；内胆2底部还设置有出气口22；内冷却组件，包括内冷却管3，冷却片4和冷却架5；冷却架5轴向设置；冷却架5顶部轴向设置有冷却管3；冷却管3贯穿冷却架5正上方的第二连接法兰6设置；本实用新型专利技术的有益效果：冷阱可实现尾气的冷凝，收集，环保；有助于提高尾气收集，减少排放。减少排放。减少排放。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备扩散炉用冷阱


[0001]本技术主要涉及半导体设备
，尤其涉及一种半导体设备扩散炉用冷阱。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的飞速发展，节能减排刻不容缓，环境要求越来越高，在晶圆生产环节中，扩散炉是一个非常关键的环节，扩散炉经常使用特气，而特气固有一部分不被完全使用，冷阱又是收集多余特气的组件，国内目前的半导体行业扩散炉所使用的冷阱(trap)冷却效率差，残留少，流入尾排多，洁净效率差。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的上述缺陷，本技术提供一种半导体设备扩散炉用冷阱，用于对扩散炉中的特气进行收集。
[0004]本技术提供一种半导体设备扩散炉用冷阱，包括冷却筒1，内胆2，内冷却组件，和连接组件；
[0005]所述冷却筒1，内胆2和内冷却组件依次由外至内共轴套设，通过顶部连接组件固定；
[0006]连接组件，包括第二连接法兰6和内胆顶部的第一连接法兰23；
[0007]所述冷却筒1上设置有进气口槽部11与设置在内胆2侧壁的进气口21配合；内胆2底部还设置有出气口22；
[0008]内冷却组件，包括内冷却管3，冷却片4和冷却架5；冷却架5 轴向设置；冷却架5顶部轴向设置有内冷却管3；内冷却管3贯穿冷却架5正上方的第二连接法兰6设置；
[0009]所述冷却片4设置有多个，沿轴向水平设置在冷却架5上。
[0010]优选的，所述进气口槽部11设置在冷却筒1的顶部侧壁；为轴向向上的方形开口设置。
[0011]优选的，所述冷却片4呈半圆设置，每组冷却片4水平对称有两片，对称设置在冷却架5的两侧。
[0012]优选的，所述冷却片4上还设置有通气孔。
[0013]优选的，所述通气孔包括大通气孔和小通气孔；所述大通气孔和小通气孔交替排列设置在所述冷却片4上。方便特殊气体自上而下排出。
[0014]优选的，所述内胆2的顶部径向想外延伸处第一连接法兰23；所述第一连接法兰23和第二连接法兰6贴合设置。
[0015]优选的，所述冷却筒1顶部设置有与第一连接法兰23和第二连接法兰6配合的固定孔。
[0016]本技术的有益效果：冷阱可实现尾气的冷凝，收集，环保；有助于提高尾气收集，减少排放。
附图说明
[0017]图1为本技术结构示意图；
[0018]图2为本技术拆分图；
[0019]图中，
[0020]1、冷却筒，11进气口槽部；2、内胆，21、进气口，22、出气口， 23、第一连接法兰；3、内冷却管；4、冷却片；5、冷却架；6、第二连接法兰。
具体实施方式
[0021]下面结合附图对本实用进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本技术的保护范围有任何的限制作用。
[0022]本技术提供一种半导体设备扩散炉用冷阱，包括冷却筒1，内胆2，内冷却组件，和连接组件；
[0023]所述冷却筒1，内胆2和内冷却组件依次由外至内共轴套设，通过顶部连接组件固定；
[0024]连接组件，包括第二连接法兰6和内胆顶部的第一连接法兰23；
[0025]所述冷却筒1上设置有进气口槽部11与设置在内胆2侧壁的进气口21配合；进气口槽部11设置在冷却筒1的顶部侧壁；为轴向向上的方形开口设置。内胆2底部还设置有出气口22；内胆2的顶部径向想外延伸处第一连接法兰23；所述第一连接法兰23和第二连接法兰6贴合设置。冷却筒1顶部设置有与第一连接法兰23和第二连接法兰6配合的固定孔。
[0026]内冷却组件，包括内冷却管3，冷却片4和冷却架5；冷却架5 轴向设置；冷却架5顶部轴向设置有内冷却管3；内冷却管3贯穿冷却架5正上方的第二连接法兰6设置；
[0027]所述冷却片4设置有多个，沿轴向水平设置在冷却架5上。冷却片4呈半圆设置，每组冷却片4水平对称有两片，对称设置在冷却架5的两侧。冷却片4上还设置有通气孔。通气孔包括大通气孔和小通气孔；所述大通气孔和小通气孔交替排列设置在所述冷却片4上。方便特殊气体自上而下排出。
[0028]高温特殊气体通过进气口21进入冷却内胆2内，与冷却片4接触，受到冷却后，特殊气体内的一些杂质会附着在冷却片上，以此对特殊气体内的杂质进行回收，而气体部分自内胆下方的排气口22排出。
[0029]需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0030]以上所述的本技术实施方式，并不构成对本技术保护范围的限定。任何在本技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的权利要求保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备扩散炉用冷阱，包括冷却筒(1)，内胆(2)，内冷却组件，和连接组件；其特征在于，所述冷却筒(1)，内胆(2)和内冷却组件依次由外至内共轴套设，通过顶部连接组件固定；连接组件，包括第二连接法兰(6)和内胆顶部的第一连接法兰(23)；所述冷却筒(1)上设置有进气口槽部(11)与设置在内胆(2)侧壁的进气口(21)配合；内胆(2)底部还设置有出气口(22)；内冷却组件，包括内冷却管(3)，冷却片(4)和冷却架(5)；冷却架(5)轴向设置；冷却架(5)顶部轴向设置有内冷却管(3)；内冷却管(3)贯穿冷却架(5)正上方的第二连接法兰(6)设置；所述冷却片(4)设置有多个，沿轴向水平设置在冷却架(5)上。2.根据权利要求1所述的半导体设备扩散炉用冷阱，其特征在于：所述进气口槽部(11)设置在冷却筒(1)的顶部侧壁；为轴向向...

【专利技术属性】
技术研发人员：程宪良，
申请(专利权)人：无锡诺莱德智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：