ONO层表面光刻胶返工的改善方法技术

本发明专利技术提供一种ONO层表面光刻胶返工的改善方法，提供衬底，衬底上的第一、二区域均形成有叠层，叠层由自下而上依次叠加的第一氧化层、氮化层和第二氧化层组成，在第一区域中的第二氧化层上形成第一光刻胶层；去除需返工的第一光刻胶层，并保留第二氧化层；在第二氧化层上形成第二光刻胶层，之后通过光刻打开第二光刻胶层，使得第二区域上的第二氧化层裸露；刻蚀去除裸露的第二氧化层，使得其下方的氮化层裸露；去除剩余的第二光刻胶层，之后刻蚀去除第二区域中裸露的氮化层；刻蚀去除第一区域中的第一氧化层和第二区域中的第二氧化层。本发明专利技术降低返工时由于光刻胶粘附性问题而使得在特殊区域产生低良率问题，良率得到提升，可靠性得到保证。靠性得到保证。靠性得到保证。

【技术实现步骤摘要】
ONO层表面光刻胶返工的改善方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种ONO层表面光刻胶返工的改善方法。

技术介绍

[0002]随着市场对FLASH(闪存)存储器件集成度要求的不断提高，传统Flash器件数据存储的可靠性与器件的工作速度、功耗、尺寸等方面的矛盾日益凸现。SONOS存储器具有单元尺寸小、操作电压低、与CMOS工艺兼容等特点,SONOS(硅
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氧化物
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氮化物
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氧化物
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硅)技术的不断改进将推动半导体存储器向微型化、高性能、大容量、低成本等方向发展。
[0003]当前采取工艺流程是去除ONO(氧化层
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氮化层
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氧化层)上的顶端氧化层，之后在顶端氧化层上涂布上光刻胶并进行显影，SG(选择栅)区域光刻胶去除，保留CG(控制栅)区域的光刻胶，当机台出现宕机或者OVL(套刻精度)/CD(关键尺寸)发生一定偏移时，需要去除表面光刻胶进行返工，首先采用干法刻蚀去除掉大部分的光刻胶，之后采取湿法刻蚀把第一步中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ONO层表面光刻胶返工的改善方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上的第一、二区域均形成有叠层，所述叠层由自下而上依次叠加的第一氧化层、氮化层和第二氧化层组成，在所述第一区域中的所述第二氧化层上形成第一光刻胶层；步骤二、去除需返工的所述第一光刻胶层，并保留所述第二氧化层；步骤三、在所述第二氧化层上形成第二光刻胶层，之后通过光刻打开所述第二光刻胶层，使得所述第二区域上的所述第二氧化层裸露；步骤四、刻蚀去除裸露的所述第二氧化层，使得其下方的所述氮化层裸露；步骤五、去除剩余的所述第二光刻胶层，之后刻蚀去除所述第二区域中裸露的所述氮化层；步骤六、刻蚀去除所述第一区域中的第一氧化层和所述第二区域中的第二氧化层。2.根据权利要求1所述的ONO层表面光刻胶返工的改善方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的ONO层表面光刻胶返工的改善方法，其特征在于：步骤一中的所述第一、二区域分别为控制栅区域和选择栅区域。4.根据权利要求1所述的ONO层表面光刻胶返工的改善方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佳兴，刘政红，陈昊瑜，黄冠群，齐瑞生，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：