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本发明提供一种ONO层表面光刻胶返工的改善方法，提供衬底，衬底上的第一、二区域均形成有叠层，叠层由自下而上依次叠加的第一氧化层、氮化层和第二氧化层组成，在第一区域中的第二氧化层上形成第一光刻胶层；去除需返工的第一光刻胶层，并保留第二氧化层；...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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