半导体结构及其制备方法、存储器系统技术方案

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器系统。该半导体结构的制备方法包括：形成与电介质层的表面接触的缓冲层；在缓冲层远离电介质层的表面形成非晶硅层；以及通过激光退火工艺，将非晶硅层转化为多晶硅层；其中，电介质层材料的热膨胀系数α1和多晶硅层材料的热膨胀系数α2满足：|α1

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法、存储器系统


[0001]本申请涉及半导体
，更具体地，涉及半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制备工艺中，多晶硅薄膜可通过直接制备法或者间接制备法获得。直接制备法的工艺相对简单，但薄膜缺陷较多。间接制备法是指先在基底上沉积一层非晶硅(Amorphous Silicon)，再通过热处理工艺将非晶硅转化为多晶硅。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种半导体结构的制备方法，该半导体结构的制备方法包括：形成与电介质层的表面接触的缓冲层；在缓冲层远离电介质层的表面形成非晶硅层；以及通过激光退火工艺，将非晶硅层转化为多晶硅层；其中，电介质层材料的热膨胀系数α1和多晶硅层材料的热膨胀系数α2满足：|α1
‑
α2|≥2
×
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‑6/K。
[0004]在一些实施方式中，电介质层的材料包括以下至少之一：氧化硅、氧化铝、氮化硅。
[0005]在一些实施方式中，形成与电介质层的表面接触的缓冲层包括：在衬底的一侧依次形成缓冲层和叠层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：形成与电介质层的表面接触的缓冲层；在所述缓冲层远离所述电介质层的表面形成非晶硅层；以及通过激光退火工艺，将所述非晶硅层转化为多晶硅层；其中，所述电介质层材料的热膨胀系数α1和所述多晶硅层材料的热膨胀系数α2满足：|α1
‑
α2|≥2
×
10
‑6/K。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述电介质层的材料包括以下至少之一：氧化硅、氧化铝、氮化硅。3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，形成与电介质层的表面接触的缓冲层包括：在衬底的一侧依次形成所述缓冲层和叠层结构，所述叠层结构包括交替叠置的多个电介质层和多个牺牲层，所述叠层结构具有至少一个暴露所述电介质层的外表面，所暴露的电介质层的表面与所述缓冲层接触；在所述叠层结构远离所述衬底的一侧连接外围电路半导体结构；以及去除所述衬底，使得所述缓冲层暴露。4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，所述缓冲层的材料包括多晶硅，在衬底的一侧依次形成所述缓冲层和所述叠层结构包括：在所述衬底的一侧形成非晶硅缓冲层；以及通过高温炉退火工艺，将所述非晶硅缓冲层转化为多晶硅缓冲层；或者通过薄膜沉积工艺，在所述衬底的一侧形成多晶硅缓冲层。5.根据权利要求3所述的制备方法，其中，所述衬底包括切割道区域和功能区域，在衬底的一侧依次形成所述缓冲层和所述叠层结构的包括：在所述衬底的所述切割道区域和所述功能区域内形成所述缓冲层，并在形成有所述缓冲层的所述功能区域内形成所述叠层结构；其中，通过激光退火工艺，将所述非晶硅层转化为多晶硅层包括：将位于所述切割道区域和所述功能区域内的所述非晶硅层转化为所述多晶硅层。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄武根，伍术，肖亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：