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本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器系统。该半导体结构的制备方法包括：形成与电介质层的表面接触的缓冲层；在缓冲层远离电介质层的表面形成非晶硅层；以及通过激光退火工艺，将非晶硅层转化为多晶硅层；其中，电介质层材料的热膨胀系数α1和多...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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