半导体制造装置以及半导体制造方法制造方法及图纸

实施方式提供能够实现工艺的稳定化的半导体制造装置以及半导体制造方法。实施方式的半导体制造装置具有旋转部、喷嘴、第一电极、及第二电极。旋转部对具有外周部的基板进行保持，使基板旋转。喷嘴向基板的外周部供给抗蚀剂液。第一电极对从喷嘴排出的抗蚀剂液附加电荷。第二电极配置于与第一电极不同的位置，以使抗蚀剂液的至少一部分朝向基板的外周侧的方式使库仑力作用于抗蚀剂液。方式使库仑力作用于抗蚀剂液。方式使库仑力作用于抗蚀剂液。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置以及半导体制造方法
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2021－037784号(申请日：2021年3月9日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及半导体制造装置以及半导体制造方法。

技术介绍

[0004]在半导体制造工序中，已知有将抗蚀剂涂覆于基板的外周部的抗蚀剂涂覆方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术将要解决的技术问题在于，提供能够实现工艺的稳定化的半导体制造装置以及半导体制造方法。
[0006]实施方式的半导体制造装置具有旋转部、喷嘴、第一电极、第二电极。所述旋转部对具有外周部的基板进行保持，使所述基板旋转。所述喷嘴向所述基板的所述外周部供给抗蚀剂液。所述第一电极对从所述喷嘴排出的所述抗蚀剂液附加电荷。所述第二电极配置于与所述第一电极不同的位置，以使所述抗蚀剂液的至少一部分朝向所述基板的外周侧的方式使库仑力作用于所述抗蚀剂液。
附图说明
[0007]图1是表示第一实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置，具有：旋转部，对具有外周部的基板进行保持，使所述基板旋转；喷嘴，向所述基板的所述外周部供给抗蚀剂液；第一电极，对从所述喷嘴排出的所述抗蚀剂液附加电荷；以及第二电极，配置于与所述第一电极不同的位置，以使所述抗蚀剂液的至少一部分朝向所述基板的外周侧的方式，使库仑力作用于所述抗蚀剂液。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，所述第二电极位于所述基板的所述外周侧。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，所述第二电极具有将所述基板的外周包围的圆环形状。4.根据权利要求3所述的半导体制造装置，具备电极移动部，该电极移动部对所述基板的厚度方向上的所述第二电极的位置进行调整。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，在所述基板的厚度方向上，与所述基板的所述厚度方向的中心相比，所述第二电极被配置于供所述抗蚀剂液供给的所述基板的表面的附近。6.根据权利要求5所述的半导体制造装置，所述第二电极配置为，面向所述抗蚀剂液的排出路径，所述排出路径是从所述喷嘴排出而到达所述基板的所述外周部为止的路径，所述第二电极，在所述抗蚀剂液从所述喷嘴排出然后到达所述外周部之前，以作用于所述排出路径的入射角的方式，使所述库仑力作用于所述抗蚀剂液，所述排出路径的入射角是所述排出路径相对于所述基板的所述外周部的入射角。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体制造装置，具备静电偏转部，该静电...

【专利技术属性】
技术研发人员：水谷卓也，小峰信洋，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：