一种用于气体沉积工艺的自公转基座制造技术

本实用新型专利技术涉及GaN制备相关技术领域，且公开了一种用于气体沉积工艺的自公转基座，包括设备安装台和驱动机构，所述设备安装台的顶部安装有安装基座，安装基座的上方设置有自转基座，驱动机构的输出轴贯穿设备安装台和安装基座并与自转基座的底部相连接。该用于气体沉积工艺的自公转基座，使得设备达到自公转的目的，结构简单易于装配，内密封圈和外密封圈的设置，有效的避免工艺气体沉积时，通过沉积基座溢入自转基座的倾斜面凹槽内侧，保证工艺气体沉积的反应效率，啮合齿轮座与自转基座之间通过配合密封圈密封配合，有效的保证自转基座的倾斜面凹槽内结构之间配合的密封性，保证结构之间长期配合的稳定性。构之间长期配合的稳定性。构之间长期配合的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于气体沉积工艺的自公转基座


[0001]本技术涉及GaN制备相关
，具体为一种用于气体沉积工艺的自公转基座。

技术介绍

[0002]GaN是第三代宽禁带半导体的典型代表，已被广泛应用于半导体照明、微波功率器件和电力电子器件等方面，展现出巨大的应用前景。用于氮化镓生长的最理想衬底自然是氮化镓单晶材料，这样的同质外延(即外延层和衬底是同一种材料)可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。
[0003]GaN半导体材料的生长方法主要有金属有机物气相外延沉积法(MOCVD)、氢化物气相外延沉积法(HVPE)和气相反应(CAD)等方法。其中MOCVD是最常用的技术之一，具有晶体质量高、均匀性好、操作简单、容易控制等优点，HVPE法具有很高的生长速度，可达每小时几十甚至上百微米，十分适于生长厚膜GaN衬底，但由于生长速率快，外延薄膜容易产生裂纹，而且均匀性也有待提高。
[0004]采用气相外延反应的GaN制备方法，工艺气体在衬底基板上沉积，为保障GaN晶体的沉积质量，反应腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于气体沉积工艺的自公转基座，包括设备安装台和驱动机构，其特征在于：所述设备安装台的顶部安装有安装基座，安装基座的上方设置有自转基座，驱动机构的输出轴贯穿设备安装台和安装基座并与自转基座的底部相连接；所述自转基座的倾斜面凹槽内安装有与其内腔相适配的定位轴承座，定位轴承座的轴承内圈安装有公转基座，公转基座上设置有公转齿轮，公转基座与定位轴承座内侧壁配合部分夹设有外密封圈和内密封圈，公转基座的基座端面连接有衬底基座，衬底基座的表面连接有沉积衬底；所述安装基座上安装有与公转基座的公转齿轮相啮合的啮合齿轮座，所述自转基座的底部表面开设有与啮合齿轮座相配合的环形契合槽，啮合齿轮座的齿轮端在环形契合槽内与公转基座的公转齿轮相啮合。2.根据权利要求1所述的一种用于气体沉积工艺的自公转基座，其特征在于：所述驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海涛，山木晓，许彬，
申请(专利权)人：无锡吴越半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：