在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法和设备以及具有外延层的半导体晶片技术

本发明专利技术涉及一种方法，其包括将衬底晶片以所述衬底晶片的背面的边缘区域放置至基座的承载面上；通过以下方式用所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片装载所述沉积室：接触所述基座，并且将所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片从装载锁定室运输至所述沉积室中；在所述衬底晶片上沉积外延层；通过以下方式卸载所述沉积室：接触所述基座，并将所述基座和具有外延层的半导体晶片从所述沉积室运输至所述装载锁定室中，所述半导体晶片已在沉积所述外延层的过程中被生产并且位于所述基座上。述外延层的过程中被生产并且位于所述基座上。述外延层的过程中被生产并且位于所述基座上。

【技术实现步骤摘要】
在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法和设备以及具有外延层的半导体晶片
[0001]本申请是2016年11月24日递交的申请号为201680072872.6的中国专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法、用于生产具有外延层的半导体晶片的设备和具有外延层的半导体晶片。
[0003]通常通过汽相沉积(化学汽相沉积，CVD)生产具有外延层的半导体晶片。此类方法包括将衬底晶片放置于基座上并在高温下引导沉积气体通过沉积室。外延层生长在被沉积气体扫过的衬底晶片的表面上。所述表面通常是水平设置的衬底晶片的正面。除了包括被设计用于加工单个衬底晶片的沉积室之外，常规沉积系统还包括至少一个装载锁定室(load lock chamber)，在沉积外延层之前从所述装载锁定室将衬底晶片运输至所述沉积室中，并且在沉积外延层之后将具有外延层的半导体晶片运输至所述装载锁定室中，以允许其在此处冷却。使用计算机控制的运输工具方便地实现运输过程。此类沉积系统描述于例如EP 0 800 203 A2中。
[0004]US 2008/0 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法，其包括：将衬底晶片以所述衬底晶片的背面的边缘区域放置至在装载锁定室中的基座的放置区域上，所述基座被体现为环；通过以下方式用所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片装载所述沉积室：接触所述基座，并且将所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片从所述装载锁定室运输至所述沉积室中；在所述衬底晶片上沉积外延层以生产具有外延层的半导体晶片，同时用另外待涂覆的其他衬底晶片装载所述装载锁定室；通过以下方式卸载所述沉积室：接触所述基座，并将所述基座和位于所述基座上的所述具有外延层的半导体晶片用运输工具从所述沉积室运输至所述装载锁定室中；以及在所述装载锁定室中分离所述基座和所述具有外延层的半导体晶片，所述其他衬底和所述具有外延层的半导体晶片是存在于所述装载锁定室中仅有晶片；以及通过将所述其他衬底晶片放置于环上来开始新的沉积循环，其中装载锁定室包括用于通过从下方接触所述基座来升高和降低所述基座以及位于所述基座上的所述衬底晶片或所述具有外延层的半导体晶片的抬升元件，用于放置所述衬底晶片于其上的上保持夹具和用于放置所述具有外延层的半导体晶片于其上的下保持夹具，以及用于将所述具有外延层的半导体晶片抬离所述基座的抬升销。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：