【技术实现步骤摘要】
一种石墨盘治具
[0001]本技术涉及半导体生产设备
,具体涉及一种石墨盘治具。
技术介绍
[0002]MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、
Ⅵ
族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种
Ⅲ‑
V 主族、
Ⅱ‑Ⅵ
副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。当 MOCVD设备在外延制程过程中,一般是通过石墨盘作为承载外延片的载具,但是在生产过程中会产生大量的附着物附着在石墨盘的表面,该附着物为Ⅲ族元素的高纯金属有机化合物(MO源)和
Ⅴ
族元素的氢化物经过高温、低压反应产生的易燃、易爆、高温及高腐蚀性的固体颗粒。为了保证石墨盘再次利用时能够满足外延工艺的需求,需要清除掉附着在石墨盘表面的附着物,如若清除掉附着在石墨盘表面的附着物,将会影响新一轮外延片生长的温度及生长的均匀度,从而影响外延片的良率。石墨盘清除附着物的方法通常是石墨盘置于石墨盘治具内,经过真空高温烤炉烘烤,在真空高温中经过一系列的反应 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种石墨盘治具,其特征在于,所述石墨盘治具包括:烘烤架本体,所述烘烤架本体包两个间隔设置的固定板及设于两个所述固定板之间的承载架,所述承载架包括若干承载横梁,各所述承载横梁上在对应位置上都设有若干卡槽,以通过各所述承载横梁上的卡槽来卡放石墨盘,所述卡槽包括弧形部与所述弧形部连接的阶梯部,所述弧形部设于所述阶梯部开口的两侧,所述弧形部朝向所述石墨盘的圆心一侧,以用于导向所述石墨盘的取放。2.根据权利要求1所述的石墨盘治具,其特征在于,所述弧形部包括第一弧形部以及与所述第一弧形部相对的第二弧形部,以通过所述第一弧形部和所述第二弧形部围合于所述石墨盘的两侧。3.根据权利要求2所述的石墨盘治具,其特征在于,所述石墨盘包括第一石墨板以及与所述第一石墨板连接的第二石墨板,所述第一石墨板于远离所述第二石墨板的一侧被所述第一弧形部包围,所述第二石墨板于远离所述第一石墨板的一侧被所述第二弧形部包围。4.根据权利要求2所述的石墨盘治具,其特征在于,所述第一弧形部的宽度、所述第二弧形部的宽度及所述卡槽的突出部宽度的比值为1:1:2
‑
4。5.根据权利要求3所...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯宽,肖崇武,张铭信,陈铭胜,
申请(专利权)人:江西兆驰半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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