一种石墨基座制造技术

本发明专利技术公开了一种石墨基座，应用于MOCVD设备，涉及半导体技术领域，该石墨基座包括基座本体，及设于基座本体上的若干放置槽组，放置槽组包括多个放置槽，放置槽内设有凹坑，凹坑的深度由靠近放置槽的表面的一端逐渐向放置槽的内部递增，且每个凹坑的深度各不相同，其中，当MOCVD设备处于工作状态时，MOCVD设备内设有区域温度和MO源氛围浓度，凹坑的深度与区域温度和MO源氛围浓度对应设置，通过该设置，从而改善因区域温度分布不均匀、不同区域的MO源氛围浓度并入效率不一致，而导致外延片迎风面以及凹槽接触面处波长不均匀问题，该设置从整体上优化了LED外延片的均匀性。置从整体上优化了LED外延片的均匀性。置从整体上优化了LED外延片的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨基座


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体为一种石墨基座。

技术介绍

[0002]LED制作时，先在衬底上外延生长半导体晶体材料，形成LED外延片，目前外延生长都是在MOCVD(Metal
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Organic
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Chemical
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Vapor
‑
Deposition)，金属有机化合物化学气相沉淀)设备的反应室内进行，在设备内包括石墨基座，在石墨基座内设有多个间隔分布的的凹槽，衬底放置于凹槽内生长，每个凹槽可放置一片外延衬底。
[0003]近年来，LED发光二极管已形成稳定的产业链，为进一步的降低成本提升产能，LED外延生长使用衬底逐步从2英寸过渡至4英寸、6英寸，大尺寸衬底需保证好的片内均匀性以及片间均匀性，这对MOCVD外延生长的温度均匀性要求更高，MOCVD石墨基座是衬底与MOCVD加热器间的热传导媒介，因此，石墨基座的温度均匀性和稳定性对LED外延产业有至关重要的作用，目前，普遍采用垂直式MOCVD生长外延薄膜，即MO源从腔体上方以垂直于石墨基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨基座，应用于MOCVD设备，其特征在于，包括基座本体，及设于所述基座本体上的若干放置槽组，所述放置槽组包括多个放置槽，所述放置槽内设有凹坑，所述凹坑的深度由靠近所述放置槽的表面的一端逐渐向所述放置槽的内部递增，且每个所述凹坑的深度各不相同；其中，当所述MOCVD设备处于工作状态时，所述MOCVD设备内设有区域温度和MO源氛围浓度，所述凹坑的深度与所述区域温度和所述MO源氛围浓度对应设置。2.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于：所述区域温度包括第一区域和第二区域，所述MO源氛围浓度包括第一MO源和第二MO源，所述凹坑的深度包括第一深度和第二深度；其中，所述第一深度的深度值与所述第一区域的温度和所述第二MO源的浓度对应设置，所述第二深度的深度值与所述第二区域的温度和所述第一MO源的浓度对应设置。3.根据权利要求2所述的石墨基座，其特征在于：所述第一区域的温度高于所述第二区域的温度，所述第一MO源的浓度大于所述第二MO源的浓度，所述第一深度的深度值大于所述第二深度的深度值。4.根据权利要求3所述的石墨基座，其特征在于：若干所述放置槽组包括第一放置槽组，所述第一放置槽组中的多个所述放置槽沿着所述基座本体的边缘设置，所述凹坑...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯合林，谢志文，张铭信，陈铭胜，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：