一种外延基座以及外延设备制造技术

本申请公开了一种外延基座以及外延设备。所述外延基座包括基座主体，在所述基座主体的一端面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域，其中，所述第一区域设置有贯穿所述基座主体的多个孔洞结构。通过对不同区域的基座开孔面积进行加工，使第一区域和第二区域的最终开孔面积产生差异，进而使不同区域边界层厚度在基座上下气流压力不同时产生差异。不同时产生差异。不同时产生差异。

【技术实现步骤摘要】
一种外延基座以及外延设备


[0001]本申请涉及外延生长领域，具体而言涉及一种外延基座以及外延设备。

技术介绍

[0002]在外延生长工艺中，外延的周边一圈厚度不可避免的会受到晶圆周边晶向的影响，进而导致周边不同晶向处生长的外延厚度不同。所述现象直接导致了外延之后周边一圈局部平整度(Site Front Quotient Range,简称“SFQR”)存在固定差异。
[0003]因此，需要对目前的技术方案进行改进，以消除上述问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本申请提供了一种外延基座，所述外延基座包括基座主体，在所述基座主体的一端面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域，其中，所述第一区域设置有贯穿所述基座主体的多个孔洞结构。
[0005]可选地，所述基座主体呈圆柱形结构，所述凹槽结构呈圆柱形凹槽，所述凹槽外侧所述基座主体呈圆柱环结构。
[0006]可选地，在所述凹槽外侧的所述基座主体的圆周上圆心角为0
°...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延基座，其特征在于，所述外延基座包括基座主体，在所述基座主体的一端面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域，其中，所述第一区域设置有贯穿所述基座主体的多个孔洞结构。2.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述基座主体呈圆柱形结构，所述凹槽结构呈圆柱形凹槽，所述凹槽外侧所述基座主体呈圆柱环结构。3.根据权利要求2所述的外延基座，其特征在于，在所述凹槽外侧的所述基座主体的圆周上圆心角为0
°
～30
°
、60
°
～120
°
、150
°
～210
°
、240
°
～300
°
和330
°
～360
...

【专利技术属性】
技术研发人员：于源源，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：