一种外延基座以及外延设备制造技术

本申请公开了一种外延基座以及外延设备。所述外延基座包括基座主体，所述基座主体包括相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域；其中，所述第一区域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二区域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度，以使所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射。所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射，使晶圆基座周边温度分布产生不同来补偿因晶圆晶向造成的厚度差异，以达到最终生成出的外延层周边厚度波动减小，使外延层的厚度更加均一。更加均一。更加均一。

【技术实现步骤摘要】
一种外延基座以及外延设备


[0001]本申请涉及外延生长领域，具体而言涉及一种外延基座以及外延设备。

技术介绍

[0002]在外延生长工艺中，外延的周边一圈厚度不可避免的会受到晶圆周边晶向的影响，进而导致周边不同晶向处生长的外延厚度不同。所述现象直接导致了外延之后周边一圈局部平整度(Site Front Quotient Range,简称“SFQR”)存在固定差异。
[0003]因此，需要对目前的技术方案进行改进，以消除上述问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本申请提供了一种外延基座，所述外延基座包括基座主体，所述基座主体包括相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域；
[0005]其中，所述第一区域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二区域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度，以使所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射。r/>[0006]可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延基座，其特征在于，所述外延基座包括基座主体，所述基座主体包括相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域；其中，所述第一区域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二区域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度，以使所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射。2.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域的热辐射系数的范围为0.01～0.99。3.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，在所述凹槽外侧的所述基座主体的圆周上圆心角为0
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～30
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、60
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～120
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、150
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～210
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、240
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～300
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和33...

【专利技术属性】
技术研发人员：于源源，曹共柏，潘帅，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：