半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备制造技术

本申请公开一种半导体工艺设备中的基座与半导体工艺设备，能够提高外延片的合格率。半导体工艺设备中的基座用于承载晶圆，基座包含设置在基座中用于承载晶圆的承载槽，其中：承载槽中设置有支撑环，支撑环的外环边缘与承载槽的侧壁连接，支撑环的内环边缘与承载槽的底壁连接，支撑环通过环形支撑面支撑晶圆，且环形支撑面与承载槽的底壁具有第一预设夹角，支撑环将承载槽分隔为加热槽和调温腔；支撑环通过环形支撑面支撑晶圆时，晶圆与承载槽的底壁具有第一预设距离。壁具有第一预设距离。壁具有第一预设距离。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备


[0001]本申请涉及半导体生产领域，具体涉及半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]利用重掺晶圆制备硅外延片代替单晶抛光片是解决单晶抛光片表面原生缺陷及电阻率均匀性差等问题的首选，是发展金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor)，绝缘栅双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)以及超大规模集成电路等的最佳途径。
[0003]现有技术通常采用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)硅外延方法来制备硅外延片。CVD硅外延方法是将反应气体输送至反应腔室，通过加热等方式，使反应气体在晶圆表面发生化学反应生成硅单质，进而在晶圆表面形成一层硅单质薄膜的沉积方式。
[0004]请参阅图1，为现有技术中的CVD设备的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备中的基座，用于承载晶圆，其特征在于，所述基座包含设置在所述基座中用于承载所述晶圆的承载槽，其中：所述承载槽中设置有支撑环，所述支撑环的外环边缘与承载槽的侧壁连接，所述支撑环的内环边缘与承载槽的底壁连接，所述支撑环通过环形支撑面支撑所述晶圆，且所述环形支撑面与所述承载槽的底壁具有第一预设夹角，所述支撑环将所述承载槽分隔为加热槽和调温腔；所述支撑环通过所述环形支撑面支撑晶圆时，所述晶圆与所述加热槽的底壁具有第一预设距离。2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述调温腔内填充有调温材料，调温材料用于调节基座向晶圆传导的热量。3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述调温腔开设有流体入口和流体出口，所述流体入口与调温流体源连通，所述流体入口用于向调温腔通入调温流体，以调节所述基座向晶圆传导的热量。4.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述环形支撑面与所述承载槽的底壁的第一预设夹角大于或等于0.1
°
，且小于或等于10
°
，通过调整所述第一预设夹角的大小，以调整所述晶圆的上表面的外延层厚度。5.根据权利要求4所述的基座，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇婷，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：