一种基片台制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基片台，基片台包括内支撑和外环，内支撑与外环分体设置，内支撑装于外环的内孔中，内支撑的上端面低于外环的上端而在外环内形成放置槽，基片台还包括上托片，放置槽用于放置上托片，上托片上设有多个贯通孔，上托片放置在放置槽内后，上托片和内支撑在贯通孔处围成用于放置籽晶的生长槽；通过分体设置的外环和内支撑形成用于放置上托片的放置槽，使得外环和内支撑能够分别进行加工，内支撑的上端面不受外环的影响，从而能够对内支撑的上端面进行充分地抛光处理，使其与上托片接触的接触面较为光滑，避免存在接触间隙，增强了散热效果。增强了散热效果。增强了散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基片台


[0001]本技术涉及化学气相沉积法沉积金刚石
,尤其涉及MPCVD生产单晶金刚石,具体涉及用于单晶金刚石沉积生长的基片台。

技术介绍

[0002]单晶金刚石是一种优质的光学、电学、热力学材料。MPCVD法(微波等离子体化学气相法)制备单晶金刚石是目前应用广泛，沉积质量最为纯净的一种方法。在使用MPCVD设备生产单晶金刚石时，是将籽晶放置在基片台上，在等离子体的高温环境中，碳离子将会沉积到籽晶上，从而实现单晶金刚石的生长。
[0003]在MPCVD法制备单晶金刚石中，高功率生长条件将是未来的发展方向，而如何在高功率条件下解决基片台的散热问题从而降低籽晶的生长温度，同时不改变籽晶与等离子体球之间的距离是一个值得研究的方向。
[0004]在单晶金刚石生长过程中籽晶极易因为气流变化发生漂移，常用的解决方式是通过在一块钼片上开设具有一定深度的凹槽，使籽晶放置在凹槽内来限制籽晶位移，然而，凹槽内底面在加工时会有因表面刻槽带来的铣刀痕迹，表面不平，并且凹槽内底面很难抛光，这样在籽晶在放置后，会与凹槽底面存在缝隙，无法紧密贴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片台，其特征是，包括内支撑和外环(2)，内支撑与外环(2)分体设置，内支撑装于外环(2)的内孔中，内支撑的上端面低于外环(2)的上端而在外环(2)内形成放置槽，基片台还包括上托片(4)，放置槽用于放置上托片(4)，上托片(4)上设有多个贯通孔(41)，上托片(4)放置在放置槽内后，上托片(4)和内支撑在贯通孔(41)处围成用于放置籽晶的生长槽(5)。2.根据权利要求1所述的基片台，其特征是，内支撑包括底座(1)和衬片(3)，衬片(3)支撑在底座(1)上，衬片(3)的上端面构成所述内支撑的上端面，底座(1)的导热性优于衬片(3)的导热性。3.根据权利要求2所述的基片台，其特征是，底座(1)为铜底座。4.根据权利要求2所述的基片台，其特征是，底座(1)的外周面上设有挡止结构，挡止结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁振海，黎振坤，王蒙，张春林，常新磊，
申请(专利权)人：河南天璇半导体科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：