一种石墨盘组件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体材料生长设备技术领域，具体涉及一种石墨盘组件。本申请提供的石墨盘组件包括第一石墨盘以及至少一个第二石墨盘，第二石墨盘设置在第一石墨盘上，第二石墨盘上开设有用于放置半导体材料的第一容置槽，第一容置槽为圆弧状，第一石墨盘可传递热量至第二石墨盘，以加热第一容置槽中的半导体材料。本申请提供的一种石墨盘组件，当把半导体材料放到容置槽中时，半导体材料的中间部分会悬空设置，在加热过程中，随着半导体材料由于热胀冷缩变形为微凹状时，会逐渐与第一容置槽的弧形面相贴合，从而使半导体材料各个部分的受热更加均匀，进而提高生长出来的外延片的各个区域的波长一致性。的各个区域的波长一致性。的各个区域的波长一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨盘组件


[0001]本技术涉及半导体材料生长设备
，具体涉及一种石墨盘组件。

技术介绍

[0002]目前半导体行业中，外延工艺通常在金属有机化合物化学气相沉淀(英文：Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD)设备的石墨盘中生长，但在相关技术中，半导体材料在石墨盘中加热时，由于半导体的下表面更接近石墨盘，受热胀冷缩影响，半导体的下表面的扩张要大于上表面的扩张，另外加上外延层厚度的增加对基片上表面产生的拉应力，从而导致衬底基片呈微凹状态，如此便会导致半导体材料表面的各个区域的温度存在差异，所产出的外延片的各个区域的波长一致性有偏差。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种石墨盘组件，解决了现有技术中半导体材料表面的各个区域的温度存在差异，所产出的外延片的各个区域的波长一致性有偏差的技术问题。
[0004]本申请提供了一种石墨盘组件，用于半导体材料的外延生长，包括：
[0005]第一石墨盘；
[0006]至少一个第二石墨盘，设置在所述第一石墨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨盘组件，用于半导体材料的外延生长，其特征在于，包括：第一石墨盘；至少一个第二石墨盘，设置在所述第一石墨盘上，所述第二石墨盘上开设有用于放置所述半导体材料的第一容置槽，所述第一容置槽为圆弧状；其中，所述第一石墨盘可传递热量至所述第二石墨盘，以加热所述第一容置槽中的半导体材料。2.如权利要求1所述的石墨盘组件，其特征在于，所述第一容置槽的弧度为π/6rad
‑
π/3rad。3.如权利要求2所述的石墨盘组件，其特征在于，所述第一容置槽的弧度为π/4rad。4.如权利要求1所述的石墨盘组件，其特征在于，所述第二石墨盘靠近所述第一石墨盘的一侧开设有避热槽。5.如权利要求4所述的石墨盘组件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱旋，王虎，安海岩，
申请(专利权)人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：