一种改善外延片背面粗糙度的石墨盘及生产设备制造技术

本实用新型专利技术属于MOCVD外延片生产技术领域，尤其涉及一种改善外延片背面粗糙度的石墨盘及生产设备。改善外延片背面粗糙度的石墨盘包括石墨盘本体及至少一个用于放置外延片的凹槽结构，凹槽结构包括凹槽底面和凹槽侧壁，凹槽底面自外缘向中心凹陷，凹槽侧壁与凹槽底面的外缘连接，外延片的外缘与凹槽底面的外缘贴合。本实用新型专利技术修改了凹槽底面结构，将凹槽底面设置凹陷形结构，以使翘曲的外延片的外缘也能与凹槽底面的外缘贴合，反应气体不会从外延片与凹槽底面的边缘缝隙中进入外延片背面，解决了外延片背面边缘粗糙、粗糙度不均的现象，提高了生产良率。生产设备包括上述的石墨盘，能有效降低外延片的废品率，提高外延片的产量。产量。产量。

【技术实现步骤摘要】
一种改善外延片背面粗糙度的石墨盘及生产设备


[0001]本技术涉及MOCVD外延片生产
，尤其涉及一种改善外延片背面粗糙度的石墨盘及生产设备。

技术介绍

[0002]石墨盘作为晶体生长中的晶圆载体，通过加热丝黑体辐射加热石墨盘后，再由石墨盘加热传递至外延片处。目前，领域内现有石墨盘结构如图1所示，石墨盘上多开设有圆形平底凹槽，外延片100置于平底凹槽内，生长过程中，外延片100由于受热不均边缘处极易发生翘曲，外延片100翘曲时，反应气体会进入外延片100的背面引起衬底边缘粗糙度发生变化，外延片100会留下反应物痕迹，导致外延片100背面粗糙度不均匀，此异常会影响芯片工艺制程，进而影响芯片良率。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种改善外延片背面粗糙度的石墨盘及生产设备，以解决外延片背面边缘粗糙、粗糙度不均的问题。
[0004]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]一方面，提供了一种改善外延片背面粗糙度的石墨盘，包括石墨盘本体及至少一个用于放置外延片的凹槽结构，所述凹槽结构包括凹槽底面和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善外延片背面粗糙度的石墨盘，其特征在于，包括石墨盘本体(1)及至少一个用于放置外延片(100)的凹槽结构(2)，所述凹槽结构(2)包括凹槽底面(21)和凹槽侧壁(22)，所述凹槽底面(21)自外缘向中心凹陷，所述凹槽侧壁(22)与所述凹槽底面(21)的外缘连接，所述外延片(100)的外缘与所述凹槽底面(21)的外缘贴合。2.根据权利要求1所述的改善外延片背面粗糙度的石墨盘，其特征在于，所述凹槽结构(2)设置有多个，多个所述凹槽结构(2)间隔设置于一个所述石墨盘本体(1)上。3.根据权利要求1所述的改善外延片背面粗糙度的石墨盘，其特征在于，所述凹槽底面(21)自外缘向中心沿弧线形过渡凹陷。4.根据权利要求1所述的改善外延片背面粗糙度的石墨盘，其特征在于，所述凹槽结构(2)的径向尺寸D1的尺寸范围为140mm
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160mm。5.根据权利要求1所述的改善外延片背面粗糙度的石墨盘，其特征在于，所述凹槽底面(21)凹陷高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜虎，李善文，李辉杰，何志芳，赵忠华，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：