外延基座及外延设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种外延基座及外延设备，外延基座的第一面设置有用于装载晶圆的承载槽，承载槽的底壁包括第一接触部以及环绕第一接触部的第二接触部，第一接触部相对晶圆内凹于第二接触部，且第一接触部在执行外延工艺时与晶圆接触；第一接触部上设置有多个呈环状分布的第一凸点或第一凹坑，和/或，外延基座的第二面上设置有多个呈环状分布的第二凸点或第二凹坑。在本实用新型专利技术中，通过在外延基座的第一面设置第一凸点或第一凹坑，和/或在第二面设置第二凸点或第二凹坑，利用第一凸点及第二凹坑以提高晶圆对应区域的温度，或者利用第一凹坑及第二凸点以降低晶圆对应区域的温度，从而提高外延工艺时外延层的厚度及电阻率的均匀性。匀性。匀性。

Epitaxial base and epitaxial equipment

【技术实现步骤摘要】
外延基座及外延设备


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种外延基座及外延设备。

技术介绍

[0002]硅外延生长是半导体芯片制造中的一个重要工艺，它是在一定条件下，在单晶硅衬底上生长一层合乎要求的单晶层的方法，具体包括真空外延、气相外延、液相外延等，其中应用最广泛的是气相硅外延，其反应机理是在高温下使挥发性强的硅源，比如TCS(Trichlorosilane三氯硅烷)，与氢气发生反应或热解，生成的硅原子淀积在硅衬底上长成外延层。
[0003]其中，外延生长的厚度均匀性及电阻率均匀性是外延层的核心评价指标。现目前，业内主要通过优化气流(工艺气体)场分布及加热功率分布等方法予以改善外延层的厚度均匀性及电阻率均匀性。
[0004]但上述改善方法已接近极限，难以有明显提高以满足日益发展的半导体需求。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种外延基座及外延设备，以提高外延工艺时外延层的厚度均匀性及电阻率均匀性。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供一种外延基座，所述外延基座具有相对设置的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延基座，其特征在于，所述外延基座具有相对设置的第一面及第二面，所述外延基座的第一面设置有用于装载晶圆的承载槽，所述承载槽的底壁包括第一接触部以及环绕所述第一接触部的第二接触部，所述第二接触部用于承接所述晶圆，所述第一接触部相对所述晶圆内凹于所述第二接触部，且所述第一接触部在执行外延工艺时与所述晶圆接触；所述第一接触部上设置有多个呈环状分布的第一凸点或第一凹坑，和/或，所述外延基座的第二面且与所述第一接触部的相应区域上设置有多个呈环状分布的第二凸点或第二凹坑。2.如权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述外延基座包括基座主体以及位于所述基座主体上的遮挡部，所述遮挡部与所述基座主体的第一面围成所述承载槽，所述遮挡部在竖直方向的截面形状为矩形。3.如权利要求2所述的外延基座，其特征在于，所述第二接触部呈平面环状，且所述第二接触部与所述遮挡部的侧壁垂直。4.如权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述第一接触部呈凹球面状，所述第一接触部的最低点低于所述第二接触部的高度为100微米～200微米。5.如权利要求4所述的外延基座，其特征在于，所述第一凸点的凸出高度为20微米～8...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹共柏，潘帅，俞登永，张斌，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：