一种表面氧化方法技术

本发明专利技术是一种表面氧化方法，包括以下步骤：S1、将产品表面进行粗清理，将粗清理后产品吹干；S2、将粗清理后产品放置入真空腔中，真空腔中设置有隔离板，隔离板将真空腔分为溅射腔室与氧化腔室，对真空腔进行抽真空，真空腔中真空度范围为5pa

【技术实现步骤摘要】
一种表面氧化方法


[0001]本专利技术涉及产品
，特别涉及一种表面氧化方法。

技术介绍

[0002]传统的氧化处理过程中，常采用的是同步氧化，即溅射的同时在同一腔室完成氧化，由于温度等客观因素，造成溅射效率低，氧化品质受到影响，从而直接影响到产品的氧化效果，因此，需要将溅射与氧化分步进行才能解决上述技术缺陷。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术旨在提出一种表面氧化方法，以解决现有技术问题。
[0004]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种表面氧化方法，包括以下步骤：S1、将产品表面进行粗清理，将粗清理后的产品吹干；S2、将粗清理后产品放置入真空腔中，真空腔中设置有隔离板，隔离板将真空腔分为溅射腔室与氧化腔室，对真空腔进行抽真空，真空腔中真空度范围为5pa
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0.05pa；S3、向溅射腔室内通入惰性气体，通入惰性气体速度范围为10
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5000sccm，向氧化腔室中通入活性气体及惰性气体，通入气体的速度范围为10
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5000sccm，向石墨电极通入恒温冷却水，高速旋转装有基片的笼架，同时旋转圆柱靶材，磁场面向基材，通过绝缘电极将电源负高压连接到石墨电极上；S4、对溅射腔室中靶材与氧化腔室中石墨靶材分别通电，通电电压范围为200
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5000v；S5、将溅射完成的产品从溅射腔室转动到氧化腔室中完成氧化，转动速度范围为5
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200q/min；S6、使用镊子将产品取出，并放置入收纳盒中。
[0005]优选的，所述步骤S1中产品表面粗清理为将产品放入NMP溶液中进行脱胶以去除产品表面上的胶质物体。
[0006]优选的，所述步骤S2中在真空腔中设置有转动架，所述转动架带动产品从溅射腔室转动至氧化腔室。
[0007]优选的，所述步骤S3中惰性气体为氦、氖、氩、氪、氙、氡气体中的任意一种。
[0008]优选的，所述步骤S5中活性气体为氧气。
[0009]相对于现有技术，本专利技术所述的一种表面氧化方法具有以下优势：采用石墨电极作为氧化靶源，对惰性气体与活性气体进行电离生成氧离子、氧化合物，产品在高速旋转前提下，先溅射后氧化实施；分步对产品表面进行后氧化处理，可使溅射腔室溅射后的产品表面在氧化过程中的氧化率达到99.9%。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下文中将对本专利技术实施例的附图进行简单介绍。其中，附图仅仅用于展示本专利技术的一些实施例，而非将本专利技术的全部实施例限制于此。
[0011]图1为本专利技术实施例四中产品清洗装置图；图2为本专利技术产品清洗过程中的物质分布状态图；图3为本专利技术电路板清洗系统的简图；图4为本专利技术清洗系统中离子分布区域的简图。
[0012]附图标记：1、主机体；2、腔体；3、真空泵组；4、隔离板；5、柔性接头；6、转动架；7、石墨电极；8、惰性气体箱；9、电磁阀；10、真空度检测器；11、高压电源；12、活性气体箱。
具体实施方式
[0013]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。
[0014]参见图1
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4：实施例一：一种表面氧化方法，包括以下步骤：S1、将产品表面进行粗清理，将粗清理后的产品吹干；S2、将粗清理后产品放置入真空腔中，真空腔中设置有隔离板，隔离板将真空腔分为溅射腔室与氧化腔室，对真空腔进行抽真空，真空腔中真空度范围为0.05pa；S3、向溅射腔室内通入惰性气体，通入惰性气体速度范围为10sccm，向氧化腔室中通入活性气体及惰性气体，通入气体的速度范围为10sccm，向石墨电极通入恒温冷却水，高速旋转装有基片的笼架，同时旋转圆柱靶材，磁场面向基材通过绝缘电极，将电源负高压连接到石墨电极上；S4、对溅射腔室中靶材与氧化腔室中石墨靶材分别通电，通电电压范围为5000v；S5、将溅射完成的产品从溅射腔室转动到氧化腔室中完成氧化，转动速度范围为200q/min；S6、使用镊子将产品取出，并放置入收纳盒中。
[0015]实施例二：在实施例一的基础上，对实施例一表面氧化方法进行进一步优化：一种表面氧化方法，包括以下步骤：S1、将产品表面进行粗清理，将粗清理后的产品吹干；S2、将粗清理后产品放置入真空腔中，真空腔中设置有隔离板，隔离板将真空腔分为溅射腔室与氧化腔室，对真空腔进行抽真空，真空腔中真空度范围为0.1pa；S3、向溅射腔室内通入惰性气体，通入惰性气体速度范围为200sccm，向氧化腔室中通入活性气体及惰性气体，通入气体的速度范围为200sccm，向石墨电极通入恒温冷却水，高速旋转装有基片的笼架，同时旋转圆柱靶材，磁场面向基材通过绝缘电极，将电源负高压连接到石墨电极上；
S4、对溅射腔室中靶材与氧化腔室中石墨靶材分别通电，通电电压范围为2500v；S5、将溅射完成的产品从溅射腔室转动到氧化腔室中完成氧化，转动速度范围为150q/min；S6、使用镊子将产品取出，并放置入收纳盒中。
[0016]实施例三：在实施例一的基础上，对实施例一表面氧化方法进行进一步优化：一种表面氧化方法，包括以下步骤：S1、将产品表面进行粗清理，将粗清理后的产品吹干；S2、将粗清理后产品放置入真空腔中，真空腔中设置有隔离板，隔离板将真空腔分为溅射腔室与氧化腔室，对真空腔进行抽真空，真空腔中真空度范围为1pa；S3、向溅射腔室内通入惰性气体，通入惰性气体速度范围为2000sccm，向氧化腔室中通入活性气体及惰性气体，通入气体的速度范围为2000sccm，向石墨电极通入恒温冷却水，高速旋转装有基片的笼架，同时旋转圆柱靶材，磁场面向基材通过绝缘电极，将电源负高压连接到石墨电极上；S4、对溅射腔室中靶材与氧化腔室中石墨靶材分别通电，通电电压范围为1000v；S5、将溅射完成的产品从溅射腔室转动到氧化腔室中完成氧化，转动速度范围为100q/min；S6、使用镊子将产品取出，并放置入收纳盒中。
[0017]实施例四：在实施例一的基础上，对实施例一表面氧化方法进行进一步优化：一种表面氧化方法，包括以下步骤：S1、将产品表面进行粗清理，将粗清理后的产品吹干；S2、将粗清理后产品放置入真空腔中，真空腔中设置有隔离板，隔离板将真空腔分为溅射腔室与氧化腔室，对真空腔进行抽真空，真空腔中真空度范围为5pa；S3、向溅射腔室内通入惰性气体，通入惰性气体速度范围为5000sccm，向氧化腔室中通入活性气体及惰性气体，通入气体的速度范围为5000sccm，向石墨电极通入恒温冷却水，高速旋转装有基片的笼架，同时旋转圆柱靶材，磁场面向基材通过绝缘电极，将电源负高压连接到石墨电极上；S4、对溅射腔室中靶材与氧化腔室中石墨靶材分别通电，通电电压范围为200v；S5、将溅射完成的产品从溅射腔室转动到氧化腔室中完成氧化，转动速度范围为50q/min；S6、使用镊子将产品取出，并放置入收纳盒中。
[0018]所述隔离板4将真空腔分为溅射腔室与氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面氧化方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将产品表面进行粗清理，将粗清理后的产品吹干；S2、将粗清理后产品放置入真空腔中，真空腔中设置有隔离板，隔离板将真空腔分为溅射腔室与氧化腔室，对真空腔进行抽真空，真空腔中真空度范围为5pa
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0.05pa；S3、向溅射腔室内通入惰性气体，通入惰性气体速度范围为10
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5000sccm，向氧化腔室中通入活性气体及惰性气体，通入气体的速度范围为10
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5000sccm，向石墨电极通入恒温冷却水，高速旋转装有基片的笼架，同时旋转圆柱靶材，磁场面向基材，通过绝缘电极将电源负高压连接到石墨电极上；S4...

【专利技术属性】
技术研发人员：高佳，
申请(专利权)人：东莞市峰谷纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：