塑胶溅射镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术公开了塑胶溅射镀膜设备，包括结构主体，所述结构主体包括送料装置与溅射镀膜装置，所述溅射镀膜装置包括周转室、第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室，所述周转室设于溅射镀膜装置的中间，所述第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室依次围绕周转室而设置，所述第一溅射室的外部设有低压溅射机构，所述第二溅射室的外部设有第一磁控溅射机构、第二磁控溅射机构以及第三磁控溅射机构，所述第三溅射室的外部设有第四磁控溅射机构、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射机构，所述第四溅射室的外部设有第一RF离子源清洗机构、第六磁控溅射机构以及第七磁控溅射机构。及第七磁控溅射机构。及第七磁控溅射机构。

【技术实现步骤摘要】
塑胶溅射镀膜设备


[0001]本技术涉及溅射镀膜
，具体为塑胶溅射镀膜设备。

技术介绍

[0002]磁控溅射为工业镀膜中广泛使用的工艺，其主要通过磁控溅射镀膜设备对基材进行镀膜，磁控溅射镀膜设备通过靶材对基材进行镀膜，然而现有的溅射镀膜设备自动化程度较低，进而导致玻璃镀膜的效率较低，无法满足生产需求。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术方案的不足，本技术提供塑胶溅射镀膜设备。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：塑胶溅射镀膜设备，包括结构主体，所述结构主体包括送料装置与溅射镀膜装置，所述溅射镀膜装置包括周转室、第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室，所述周转室设于溅射镀膜装置的中间，所述第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室依次围绕周转室而设置；
[0005]所述第一溅射室的外部设有低压溅射机构；
[0006]所述第二溅射室的外部设有第一磁控溅射机构、第二磁控溅射机构以及第三磁控溅射机构；
[0007]所述第三溅射室的外部设有第四磁控溅射机构、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射机构；
[0008]所述第四溅射室的外部设有第一RF离子源清洗机构、第六磁控溅射机构以及第七磁控溅射机构；
[0009]工件通过送料装置依次经过第一溅射室、周转室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室，其中工件至少四次回归周转室，并且工件每经过一道工序均进行抽高真空处理。
[0010]特别的，所述送料装置包括入料轨道、第一周转组件、对接轨道以及送料轨道，所述第一周转组件设于送料装置的中间，所述入料轨道、对接轨道以及送料轨道依次围绕第一周转组件设置，所述入料轨道设于第一周转组件的右侧，所述对接轨道设于第一周转组件的后侧，所述送料轨道设于第一周转组件的左侧。
[0011]特别的，所述第一溅射室的内部安装有加热组件、第一工件旋转机构、第一抽真空机构及第二抽真空机构；
[0012]所述第二溅射室的内部安装有第三抽真空机构；
[0013]所述第三溅射室的内部安装有第二工件旋转机构、第四抽真空机构、第五抽真空机构以及充气ICP辅助溅射机构；
[0014]所述第四溅射室的内部安装有第三工件旋转机构以及第六抽真空机构；
[0015]并且，第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室及第四溅射室内安装有充气溅射机构。
[0016]所述周转室的内部安装有第七抽真空机构以及第二周转组件。
[0017]特别的，所述低压溅射机构设于第一溅射室的右侧；
[0018]所述第一磁控溅射机构及第三磁控溅射机构对称设置于第二溅射室的前侧与后侧，且第二磁控溅射机构设于第二溅射室的右侧；
[0019]所述第四磁控溅射机构及第五磁控溅射机构对称设置于第三溅射室的右侧与左侧，且电感耦合等离子光谱发生仪设于第三溅射室的后侧；
[0020]所述第一RF离子源清洗机构设于第四溅射室的后侧，所述第六磁控溅射机构设于第四溅射室的左侧，所述第七磁控溅射机构设于第四溅射室的前侧。
[0021]特别的，所述第一溅射室设于周转室的前侧，所述第二溅射室设于周转室的右侧，所述第三溅射室设于周转室的后侧，所述第四溅射室设于周转室的左侧。
[0022]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0023]工件放置在入料轨道上，通过第一周转组件从对接轨道进入到第一溅射室内进行AF镀膜，工件于第一溅射室内部以旋转的方式加热、抽低真空、抽高真空及充气溅射处理，然后，工件从第一溅射室进入到周转室内，工件经过周转室内进行抽真空处理，下一步经过第二溅射室，第二溅射室内进行抽高真空及充气溅射处理，下一步回到周转室，下一步经过第三溅射室内进行抽高真空及充气ICP辅助溅射处理，下一步回到周转室，最后回到第一溅射室出料。
附图说明
[0024]图1为本技术的整体结构示意图；
[0025]图2为本技术的俯视结构示意图；
[0026]图3为本技术的送料装置结构示意图；
[0027]图4为本技术的溅射镀膜装置内部结构示意图；
[0028]图5为本技术的溅射镀膜工艺流程示意图。
[0029]图中标号:
[0030]1、送料装置；2、溅射镀膜装置；3、周转室；4、第一溅射室；5、第二溅射室；6、第三溅射室；7、第四溅射室；8、低压溅射机构；9、第一磁控溅射机构；10、第二磁控溅射机构；11、第三磁控溅射机构；12、第四磁控溅射机构；13、电感耦合等离子光谱发生仪；14、第五磁控溅射机构；15、第一RF离子源清洗机构；16、第六磁控溅射机构；17、第七磁控溅射机构；18、入料轨道；19、第一周转组件；20、对接轨道；21、送料轨道。
具体实施方式
[0031]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]如图1
‑
4所示，本技术提供了塑胶溅射镀膜设备，包括结构主体，所述结构主体包括送料装置1与溅射镀膜装置2，所述溅射镀膜装置2包括周转室 3、第一溅射室4、第二溅射室5、第三溅射室6以及第四溅射室7，所述周转室 3设于溅射镀膜装置2的中间，所述第一溅射室4、第二溅射室5、第三溅射室 6以及第四溅射室7依次围绕周转室3而设置；
[0033]所述第一溅射室4的外部设有低压溅射机构8；
[0034]所述第二溅射室5的外部设有第一磁控溅射机构9、第二磁控溅射机构10 以及第三磁控溅射机构11；
[0035]所述第三溅射室6的外部设有第四磁控溅射机构12、电感耦合等离子光谱发生仪13以及第五磁控溅射机构14；
[0036]所述第四溅射室7的外部设有第一RF离子源清洗机构15、第六磁控溅射机构16以及第七磁控溅射机构17；
[0037]工件通过送料装置1依次经过第一溅射室4、周转室3、第二溅射室5、第三溅射室6以及第四溅射室7，其中工件至少四次回归周转室3，并且工件每经过一道工序均进行抽高真空处理，工件于第一溅射室4内部以旋转的方式加热、抽低真空、抽高真空及充气溅射处理，然后，工件从第一溅射室4进入到周转室3内，工件经过周转室3内进行抽真空处理，下一步经过第二溅射室5，第二溅射室5内进行抽高真空及充气溅射处理，下一步回到周转室3，下一步经过第三溅射室6内进行抽高真空及充气ICP辅助溅射处理，下一步回到周转室3，最后回到第一溅射室4出料。
[0038]进一步说明的是，所述送料装置1包括入料轨道18、第一周转组件19、对接轨道20以及送料轨道21，所述第一周转组件19设于送料装置1的中间，所述入料轨道18、对接轨道20以及送料轨道21依次围绕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.塑胶溅射镀膜设备，其特征在于，包括结构主体，所述结构主体包括送料装置与溅射镀膜装置，所述溅射镀膜装置包括周转室、第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室，所述周转室设于溅射镀膜装置的中间，所述第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室依次围绕周转室而设置；所述第一溅射室的外部设有低压溅射机构；所述第二溅射室的外部设有第一磁控溅射机构、第二磁控溅射机构以及第三磁控溅射机构；所述第三溅射室的外部设有第四磁控溅射机构、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射机构；所述第四溅射室的外部设有第一RF离子源清洗机构、第六磁控溅射机构以及第七磁控溅射机构。2.根据权利要求1所述的塑胶溅射镀膜设备，其特征在于，所述送料装置包括入料轨道、第一周转组件、对接轨道以及送料轨道，所述第一周转组件设于送料装置的中间，所述入料轨道、对接轨道以及送料轨道依次围绕第一周转组件设置，所述入料轨道设于第一周转组件的右侧，所述对接轨道设于第一周转组件的后侧，所述送料轨道设于第一周转组件的左侧。3.根据权利要求1所述的塑胶溅射镀膜设备，其特征在于，所述第一溅射室的内部安装有加热组件、第一工件旋转机构、第一抽真空机...

【专利技术属性】
技术研发人员：高佳，
申请(专利权)人：东莞市峰谷纳米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：