显示面板、显示装置及显示面板的制作方法制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。显示面板包括依次设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、薄膜晶体管层和阳极层，薄膜晶体管层与遮光层电连接，薄膜晶体管层包括控制区和像素区，薄膜晶体管层对应像素区的位置开设有第一开口，阳极层则至少部分位于第一开口底部，且位于缓冲层背离衬底基板的一侧，阳极层与遮光层电连接。本申请将衬底基板和缓冲层共同作为平坦化层，由于缓冲层自身表面的粗糙度小且平整性好，通过将阳极层至少部分设置在第一开口内且位于缓冲层背离衬底基板的一侧，有助于提高该部分阳极层的平坦度，从而有利于提高制作在该部分阳极层上的后续膜层的厚度均一性，进而改善显示面板的显示均一性。示均一性。示均一性。

【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示装置及显示面板的制作方法


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

技术介绍

[0002]现有显示面板在制作过程中，通常采用在阵列基板上制作平坦化层以对阵列基板表面进行平坦化处理，然后在平坦化层上形成阳极层和发光层。但是现有技术中的平坦化层自身表面的粗糙度较大，使得在其表面沉积而成的阳极层的平整度较差，从而影响发光层的厚度均匀性，最终导致显示面板整体显示不均。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，可以解决现有显示面板因阳极层平整度较差导致显示不均的问题。
[0004]本申请实施例提供一种显示面板，包括：
[0005]衬底基板；
[0006]遮光层，设置在所述衬底基板上；
[0007]缓冲层，设置在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧；
[0008]薄膜晶体管层，设置在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管层与所述遮光层电连接；所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区，所述薄膜晶体管层对应所述像素区的位置开设有第一开口；
[0009]阳极层，至少部分位于所述第一开口底部，所述阳极层位于所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧，所述阳极层与所述遮光层电连接。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一开口露出部分所述缓冲层，所述阳极层设置在所述第一开口露出的缓冲层上。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括沿远离所述缓冲层的方向依次设置的有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源漏极层；所述第一开口露出部分所述有源层，所述阳极层设置在所述第一开口露出的有源层上。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述缓冲层上开设有第二开口，所述第二开口露出部分所述遮光层，所述第一开口露出的有源层上对应所述第二开口的位置开设有第三开口，所述阳极层通过所述第二开口和所述第三开口与所述遮光层电连接。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板包括钝化层，所述钝化层设置在所述源漏极层上，所述钝化层上对应所述第一开口的位置开设有第四开口，所述阳极层沿所述第一开口和所述第四开口的侧壁延伸至所述钝化层背离所述衬底基板的一侧；所述源漏极层包括源极，所述源极与所述遮光层电连接，所述钝化层上对应所述源极的位置开设有第五开口，所述阳极层通过所述第五开口与所述源极电连接。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括像素定义层和发光层，所述像素定义层位于所述薄膜晶体管层背离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层上对应所
述像素区的位置开设有像素开口，所述像素开口露出部分所述阳极层；所述发光层位于所述像素开口露出的阳极层上。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述缓冲层的材质包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种；所述缓冲层的厚度大于或等于50nm且小于或等于10000nm。
[0016]相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任一项所述的显示面板。
[0017]相应的，本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，所述方法包括：
[0018]提供一衬底基板；
[0019]在所述衬底基板上形成遮光层；
[0020]在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧形成缓冲层；
[0021]在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区，并在所述薄膜晶体管层上对应所述像素区的位置形成第一开口；所述薄膜晶体管层与所述遮光层电连接；
[0022]在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成阳极层，使所述阳极层至少部分位于所述第一开口底部，并使所述阳极层与所述遮光层电连接。
[0023]可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区，并在所述薄膜晶体管层对应所述像素区的位置形成第一开口，包括：
[0024]在所述缓冲层上依次形成有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源漏极层，以构成薄膜晶体管层；所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区；
[0025]在所述第二绝缘层上对应所述像素区的位置形成第一开口，使所述第一开口露出部分所述有源层。
[0026]本申请实施例中显示面板包括依次设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、薄膜晶体管层和阳极层，其中，薄膜晶体管层与遮光层电连接，薄膜晶体管层包括控制区和像素区，薄膜晶体管层对应像素区的位置开设有第一开口，阳极层则至少部分位于第一开口底部，且阳极层位于缓冲层背离衬底基板的一侧，阳极层与遮光层电连接。本申请将衬底基板和缓冲层共同作为平坦化层，由于缓冲层自身表面的粗糙度小且平整性好，通过将阳极层至少部分设置在第一开口底部且位于缓冲层背离衬底基板的一侧，有助于提高该部分阳极层的平坦度，从而有利于提高制作在该部分阳极层上的后续膜层的厚度均一性，进而改善显示面板的显示均一性。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0029]图2是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
[0030]图3是本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图
[0031]图4是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
[0032]图5是本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图；
[0033]图6是本申请实施例提供的图5中步骤S400的结构示意图；
[0034]图7是本申请实施例提供的图5中步骤S500的结构示意图。
[0035]附图标记说明：
[0036]具体实施方式
[0037]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0038]本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。以下分别进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
[0039]首先，本申请实施例提供一种显示面板，如图1至图3所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板；遮光层，设置在所述衬底基板上；缓冲层，设置在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧；薄膜晶体管层，设置在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管层与所述遮光层电连接；所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区，所述薄膜晶体管层对应所述像素区的位置开设有第一开口；阳极层，至少部分位于所述第一开口底部，所述阳极层位于所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧，所述阳极层与所述遮光层电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口露出部分所述缓冲层，所述阳极层设置在所述第一开口露出的缓冲层上。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括沿远离所述缓冲层的方向依次设置的有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源漏极层；所述第一开口露出部分所述有源层，所述阳极层设置在所述第一开口露出的有源层上。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层上开设有第二开口，所述第二开口露出部分所述遮光层，所述第一开口露出的有源层上对应所述第二开口的位置开设有第三开口，所述阳极层通过所述第二开口和所述第三开口与所述遮光层电连接。5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括钝化层，所述钝化层设置在所述源漏极层上，所述钝化层上对应所述第一开口的位置开设有第四开口，所述阳极层沿所述第一开口和所述第四开口的侧壁延伸至所述钝化层背离所述衬底基板的一侧；所述源漏极层包括源极，所述源极与所述遮光层电连接，所述钝化层上对应所述源极的位置开设有第五开口，所述阳极层通过所述第五开口与所述源极电连接。6.根据权利要求1所述的显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：周黎斌，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：