一种离子注入机用分离装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种离子注入机用分离装置包括：安装在所述分离装置内的控制组件；电连接所述控制组件的电压采集组件；电连接所述控制组件的电压保护组件；电连接所述电压保护组件的触发组件；所述控制组件包括第一控制单元，连接所述第一控制单元的第二控制单元，连接所述第二控制单元的第三控制单元；本实用新型专利技术通过三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4组成三路控制，当端子排J1的1号引脚有输出电压时，此时三极管Q3导通，当端子排J1的2号引脚有输出电压时，此时三极管Q4导通，依次递进的传输，再根据电阻器的阻值设定，对电极进行依次增加，使各电极为离子进行加速，在总电压的叠加下加速离子运行，进而进行分离操作。进而进行分离操作。进而进行分离操作。

【技术实现步骤摘要】
一种离子注入机用分离装置


[0001]本技术涉及一种分离控制装置，具体是一种离子注入机用分离装置。

技术介绍

[0002]离子注入机是高压小型加速器中的一种，应用数量最多，它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜。
[0003]离子注入机由5部分组成：离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔，其中，加速管要使离子能够获得更大的能量，正离子从质量分析器出来后还要通过加速管的高压得到所需要的速度；
[0004]而加速管是由一系列介质隔离的电极组成，因此需要保证电极的稳定，才能确保离子快速分离，以及电压的依次增加。

技术实现思路

[0005]技术目的：提供一种离子注入机用分离装置，以解决现有技术存在的上述问题。
[0006]技术方案：一种离子注入机用分离装置，包括：
[0007]安装在所述分离装置内的控制组件；
[0008]电连接所述控制组件的电压采集组件；
[0009]电连接所述控制组件的电压保护组件；
[0010]电连接所述电压保护组件的触发组件；
[0011]所述控制组件包括第一控制单元，连接所述第一控制单元的第二控制单元，连接所述第二控制单元的第三控制单元；
[0012]所述第一控制单元包括电阻R3、三极管Q2、二极管D3、电阻器TR1、电阻R4、电阻R5和电容C3，其中，所述电阻R3一端与电源V1供电端连接；所述电阻R3另一端与三极管Q2基极端连接；所述三极管Q2集电极端分别与二极管D3正极端和电容C1一端连接；所述三极管Q2发射极端与电阻R4一端连接；所述电阻R4另一端分别与电容C3另一端和地线GND连接；所述二极管D3负极端与电阻器TR1的2号引脚连接；所述电阻器TR1的3号引脚和1号引脚与电阻R5一端连接；所述电阻R5另一端与端子排J1的1号引脚连接。
[0013]在进一步实施例中，所述第二控制单元包括三极管Q3、二极管D4、电阻器TR2和电阻R6，其中，所述三极管Q3发射极端与三极管Q2发射极端连接；所述三极管Q3基极端与电阻R5另一端连接；所述三极管Q3集电极端与二极管D4正极端连接；所述二极管D4负极端与电阻器TR2的2号引脚连接；所述电阻器TR2的1号引脚和3号引脚与电阻R6一端连接；所述电阻R6另一端与端子排J1的2号引脚连接。
[0014]在进一步实施例中，所述第三控制单元包括三极管Q4、二极管D5、电阻器TR6和电阻R7，其中，所述三极管Q4发射极端与三极管Q2发射极端连接；所述三极管Q4基极端与电阻
R6另一端连接；所述三极管Q4集电极端与二极管D5正极端连接；所述二极管D5负极端与电阻器TR3的2号引脚连接；所述电阻器TR3的1号引脚和3号引脚与电阻R7一端连接；所述电阻R7另一端与端子排J1的3号引脚连接。
[0015]在进一步实施例中，所述电压采集组件包括二极管D6、二极管D7、二极管D8和电压采集点V2，其中，所述二极管D6正极端与电阻R5另一端连接；所述二极管D6负极端与电压采集点V2的2号引脚连接；所述二极管D7正极端与电阻R6另一端连接；所述二极管D7负极端与电压采集点V2的3号引脚连接；所述二极管D8正极端与电阻R7另一端连接；所述二极管D8负极端与电压采集点V2的1号引脚连接。
[0016]在进一步实施例中，所述电压保护组件包括电容C1、电阻R1、二极管D1、电压比较器U1、电容C3、电阻R2和二极管D2，其中，所述二极管D2负极端与二极管D3正极端连接；所述二极管D2负极端分别与电阻R2一端、电压比较器U1的1号引脚和电容C2一端连接；所述电容C2另一端分别与电压比较器U1的2号引脚和二极管D1正极端连接；所述二极管D1负极端分别与电阻R2另一端、电压比较器U1的3号引脚、电阻R1一端和电容C1一端连接；所述电阻R1另一端与电压比较器U1的5号引脚连接；所述电容C1另一端分别与电压比较器U1的4号引脚和地线GND连接。
[0017]在进一步实施例中，所述触发组件包括电感L1和晶体管Q1，其中，所述电感L1一端与二极管D1负极端连接；所述电感L1另一端与晶体管Q1的2号引脚连接；所述晶体管Q1的1号引脚与电源V1触发端连接；所述晶体管Q1的3号引脚与电阻R3一端连接。
[0018]在进一步实施例中，所述端子排J1根据引脚数量向隔离电极提供电压；所述电压采集点V2提供单一电路的输出电压值。
[0019]在进一步实施例中，所述三极管Q2型号为NPN；所述三极管Q3和所述三极管Q4型号均为PNP；所述电压比较器U1型号为LM393。
[0020]有益效果：本技术公开了一种离子注入机用分离装置，通过三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4组成三路控制，当端子排J1的1号引脚有输出电压时，此时三极管Q3导通，当端子排J1的2号引脚有输出电压时，此时三极管Q4导通，依次递进的传输，再根据电阻器的阻值设定，对电极进行依次增加，使各电极为离子进行加速，在总电压的叠加下加速离子运行，进而进行分离操作，另外，根据电压采集点V2对输出的电压进行采集，确保输出电压的准确，二极管D1和电压比较器U1对供电源进行检测，确保供电电源的安全。
附图说明
[0021]图1是本技术电路结构示意图。
具体实施方式
[0022]本技术通过一种离子注入机用分离装置，下面通过具体实施例进行对方案的具体描述。
[0023]一种离子注入机用分离装置，包括：
[0024]安装在所述分离装置内的控制组件；
[0025]所述控制组件包括第一控制单元，
[0026]所述第一控制单元包括电阻R3、三极管Q2、二极管D3、电阻器TR1、电阻R4、电阻R5
和电容C3。
[0027]所述第一控制单元中所述电阻R3一端与电源V1供电端连接；所述电阻R3另一端与三极管Q2基极端连接；所述三极管Q2集电极端分别与二极管D3正极端和电容C1一端连接；所述三极管Q2发射极端与电阻R4一端连接；所述电阻R4另一端分别与电容C3另一端和地线GND连接；所述二极管D3负极端与电阻器TR1的2号引脚连接；所述电阻器TR1的3号引脚和1号引脚与电阻R5一端连接；所述电阻R5另一端与端子排J1的1号引脚连接。
[0028]连接所述第一控制单元的第二控制单元，
[0029]所述第二控制单元包括三极管Q3、二极管D4、电阻器TR2和电阻R6。
[0030]所述第二控制单元中所述三极管Q3发射极端与三极管Q2发射极端连接；所述三极管Q3基极端与电阻R5另一端连接；所述三极管Q3集电极端与二极管D4正极端连接；所述二极管D4负极端与电阻器TR2的2号引脚连接；所述电阻器TR2的1号引脚和3号引脚与电阻R6一端连接；所述电阻R6另一端与端子排J1的2号引脚连接。
[0031]连接所述第二控制单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子注入机用分离装置，包括：安装在所述分离装置内的控制组件；电连接所述控制组件的电压采集组件；电连接所述控制组件的电压保护组件；电连接所述电压保护组件的触发组件；其特征在于，所述控制组件包括第一控制单元，连接所述第一控制单元的第二控制单元，连接所述第二控制单元的第三控制单元；所述第一控制单元包括电阻R3、三极管Q2、二极管D3、电阻器TR1、电阻R4、电阻R5和电容C3，其中，所述电阻R3一端与电源V1供电端连接；所述电阻R3另一端与三极管Q2基极端连接；所述三极管Q2集电极端分别与二极管D3正极端和电容C1一端连接；所述三极管Q2发射极端与电阻R4一端连接；所述电阻R4另一端分别与电容C3另一端和地线GND连接；所述二极管D3负极端与电阻器TR1的2号引脚连接；所述电阻器TR1的3号引脚和1号引脚与电阻R5一端连接；所述电阻R5另一端与端子排J1的1号引脚连接。2.根据权利要求1所述的一种离子注入机用分离装置，其特征是：所述第二控制单元包括三极管Q3、二极管D4、电阻器TR2和电阻R6，其中，所述三极管Q3发射极端与三极管Q2发射极端连接；所述三极管Q3基极端与电阻R5另一端连接；所述三极管Q3集电极端与二极管D4正极端连接；所述二极管D4负极端与电阻器TR2的2号引脚连接；所述电阻器TR2的1号引脚和3号引脚与电阻R6一端连接；所述电阻R6另一端与端子排J1的2号引脚连接。3.根据权利要求2所述的一种离子注入机用分离装置，其特征是：所述第三控制单元包括三极管Q4、二极管D5、电阻器TR6和电阻R7，其中，所述三极管Q4发射极端与三极管Q2发射极端连接；所述三极管Q4基极端与电阻R6另一端连接；所述三极管Q4集电极端与二极管D...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维，
申请(专利权)人：无锡凯世通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：