本发明专利技术公开了一种vdmos器件，包括壳体，所述壳体的内部设置有场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体的一端设置有针脚，所述针脚从所述壳体的内部穿过，所述壳体的内部设置有升降组件，所述升降组件与所述场效应晶体管本体相互卡接，所述升降组件的一侧固定连接有挡板，所述挡板分别位于所述场效应晶体管本体的两侧，所述壳体的内部设置有定位组件，所述定位组件与所述壳体固定连接。本发明专利技术通过定位块和定位槽的相互配合可以有效的对场效应晶体管本体进行固定，且在场效应晶体管本体整个安装过程中，工作人员需要将其插入壳体内部即可完成，大大提高了场效应晶体管本体的安装效率，满足了人们的使用需求。满足了人们的使用需求。满足了人们的使用需求。
【技术实现步骤摘要】
一种vdmos器件
[0001]本专利技术涉及vdmos领域，具体来说，涉及一种vdmos器件。
技术介绍
[0002]VDMOS是垂直双扩散金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属
‑
氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
[0003]公开号为CN215008197U的中国技术专利文件，公开了一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管，所述VDMOS管的顶部套接有屏蔽层，且屏蔽层的外壁固定连接有隔温层，所述屏蔽层两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽。该技术在使用时，隔温层与密封条为VDMOS管共同构建密闭的隔温环境，使VDMOS管的管体温度不受散热元件影响而降温，可以维持高水平的雪崩击穿电压，屏蔽层则保护VDMOS管不受外界电场干扰，多角度提升VDMOS管的使用寿命，自锁组件无需额外的加固步骤，可以伴随隔温层和屏蔽层的下压过程自动锁合卡槽，降低器件的装配成本。
[0004]但是上述技术存在以下不足之处：在对VDMOS管安装的过程中操作过于复杂，还需要工作人员手动按压隔温层和屏蔽层，不便于工作人员对整个VDMOS管的快速安装，且在VDMOS管安装后仅仅通过自锁组件进行固定，对VDMOS管的固定效果较差，同时在VDMOS管安装使用时并不能对其起到良好的减震散热作用，导致VDMOS管的使用寿命下降，不能满足人们的使用需求。因此，亟需一种vdmos器件来解决上述问题。
技术实现思路
[0005]针对相关技术中的问题，本专利技术提出一种vdmos器件，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
[0006]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0007]一种vdmos器件，包括壳体，所述壳体的内部设置有场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体的一端设置有针脚，所述针脚从所述壳体的内部穿过，所述壳体的内部设置有升降组件，所述升降组件与所述场效应晶体管本体相互卡接，所述升降组件的一侧固定连接有挡板，所述挡板分别位于所述场效应晶体管本体的两侧，所述壳体的内部设置有定位组件，所述定位组件与所述壳体固定连接，所述场效应晶体管本体的一侧外壁设置有减震组件，所述壳体的一侧外壁设置有散热组件，所述散热组件与所述减震组件形成固定连接。
[0008]进一步地，所述升降组件包括固定连接在所述壳体顶部内壁的固定杆，所述固定杆的下方设置有连接板，所述连接板的顶部外壁开设有滑槽，所述滑槽的数目为两组，所述滑槽的内部滑动连接有滑块，一组所述滑块的一侧外壁固定连接有第二伸缩杆，所述第二
伸缩杆远离所述滑块的一端固定连接在所述滑槽的一侧内壁上，所述第二伸缩杆的圆周外壁套接有第一弹簧，所述滑块的顶部外壁固定连接有固定座，所述固定座的两侧内壁均转动连接有第一转轴，所述第一转轴的一端固定连接有第一调节杆，另一所述滑块的顶部外壁通过所述固定座连接有第二调节杆，所述第一调节杆与所述第二调节杆呈交叉设置，所述第一调节杆与所述第二调节杆的一侧均开设有转动槽，所述第一调节杆与所述第二调节杆的一侧均开设有销孔，所述销孔内部插接有销轴。
[0009]进一步地，所述连接板的一侧外壁固定连接有横杆，所述横杆的底部开设有限位槽，所述场效应晶体管本体的一端插接在所述限位槽内部。
[0010]进一步地，所述壳体的底部外壁开设有定位孔，所述定位孔的内部卡接有卡柱，所述卡柱远离所述定位孔的一端固定连接有底板，所述底板的底部外壁开设有通槽，所述针脚的一端从所述通槽的内部穿过。
[0011]进一步地，所述定位组件包括固定连接在所述壳体两侧内壁的第一伸缩杆，所述第一伸缩杆的输出端固定连接有定位块，所述第一伸缩杆的圆周外壁套接有第二弹簧，所述场效应晶体管本体的两侧外壁均开设有定位槽，所述定位块与所述定位槽相配合。
[0012]进一步地，所述定位块的一侧外壁固定连接有等距离分布的第一啮合块，所述定位槽的一侧内壁固定连接有等距离分布的第二啮合块，两组所述第二啮合块的间距与所述第一啮合块的宽度相同。
[0013]进一步地，所述定位块的一侧外壁开设有插槽，所述定位槽的一侧内壁固定连接有定位杆，所述插槽的内部设置有夹持组件。
[0014]进一步地，所述夹持组件包括开设在所述插槽两侧内壁的矩形槽，所述矩形槽的一侧内壁固定连接有第四弹簧，所述第四弹簧的一端固定连接有夹持板，所述夹持板的一侧外壁开设有弧形槽，所述定位杆包括矩形部和圆弧部，所述圆弧部位于所述定位杆的中部。
[0015]进一步地，所述减震组件包括固定连接在所述场效应晶体管本体一侧外壁的第三弹簧，所述第三弹簧远离所述场效应晶体管本体的一端与所述散热组件形成固定连接。
[0016]进一步地，所述散热组件包括开设在所述壳体一侧外壁的圆孔，所述圆孔在所述壳体的一侧呈等距离分布，所述圆孔的圆周内壁转动连接有第二转轴，所述第二转轴的一端固定连接有扰流板，所述扰流板的横截面为S型，所述扰流板与所述第三弹簧形成固定连接诶，所述扰流板的一端延伸至所述圆孔的外部。
[0017]本专利技术的有益效果：
[0018]本专利技术提供的一种vdmos器件，通过设置的升降组件和和定位组件，当工作人员需要对场效应晶体管本体进行安装时，可以首先打开位于壳体底部的底板，随后工作人员将场效应晶体管本体插入壳体内部，在工作人员将场效应晶体管本体插入壳体内部前通过挡板可以对定位块进行阻挡限位，此时定位块一端的第一伸缩杆和第二弹簧处于压缩状态，随后工作人员再将场效应晶体管本体插入壳体内部的过程中会对横杆施加向壳体内部的压力，当横杆受到压力时会使第一调节杆和第二调节杆带动滑块在滑槽内部滑动，且在滑块滑动的过程通过第二伸缩杆和第一弹簧的共同作用可以起到良好的缓冲效果；
[0019]当横杆受到压力向壳体内部移动时可以带动挡板一同向内移动，当挡板移动时可以有效的解除其对定位块的限位作用，此时处于压缩状态的第二弹簧会立即恢复形变，通
过第二弹簧恢复形变可以有效的将定位块弹入场效应晶体管两侧的定位槽内部，通过定位块和定位槽的相互配合可以有效的对场效应晶体管本体进行固定，且在场效应晶体管本体整个安装过程中，工作人员需要将其插入壳体内部即可完成，大大提高了场效应晶体管本体的安装效率，满足了人们的使用需求。
[0020]本专利技术提供的一种vdmos器件，通过设置的定位组件和夹持组件，在定位块通过第二弹簧和第一伸缩杆的共同作用将其弹入定位槽内部时，由于两组第二啮合块的间距与第一啮合块的宽度相同，因此可以使固定连接在定位块一侧的第一啮合块卡接在两组第二啮合块内部，从而能够更进一步的提高定位块与定位槽卡接的稳定性，且在定位块插入定位槽内部的过程中，固定连接在定位槽内部的定位杆会插入插槽内部，从而来对定位块进一步固定，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种vdmos器件，包括壳体(1)，其特征在于，所述壳体(1)的内部设置有场效应晶体管本体(8)，所述场效应晶体管本体(8)的一端设置有针脚(11)，所述针脚(11)从所述壳体(1)的内部穿过，所述壳体(1)的内部设置有升降组件，所述升降组件与所述场效应晶体管本体(8)相互卡接，所述升降组件的一侧固定连接有挡板(12)，所述挡板(12)分别位于所述场效应晶体管本体(8)的两侧，所述壳体(1)的内部设置有定位组件，所述定位组件与所述壳体(1)固定连接，所述场效应晶体管本体(8)的一侧外壁设置有减震组件，所述壳体(1)的一侧外壁设置有散热组件，所述散热组件与所述减震组件形成固定连接。2.根据权利要求1所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述升降组件包括固定连接在所述壳体(1)顶部内壁的固定杆(20)，所述固定杆(20)的下方设置有连接板(14)，所述连接板(14)的顶部外壁开设有滑槽(13)，所述滑槽(13)的数目为两组，所述滑槽(13)的内部滑动连接有滑块(17)，一组所述滑块(17)的一侧外壁固定连接有第二伸缩杆(19)，所述第二伸缩杆(19)远离所述滑块(17)的一端固定连接在所述滑槽(13)的一侧内壁上，所述第二伸缩杆(19)的圆周外壁套接有第一弹簧(18)，所述滑块(17)的顶部外壁固定连接有固定座(15)，所述固定座(15)的两侧内壁均转动连接有第一转轴(16)，所述第一转轴(16)的一端固定连接有第一调节杆(4)，另一所述滑块(17)的顶部外壁通过所述固定座(15)连接有第二调节杆，所述第一调节杆(4)与所述第二调节杆呈交叉设置，所述第一调节杆(4)与所述第二调节杆的一侧均开设有转动槽(2)，所述第一调节杆(4)与所述第二调节杆的一侧均开设有销孔，所述销孔内部插接有销轴(3)。3.根据权利要求2所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述连接板(14)的一侧外壁固定连接有横杆(5)，所述横杆(5)的底部开设有限位槽，所述场效应晶体管本体(8)的一端插接在所述限位槽内部。4.根据权利要求3所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述壳体(1)的底部外壁开设有定位孔(28)，所述定位孔(28)的内部卡接有卡柱(23)，所述卡柱(23)远离所述定位孔(28)的一端固定连接有底板(9)，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵志，
申请(专利权)人：上海晶岳电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。