半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提出了一种半导体器件的制备方法，包括：B100，将完成正面元器件制备的SiC衬底吸附至玻璃载板；B200，去除封止SiC衬底和Si基载板的SOG后，移除Si基载板；B300，翻转SiC衬底，并采用PI对SiC衬底与玻璃载板进行封止；B400，对SiC衬底进行背面镀膜工艺形成金属膜；B500，按预设切割轨道切割金属膜；B600，将完成金属膜切割后的SiC衬底通过UV胶贴合至强化玻璃，进行SiC衬底切割工艺。本发明专利技术在将SiC衬底从Si基载板向玻璃载板转移时，先吸附固定，再通过PI对SiC衬底和玻璃载板进行封止。由此，提高了SiC衬底从Si基载板向玻璃载板转移的便利性。而且，采用皮秒激光切割出纹理，通过弯曲柔性玻璃来裂开SiC衬底，提高了薄SiC衬底切割的可靠性。靠性。靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制备
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件制备过程中，当待加工的对象(如晶圆)较薄时，需要将待加工对象固定至载体上进行支撑。而且，由于半导体器件制备的工艺复杂，涉及的流程步骤较多，各流程步骤的操作环境不同，因此，对载体的性能具有不同要求，在不同加工步骤中，需要将半导体器件固定至对应的载体上。
[0003]现有技术中，半导体器件从其中一个载体向另一个载体转移时，半导体器件的定位和固定繁琐，影响半导体器件的制备效率和质量。而且对于硬度较高、厚度较薄的晶圆切割困难。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是如何提高半导体器件制备中载体转移的便利性和高效性，及半导体器件切割的便利性，本专利技术提出一种半导体器件的制备方法。
[0005]根据本专利技术实施例的半导体器件的制备方法，包括：
[0006]B100，将完成正面元器件制备的SiC衬底吸附至玻璃载板；
[0007]B200，去除封止所述SiC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：B100，将完成正面元器件制备的SiC衬底吸附至玻璃载板；B200，去除封止所述SiC衬底和Si基载板的SOG后，移除所述Si基载板；B300，翻转所述SiC衬底，并采用PI对所述SiC衬底与所述玻璃载板进行封止；B400，对所述SiC衬底进行背面镀膜工艺形成金属膜；B500，按预设切割轨道切割所述金属膜；B600，将完成金属膜切割后的SiC衬底通过UV胶贴合至强化玻璃，进行SiC衬底切割工艺。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤B500中，将SiC衬底贴合至强化玻璃后，去除封止所述SiC衬底与所述玻璃载板的PI，并移除所述玻璃载板。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤B100包括：采用机械手、吸盘或真空吸附设备将所述SiC衬底吸附至所述玻璃载板。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，文锺，陈政勋，
申请(专利权)人：浙江同芯祺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：