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本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：B100，将完成正面元器件制备的SiC衬底吸附至玻璃载板；B200，去除封止SiC衬底和Si基载板的SOG后，移除Si基载板；B300，翻转SiC衬底，并采用PI对SiC衬底与玻璃载板进行封止；B...
该专利属于浙江同芯祺科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江同芯祺科技有限公司授权不得商用。

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