一种沟槽肖特基器件及其制作方法技术

本申请提供了一种沟槽肖特基器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，然后基于沟槽的侧壁与外延片的台面生长多层场板结构；其中，多层场板结构中包括刻蚀停止层，再基于多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层，再对介质层进行刻蚀，直至刻蚀至刻蚀停止层，以形成接触孔，然后去除接触孔中位于外延片台面的场板结构，最后沿接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。本申请提供的沟槽肖特基器件及其制作方法具有降低了成本，提升了接触孔刻蚀的均匀性。提升了接触孔刻蚀的均匀性。提升了接触孔刻蚀的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽肖特基器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种沟槽肖特基器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]沟槽肖特基器件的制备工艺已相对完善，目前，常见的制备工艺一般为在生长场板氧化层后进行多晶填充，然后将多晶平坦化后进行介质层沉积，并利用干法刻蚀工艺刻蚀出的接触孔，之后采用常规工艺完成沟槽肖特基器件的制备。
[0003]然而，干法刻蚀接触孔时，由于光刻精度要求高，因此需要精密的设备，导致设备和生产成本非常高。此外，采用干法刻蚀设备进行接触孔的刻蚀，也难以保证刻蚀均匀性。
[0004]综上，现有技术中存在接触孔刻蚀时成本高，均匀性难以保证的问题。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种沟槽肖特基器件及其制作方法，以解决现有技术中存在的接触孔刻蚀时成本高，均匀性难以保证的问题。
[0006]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0007]一方面，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基器件制作方法，所述沟槽肖特基器件制作方法包括：
[0008]提供一外延片，其中，所述外延片包括沟槽；
[0009]基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构；其中，所述多层场板结构中包括刻蚀停止层；
[0010]基于所述多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层；
[0011]对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔；
[0012]去除所述接触孔中位于所述外延片台面的场板结构；
[0013]沿所述接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。
[0014]可选地，基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构的步骤包括：
[0015]基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长缓冲氧化层；
[0016]基于所述缓冲氧化层的表面生长刻蚀停止层；
[0017]基于所述刻蚀停止层的表面生长场板氧化层。
[0018]可选地，所述基于所述缓冲氧化层的表面生长刻蚀停止层的步骤包括：
[0019]基于所述缓冲氧化层的表面生长比所述场板氧化层薄的刻蚀停止层。
[0020]可选地，去除所述接触孔中位于所述外延片台面的场板结构的步骤包括：
[0021]去除所述接触孔中位于所述外延片台面的所述刻蚀停止层；
[0022]去除所述接触孔中位于所述外延片台面的所述缓冲氧化层。
[0023]可选地，所述基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长缓冲氧化层的步骤包括：
[0024]基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长150～500埃的缓冲氧化层。
[0025]可选地，所述基于所述刻蚀停止层的表面生长场板氧化层的步骤包括：
[0026]基于所述刻蚀停止层的表面生长500～5000埃的场板氧化层。
[0027]可选地，对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔的步骤包括：
[0028]利用湿法刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀。
[0029]可选地，对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔的步骤包括：
[0030]利用干法刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀。
[0031]另一方面，本申请实施例还提供了一种沟槽肖特基器件，所述沟槽肖特基器件通过上述的沟槽肖特基器件制作方法制作而成。
[0032]相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：
[0033]本申请提供了一种沟槽肖特基器件及其制作方法，首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，然后基于沟槽的侧壁与外延片的台面生长多层场板结构；其中，多层场板结构中包括刻蚀停止层，再基于多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层，再对介质层进行刻蚀，直至刻蚀至刻蚀停止层，以形成接触孔，然后去除接触孔中位于外延片台面的场板结构，最后沿接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。由于本申请在制作场板结构时，采用多层场板结构，且多层场板结构中包括刻蚀停止层，通过设置该刻蚀停止层，保证了在后续刻蚀接触孔时，不仅可以采用干法刻蚀，还可以采用湿法刻蚀，且无需采用精密仪器，因此成本得以降低。此外，通过设置刻蚀停止层的方式，保证了能够在刻蚀过程中，接触孔的刻蚀停止于刻蚀停止层的位置，进而保证了刻蚀的均匀性。
[0034]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
[0036]图1为现有技术中沟槽刻蚀后的剖面示意图。
[0037]图2为现有技术中去除掩膜层后的剖面示意图。
[0038]图3为现有技术中生长场板氧化层后的剖面示意图。
[0039]图4为现有技术中沉积多晶硅后的剖面示意图。
[0040]图5为现有技术中多晶硅平坦化后的剖面示意图。
[0041]图6为现有技术中沉积介质层后的剖面示意图。
[0042]图7为现有技术中刻蚀接触孔后的剖面示意图。
[0043]图8为现有技术中沉积势垒金属后的剖面示意图。
[0044]图9为现有技术中沉积正面金属后的剖面示意图。
[0045]图10为本申请实施例提供的沟槽肖特基器件制作方法的示例性流程图。
[0046]图11为本申请实施例提供的图10中S104的子步骤的示例性流程图。
[0047]图12为本申请实施例提供的多层场板结构的剖面示意图。
[0048]图13为本申请实施例提供的沉积多晶硅后的剖面示意图。
[0049]图14为本申请实施例提供的多晶硅平坦化后的剖面示意图。
[0050]图15为本申请实施例提供的沉积介质层后的剖面示意图。
[0051]图16为本申请实施例提供的刻蚀接触孔后的剖面示意图。
[0052]图17为本申请实施例提供的去除刻蚀停止层与缓冲氧化层后的剖面示意图。
[0053]图18为本申请实施例提供的沉积势垒金属与正面金属后的剖面示意图。
具体实施方式
[0054]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0055]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，所述沟槽肖特基器件制作方法包括：提供一外延片，其中，所述外延片包括沟槽；基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构；其中，所述多层场板结构中包括刻蚀停止层；基于所述多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层；对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔；去除所述接触孔中位于所述外延片台面的场板结构；沿所述接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。2.如权利要求1所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构的步骤包括：基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长缓冲氧化层；基于所述缓冲氧化层的表面生长刻蚀停止层；基于所述刻蚀停止层的表面生长场板氧化层。3.如权利要求2所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，所述基于所述缓冲氧化层的表面生长刻蚀停止层的步骤包括：基于所述缓冲氧化层的表面生长比所述场板氧化层薄的刻蚀停止层。4.如权利要求2所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，去除所述接触孔中位于所述外延片台面的场板结构的步骤包括：去除所述接触孔中位于所述外延片台面的所述刻蚀停止层；去除所述接触孔中位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友伟，
申请(专利权)人：捷捷微电南通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：