存储器装置及形成存储器装置的方法制造方法及图纸

一些实施例包含具有第一及第二支柱的组合件。所述支柱中的每一者具有内边缘及外边缘。第一栅极靠近所述第一支柱的沟道区。第二栅极靠近所述第二支柱的沟道区。屏蔽线介于所述第一支柱与所述第二支柱之间。第一及第二底部电极分别在所述第一及第二支柱上方；并且经配置为第一及第二角板。绝缘材料在所述第一及第二底部电极上方。所述绝缘材料可为铁电的或非铁电的。顶部电极在所述绝缘材料上方。一些实施例包含形成组合件的方法。实施例包含形成组合件的方法。实施例包含形成组合件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器装置及形成存储器装置的方法
[0001]相关专利数据
[0002]本申请案涉及2020年1月8日申请的标题为“存储器装置及形成存储器装置的方法(Memory Devices and Methods of Forming Memory Devices)”的序列号为16/737,171的美国专利申请案，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]存储器装置(例如，包括随机存取存储器的存储器阵列)及形成存储器装置的方法。

技术介绍

[0004]存储器可利用个别地包括与电容器组合的存取晶体管的存储器单元。如果存储器是铁电随机存取存储器(FeRAM)，那么电容器可为铁电电容器，或者如果存储器是传统动态随机存取存储器(DRAM)，那么电容器可为非铁电电容器。
[0005]希望开发经改进存储器架构及形成存储器架构的经改进方法。还希望此类方法适用于FeRAM及DRAM的制造。
附图说明
[0006]图1
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1B是用于形成实例集成组合件的实例方法的实例过程阶段处的实例构造的区的示意图。图1是俯视图。图1A及1B是分别沿图1的线A
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A及B
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B的横截面侧视图。
[0007]图1A
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1及1B
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1是分别沿图1的线A
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A及B
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B的示意性横截面侧视图，并展示可与图1A及1B中所展示的间隙相关联的材料。
[0008]图2
‑/>2B是在图1
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1B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
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1B的区的示意图。图2是俯视图。图2A及2B是分别沿图2的线A
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A及B
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B的横截面侧视图。
[0009]图3
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3B是在图2
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2B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
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1B的区的示意图。图3是俯视图。图3A及3B是分别沿图3的线A
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A及B
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B的横截面侧视图。
[0010]图4
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4B是在图3
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3B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
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1B的区的示意图。图4是俯视图。图4A及4B是分别沿图4的线A
‑
A及B
‑
B的横截面侧视图。
[0011]图5
‑
5B是在图4
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4B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意图。图5是俯视图。图5A及5B是分别沿图5的线A
‑
A及B
‑
B的横截面侧视图。
[0012]图6
‑
6B是在图5
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5B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意图。图6是俯视图。图6A及6B是分别沿图6的线A
‑
A及B
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B的横截面侧视图。
[0013]图7
‑
7B是在图6
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6B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意图。图7是俯视图。图7A及7B是分别沿图7的线A
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A及B
‑
B的横截面侧视图。
[0014]图8
‑
8B是在图7
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7B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意图。图8是俯视图。图8A及8B是分别沿图8的线A
‑
A及B
‑
B的横截面侧视图。
[0015]图9
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9B是在图8
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8B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意
图。图9是俯视图。图9A及9B是分别沿图9的线A
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A及B
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B的横截面侧视图。
[0016]图10
‑
10C是在图9
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9B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意图。图10是俯视图。图10A及10B是分别沿图10的线A
‑
A及B
‑
B的横截面侧视图。图10C是三维视图。
[0017]图11
‑
11B是在图10
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10C的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意图。图11是俯视图。图11A及11B是分别沿图11的线A
‑
A及B
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B的横截面侧视图。图11
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11B的构造可被视为实例集成组合件的区或实例存储器装置的区。
[0018]图12
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12C是在图6
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6B的实例过程阶段之后的另一实例过程阶段处的图1
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1B的区的示意图。图12是俯视图。图12A及12B是分别沿图12的线A
‑
A及B
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B的横截面侧视图。图12C是三维视图。
[0019]图13
‑
13B是在图12
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12C的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意图。图13是俯视图。图13A及11B是分别沿图13的线A
‑
A及B
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B的横截面侧视图。图13
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13B的构造可被视为实例集成组合件的区或实例存储器装置的区。
[0020]图14
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14B是在图2
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2B的实例过程阶段之后的另一实例过程阶段处的图1
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1B的区的示意图。图14是俯视图。图14A及14B是分别沿图14的线A
‑
A及B
‑
B的横截面侧视图。
[0021]图15
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15B是在图14
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14B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意图。图15是俯视图。图15A及15B是分别沿图15的线A
‑
A及B
‑
B的横截面侧视图。
[0022]图16
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16B是在图15
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15B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1B的区的示意图。图16是俯视图。图16A及16B是分别沿图16的线A
‑
A及B
‑
B的横截面侧视图。
[0023]图17
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17B是在图16
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16B的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1
‑
1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成组合件，其包括：第一及第二支柱；所述支柱中的每一者沿横截面具有面向介于所述支柱之间的区的内边缘及与所述内边缘相对的外边缘；所述第一支柱具有第一上源极/漏极区、第一下源极/漏极区及介于所述第一上源极/漏极区与所述第一下源极/漏极区之间的第一沟道区；所述第二支柱具有第二上源极/漏极区、第二下源极/漏极区及介于所述第二上源极/漏极区与所述第二下源极/漏极区之间的第二沟道区；屏蔽线，其在介于所述第一支柱与所述第二支柱之间的所述区中；第一栅极，其靠近所述第一沟道区；第二栅极，其靠近所述第二沟道区；数字线，其在所述第一及第二支柱下面并且与所述第一及第二下源极/漏极区电耦合；第一底部电极，其与所述第一上源极/漏极区电耦合；所述第一底部电极经配置为第一角板；所述第一角板具有邻近所述第一上源极/漏极区的第一水平区段并且具有从所述第一水平区段向上延伸的第一竖直区段；第二底部电极，其与所述第二上源极/漏极区电耦合；所述第二底部电极经配置为第二角板；所述第二角板具有邻近所述第二上源极/漏极区的第二水平区段并且具有从所述第二水平区段向上延伸的第二竖直区段；绝缘材料，其在所述第一及第二底部电极上方；及顶部电极，其在所述绝缘材料上方。2.根据权利要求0所述的集成组合件，其中所述第一竖直区段比所述第一水平区段更长，且其中所述第二竖直区段比所述第二水平区段更长。3.根据权利要求0所述的集成组合件，其中所述绝缘材料为非铁电的。4.根据权利要求0所述的集成组合件，其中所述绝缘材料为铁电绝缘材料。5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中：所述第一底部电极、所述顶部电极的第一区及所述铁电绝缘材料的第一区经配置为第一铁电电容器；所述第二底部电极、所述顶部电极的第二区及所述铁电绝缘材料的第二区经配置为第二铁电电容器；第一存取晶体管包括所述第一支柱及邻近所述第一支柱的所述第一栅极的区，并且将所述第一铁电电容器与所述数字线门控地耦合；第二存取晶体管包括所述第二支柱及邻近所述第二支柱的所述第二栅极的区，并且将所述第二铁电电容器与所述数字线门控地耦合；所述第一存取晶体管及所述第一铁电电容器经配置为第一存储器单元；所述第二存取晶体管及所述第二铁电电容器经配置为第二存储器单元；所述第一及第二存储器单元是存储器阵列的许多大体上等同存储器单元中的两者；所述第一及第二栅极是跨越所述存储器阵列延伸的许多大体上等同栅极中的两者；所述数字线是跨越所述存储器阵列延伸的许多大体上等同数字线中的一者；且所述存储器单元中的每一者由所述栅极中的一者结合所述数字线中的一者唯一寻址。6.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述铁电绝缘材料直接抵靠所述第一及第二底部电极。
7.根据权利要求4所述的集成组合件，其中：所述第一及第二竖直区段中的每一者沿所述横截面具有面向所述第一竖直区段与所述第二竖直区段之间的区的内表面，及与所述内表面相对的外表面；且所述铁电绝缘材料沿所述第一及第二竖直区段的所述内及外表面两者。8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述第一竖直区段具有从所述第一竖直区段的所述内表面延伸到所述第一竖直区段的所述外表面的第一侧壁表面；其中所述第二竖直区段具有从所述第二竖直区段的所述内表面延伸到所述第二竖直区段的所述外表面的第二侧壁表面；其中所述数字线沿第一方向延伸；且进一步包括沿所述第一方向延伸并且直接邻近所述第一及第二侧壁表面的上区的绝缘结构。9.根据权利要求8所述的集成组合件，其中间隙在所述绝缘结构下方，且其中所述铁电绝缘材料延伸到所述间隙中。10.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述绝缘结构包含氮化硅。11.根据权利要求4所述的集成组合件，其中：所述第一及第二竖直区段中的每一者沿所述横截面具有面向所述第一竖直区段与所述第二竖直区段之间的区的内表面，及与所述内表面相对的外表面；且所述铁电绝缘材料是沿所述第一及第二竖直区段的所述内表面，而不是沿所述第一及第二竖直区段的所述外表面。12.根据权利要求11所述的集成组合件，其进一步包括介于所述第一竖直区段与所述第二竖直区段之间并且直接抵靠所述第一及第二竖直区段的所述内表面的绝缘团块。13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述绝缘团块包括二氧化硅及氮化硅中的一或两者。14.根据权利要求12所述的集成组合件，其进一步包括：第一泄漏装置，其将所述第一底部电极与所述顶部电极耦合；及第二泄漏装置，其将所述第二底部电极与所述顶部电极耦合。15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述泄漏装置包括Ti、Ni及Nb中的一或多者结合Ge、Si、O、N及C中的一或多者。16.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述泄漏装置包括Si、Ge、SiN、TiSiN、TiO、TiN、NiO、NiON及TiON中的一或多者；其中所述化学式指示主要组分而不是特定的化学计量。17.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述泄漏装置包括钛、氧及氮。18.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述泄漏装置包括沿所述绝缘团块的竖直延伸区段。19.根据权利要求18所述的集成组合件，其中所述竖直延伸区段具有在从约到约的范围内的水平厚度。20.一种形成集成组合件的方法，其包括：形成构造，其具有半导体材料的第一及第二支柱，并且沿横截面具有介于所述第一支柱与所述第二支柱之间的第一及第二栅极；所述第一栅极邻近所述第一支柱，且所述第二栅极邻近所述第二支柱；所述第一及第二支柱分别具有第一及第二源极/漏极区；所述构造包含在所述栅极上方及介于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的第一绝
缘材料；所述构造的上表面跨越所述第一绝缘材料及所述第一及第二源极/漏极区延伸；在所述上表面上方形成掩模结构；所述掩模结构沿所述横截面具有一对侧壁；所述掩模结构在所述绝缘材料正上方且不覆盖所述第一及第二源极/漏极区；沿所述掩模结构及沿所述第一及第二源极/漏极区共形地形...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：