一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法，涉及陶瓷绝缘环清洗技术领域。包括以下步骤：S1、遮蔽操作；S2、喷砂操作；S3、碱洗操作；S4、水洗操作一；S5、酸蚀操作；S6、水洗操作二；S7、超声处理；S8、检测操作；S9、水洗研磨操作；S10、烘干操作；S11、二次遮蔽操作；S12、二次喷砂操作；S13、二次检测操作；S14、二次超声操作；S15、二次烘干操作。本发明专利技术通过对产品进行遮蔽、喷砂、碱洗、水洗研磨、酸蚀、超声以及烘干操作，实现对陶瓷绝缘环的表面的沉积物进行清洗操作，便于实现陶瓷绝缘环的清洗以及清洗效果好，从而进一步提高了陶瓷绝缘环在使用过程中功能稳定以及利用率高的效果。的效果。的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷绝缘环清洗
，具体为一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法。

技术介绍

[0002]物理气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，物理气相沉积是主要的表面处理技术之一，陶瓷绝缘环用于制造IC(集成电路)的PVD(物理气相沉积)中的工艺腔体中，PVD技术其原理是在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质电离，在电场的作用下，使被蒸发物质或其反应产物沉积在工件上，其制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。
[0003]PVD镀膜技术是一种能够无污染的环保型表面处理方法，它能够制备各种单一金属膜(如铝、钛、锆、铬等)、氮化物膜(TiN[钛金]、ZrN〔锆金〕、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN)，以及氧化物膜(如TiO等)。陶瓷绝缘环起到绝缘的作用，具有功能稳定，利用率高的特点，它在工艺腔体内部会有沉积物附着，故对其沉积物的完全去除就至关重要，为此，我们提出了一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法，包括以下步骤：
[0006]S1、遮蔽操作：对产品进行自检操作后，对产品非使用的区域进行遮蔽处理；
[0007]S2、喷砂操作：对步骤S1中产品的沉积物区域进行喷砂处理，喷砂后用CDA吹扫操作；
[0008]S3、碱洗操作：对步骤S2中喷砂后产品的外观进行检测操作，检测合格后，对遮蔽区域进行去除操作后对产品进行碱洗操作；
[0009]S4、水洗操作一：将步骤S3中碱洗操作的产品进行水洗操作，水洗浸泡的时间为3～5min，温度为常温温度；
[0010]S5、酸蚀操作：将步骤S4水洗操作后的产品进行酸蚀操作；
[0011]S6、水洗操作二：将步骤S5中酸蚀操作后的产品进行水洗操作，水洗浸泡的时间为3～5min，温度为常温温度；
[0012]S7、超声处理：对步骤S6中水洗后的产品进行超声处理，超声的时间为5～10min，超声的频率为20KHZ～100KHZ；
[0013]S8、检测操作：对步骤S7中超声后的产品进行外观检测操作；
[0014]S9、水洗研磨操作：对步骤S8中产品进行百洁布湿式打磨，对沉积物进一步的去除；
[0015]S10、烘干操作：将步骤S9中水洗研磨后的产品在烤箱中高温烘烤操作；
[0016]S11、二次遮蔽操作：对步骤S10中烘干处理后的产品再次进行自检操作，自检完成后，对产品非使用的区域进行遮蔽处理，采用热熔遮蔽胶带遮蔽；
[0017]S12、二次喷砂操作:将步骤S12中自检后的产品进行喷砂操作，喷砂后用CDA吹扫；采用20～40#白刚玉对沉积物区域进行喷砂处理；
[0018]S13、二次检测操作：对步骤S11中产品的遮蔽胶带进行去除，去除后对产品的粗糙度进行检测；
[0019]S14、二次超声操作：对步骤S13中检测处理后的产品进行超声处理，超声的时间为5～10min，超声频率为20KHZ～100KHZ；
[0020]S15、二次烘干操作：将步骤S14中超声后的产品在60～90℃的烤箱中高温烘烤1～3H，完成烘干操作。
[0021]进一步优化本技术方案，所述步骤S1中的遮蔽处理采用热熔遮蔽胶带进行遮蔽操作。
[0022]进一步优化本技术方案，所述步骤S2中采用100～180#白刚玉对沉积物区域进行喷砂处理，喷砂的压力为3.0kg。
[0023]进一步优化本技术方案，所述步骤S3中碱洗的时间为5～8min，温度为常温温度，碱洗液的成分包括氢氧化钾与氢氧化钠中的一种或两种混合物，且碱洗液的浓度为10～20％。
[0024]进一步优化本技术方案，所述步骤S3中采用手电筒对喷砂区域进行观察，看沉积层是否除去干净。
[0025]进一步优化本技术方案，所述步骤S4中水洗完成后取出时用小水枪冲洗操作。
[0026]进一步优化本技术方案，所述步骤S5中酸蚀的时间为3～10min，温度为常温温度，酸蚀液的浓度为20～30％，酸蚀液的成分包括氢氟酸，硝酸，硫酸，磷酸的一种或者多种。
[0027]进一步优化本技术方案，所述步骤S6中水洗完成后取出时用小水枪冲洗操作；所述步骤S10中高温烘烤的时间为60～90℃下烘烤1～3H。
[0028]进一步优化本技术方案，所述步骤S8中的检测操作为产品的外观无异物残留，无异色以及无磕碰。
[0029]进一步优化本技术方案，所述步骤S13中产品的粗糙度为RA：5～7um。
[0030]与现有技术相比，本专利技术提供了一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法，具备以下有益效果：
[0031]1、该适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法，本专利技术通过对产品进行遮蔽、喷砂、碱洗、水洗研磨、酸蚀、超声以及烘干操作，实现对陶瓷绝缘环的表面的沉积物进行清洗操作，便于实现陶瓷绝缘环的清洗以及清洗效果好，从而进一步提高了陶瓷绝缘环在使用过程中功能稳定以及利用率高的效果。
[0032]2、该适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法，本专利技术清洗方法改善了繁琐清洗的方法，本专利技术清洗方法清洗效果好以及方便工作人员的操作，符合清洗要求和使用要求，具有很高的社会效益和经济效益。
附图说明
[0033]图1为本专利技术提出的一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
[0034]下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]实施例一：请参考图1所示，本专利技术公开了一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法，包括以下步骤：
[0036]S1、遮蔽操作：对产品进行自检操作后，对产品非使用的区域进行遮蔽处理，采用热熔遮蔽胶带遮蔽；
[0037]S2、喷砂操作：对步骤S1中产品的沉积物区域进行喷砂处理，喷砂后用CDA吹扫操作，采用130#白刚玉对沉积物区域进行喷砂处理，喷砂的压力为3.0kg；
[0038]S3、碱洗操作：对步骤S2中喷砂后产品的外观进行检测操作，检测合格后，对遮蔽区域进行去除操作后对产品进行碱洗操作，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、遮蔽操作：对产品进行自检操作后，对产品非使用的区域进行遮蔽处理；S2、喷砂操作：对步骤S1中产品的沉积物区域进行喷砂处理，喷砂后用CDA吹扫操作；S3、碱洗操作：对步骤S2中喷砂后产品的外观进行检测操作，检测合格后，对遮蔽区域进行去除操作后对产品进行碱洗操作；S4、水洗操作一：将步骤S3中碱洗操作的产品进行水洗操作，水洗浸泡的时间为3～5min，温度为常温温度；S5、酸蚀操作：将步骤S4水洗操作后的产品进行酸蚀操作；S6、水洗操作二：将步骤S5中酸蚀操作后的产品进行水洗操作，水洗浸泡的时间为3～5min，温度为常温温度；S7、超声处理：对步骤S6中水洗后的产品进行超声处理，超声的时间为5～10min，超声的频率为20KHZ～100KHZ；S8、检测操作：对步骤S7中超声后的产品进行外观检测操作；S9、水洗研磨操作：对步骤S8中产品进行百洁布湿式打磨，对沉积物进一步的去除；S10、烘干操作：将步骤S9中水洗研磨后的产品在烤箱中高温烘烤操作；S11、二次遮蔽操作：对步骤S10中烘干处理后的产品再次进行自检操作，自检完成后，对产品非使用的区域进行遮蔽处理，采用热熔遮蔽胶带遮蔽；S12、二次喷砂操作:将步骤S12中自检后的产品进行喷砂操作，喷砂后用CDA吹扫；采用20～40#白刚玉对沉积物区域进行喷砂处理；S13、二次检测操作：对步骤S11中产品的遮蔽胶带进行去除，去除后对产品的粗糙度进行检测；S14、二次超声操作：对步骤S13中检测处理后的产品进行超声处理，超声的时间为5～10min，超声频率为20KHZ～100KHZ；S15、二次烘干操作：将步骤S14中超声后的产品在60～90℃的烤箱中高温烘烤1～3H，完成烘干操作。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：许杰，
申请(专利权)人：合肥升滕半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：