本发明专利技术涉及一种用于半导体加工装置的腔室内衬和半导体加工装置，该腔室内衬包括一个或多个内衬体，至少一个所述内衬体包括多个内衬部件，所述多个内衬部件相互连接以形成为所述内衬体；其中，在两个或多个所述内衬部件的相互连接的位置，至少一个内衬部件的连接结构的至少一部分伸入另一内衬部件的对应连接结构，以使得所述多个内衬部件的相互连接的位置不裸露腔室。利用本发明专利技术的用于半导体加工装置的腔室内衬和半导体加工装置，安装方便快速，可覆盖腔室内部暴露的所有腔室表面，能够提高颗粒度和金属污染水平。颗粒度和金属污染水平。颗粒度和金属污染水平。
【技术实现步骤摘要】
用于半导体加工装置的腔室内衬和半导体加工装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种用于半导体加工装置的腔室内衬和半导体加工装置。
技术介绍
[0002]此处的陈述仅提供与本专利技术有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。
[0003]半导体制造过程中所利用的装置，例如刻蚀设备(Etch)，其腔室内可以设置内衬。现有的关于腔室内衬的使用，多数以提高晶片(也称为晶圆、wafer)表面反应的一致性为目的，或者为保护腔室内部某一零部件不被腐蚀而设计而并未从整个腔室角度考虑。
[0004]另外，由于刻蚀过程同时伴有等离子体与腐蚀性反应气体，因此现有的腔室内衬多为刻蚀设备的腔室设计。而对于大多数半导体加工装置，并没有为其专门设计的腔室内衬。事实上，现有的很多半导体前道设备，例如DPN(去耦合等离子氮化)设备，由于腔室内不含有腐蚀性气体，一般不设置腔室内衬。
[0005]而随着半导体先进制程对颗粒度及金属污染的要求越来越严格，很多半导体前道设备，例如DPN设备，虽然不含有腐蚀性气体，但也常常因等离子体刻蚀腔体内壁造成颗粒度和金属污染不合格，如何降低该设备腔室内部颗粒度和金属污染成为关键问题。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目的在于提供一种新的用于半导体加工装置的腔室内衬和半导体加工装置，所要解决的技术问题是解决腔室内部颗粒度和金属污染超标问题，提高腔室内部的颗粒度和金属污染水平。
[0007]本专利技术的目的采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的用于半导体加工装置的腔室内衬，所述腔室内衬包括一个或多个内衬体，至少一个所述内衬体包括多个内衬部件，所述多个内衬部件相互连接以形成为所述内衬体；其中，在两个或多个所述内衬部件的相互连接的位置，至少一个内衬部件的连接结构的至少一部分伸入另一内衬部件的对应连接结构，以使得所述多个内衬部件的相互连接的位置不裸露腔室。
[0008]本专利技术的目的还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
[0009]前述的腔室内衬，所述内衬部件的连接结构在伸入另一内衬部件的对应连接结构时，具有沿伸入或拔出方向的活动调节量，并且在活动调节时或活动调节后所述多个内衬部件的相互连接的位置保持不裸露腔室。
[0010]前述的腔室内衬，所述内衬部件的连接结构的用于伸入另一内衬部件的部分具有弹性。
[0011]前述的腔室内衬，所述内衬部件的连接结构包括搭接结构、和/或插接结构。
[0012]前述的腔室内衬，所述内衬体包括：腔室侧壁内衬板、腔室底部内衬底、载台衬套之中的一个或多个。
[0013]前述的腔室内衬，所述内衬部件和所述内衬体的形状和尺寸与腔室、载台的被内
衬遮挡的对应部分的形状和尺寸相对应；和/或，所述内衬部件和所述内衬体设置有与腔室的通孔相匹配的通孔。
[0014]前述的腔室内衬，所述内衬部件的基底材质包括铝合金、石英、陶瓷、碳化硅中的一种或多种。
[0015]前述的腔室内衬，所述内衬部件的至少一部分表面具有耐腐蚀涂层。
[0016]前述的腔室内衬，所述耐腐蚀涂层包括：氧化钇、特氟龙、硅、氧化铝。
[0017]本专利技术的目的还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的半导体加工装置，包括任意一种前述的用于半导体加工装置的腔室内衬。
[0018]本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本专利技术提出的用于半导体加工装置的腔室内衬和半导体加工装置，安装方便快速，可覆盖腔室内部暴露的所有腔室表面，能够提高颗粒度和金属污染水平，并能够减少类似螺栓连接等其他硬连接带来的颗粒度和金属污染方面影响。
[0019]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
[0020]图1是本专利技术一个实施例的具有腔室内衬的半导体加工装置腔室的立体分解图；
[0021]图2是图1中的A处的局部放大的立体分解图；
[0022]图3是本专利技术一个实施例的腔室内衬的一部分的立体分解图；
[0023]图4是图3中的B处的局部放大的示意图。
具体实施方式
[0024]为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的用于半导体加工装置的腔室内衬和半导体加工装置的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
[0025]需注意，本专利技术所指的半导体加工装置(也称为半导体制造装置、或简称为半导体装置)包括但不限于DPN(去耦合等离子氮化)设备、PNA(等离子氮化后退火)设备等。本专利技术所指的腔室为半导体制造加工过程中所利用的腔室，包括但不限于刻蚀设备的反应腔室、氮化设备的反应腔室等。
[0026]图1为本专利技术一个实施例的具有腔室内衬的半导体加工装置腔室的示意性的立体分解图。图2是图1中的A处的局部放大的示意性的立体分解图。图3为本专利技术一个实施例的腔室内衬的一部分的示意性的立体结构分解图。图4是图3中的B处的局部放大的示意性的立体分解图。
[0027]请参阅图1、图2、图3和图4，本专利技术示例的用于半导体加工装置的腔室内衬主要包括：一个或多个内衬体。其中，至少一个内衬体包括多个内衬部件。属于同一内衬体的多个内衬部件相互连接以形成为对应的内衬体。其中，在两个或多个内衬部件的相互连接的位置，至少一个内衬部件的连接结构的至少一部分伸入另一内衬部件的对应连接结构，以使得多个内衬部件的相互连接的位置不裸露(亦即覆盖、遮挡)腔室。
[0028]需注意，本专利技术并不限制内衬部件之间的连接结构的具体方式，只要能够满足前述的内衬部件的连接结构的至少一部分伸入另一内衬部件的对应连接结构以使得相互连接的位置不裸露腔室即可。在一些可选实施例中，内衬部件的连接结构包括搭接结构、和/或插接结构。多个内衬部件之间通过相互交叠相互交叉的搭接形式、或插拔形式来形成为对应的内衬体，能够为接合位置形成遮挡，使得接合位置无缝隙，即腔体被内衬体遮盖的部件是完全遮盖而不会裸露腔体。
[0029]利用本专利技术提供的用于半导体加工装置的腔室内衬，在安装形式上，各部分之间连接为软连接，避免新增螺钉等零件，安装方便快速，可覆盖腔室内部暴露的所有腔室表面，能够提高颗粒度和金属污染水平，并能够减少类似螺栓连接等其他硬连接带来的颗粒度和金属污染方面影响。
[0030]作为一个具体示例，该插接结构为凹凸插接结构，可以包括设置于一个内衬部件的凸块和设置于另一内衬部件的凹槽(也称为U型卡槽)。
[0031]作为一个具体示例，该搭接结构可以包括设置于一个内衬部件的第一搭接块和设置于另一内衬部件的第二搭接块，第一搭接块和第二搭接块能够相互交叠地进行搭接。
[0032]在本专利技术的一些实施例中，内衬部件的连接结构在伸入另一内衬部件的对应连接结构时，具有沿伸入或拔本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体加工装置的腔室内衬，其特征在于：所述腔室内衬包括一个或多个内衬体，至少一个所述内衬体包括多个内衬部件，所述多个内衬部件相互连接以形成为所述内衬体；其中，在两个或多个所述内衬部件的相互连接的位置，至少一个内衬部件的连接结构的至少一部分伸入另一内衬部件的对应连接结构，以使得所述多个内衬部件的相互连接的位置不裸露腔室。2.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于：所述内衬部件的连接结构在伸入另一内衬部件的对应连接结构时，具有沿伸入或拔出方向的活动调节量，并且在活动调节时或活动调节后所述多个内衬部件的相互连接的位置保持不裸露腔室。3.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于：所述内衬部件的连接结构的用于伸入另一内衬部件的部分具有弹性。4.根据权利要求1到3中任意一项所述的腔室内衬，其特征在于：所述内衬部件的连接结构包括搭接结构、和/或插接...
【专利技术属性】
技术研发人员：项习飞，田才忠，林保璋，李士昌，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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