等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够以简单的结构防止设置面积大型化、且等离子体密度高、等离子体的均匀性良好的等离子体处理装置。等离子体处理装置（10）包括：等离子体处理室（12）；圆筒状的电感室（14），其与等离子体处理室（12）邻接设置；多个线圈（26A、26B、26C），其沿着电感室（14）的长度方向邻接配置，并生成高频感应电场；罩部件（22），其设置在电感室（14）的径向外侧；以及保持部件（24），其配置在罩部件的内周面与电感室的外周面之间，且与罩部件的内周面接触，保持多个所述线圈，各线圈的一端与高频电源（32）相连接另一端为自由端，各线圈的长度方向的中央位置是接地端，各线圈由保持部件保持，从而线圈沿着长度方向及径向被同时定位。从而线圈沿着长度方向及径向被同时定位。从而线圈沿着长度方向及径向被同时定位。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置，特别地，涉及对半导体晶圆进行处理的等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]等离子体处理是半导体器件的制造中不可或缺的技术。以往使用电感耦合等离子体源（ICP），通过感应磁场产生电感应式等离子体，依次维持工艺气体的离子化和等离子体放电，产生使电子加速的环状（涡状）电场。感应式等离子体通常为中密度至高密度（电子和/或离子），且具有呈低水平的频率变化特性的特征。使用感应式等离子体处理的等离子体化学工艺速度快，且针对半导体晶圆和装置的离子性损伤少。与静电电容耦合的等离子体源相比，基于良好设计的感应放电实质上在更广泛的放电状况（例如，气压或功率）下起作用。
[0003]众所周知，在这种技术中，更高功率（高至数千瓦特）的感应器应用大约数十安培水平的射频电流。根据欧姆定律，这种电流基于感应器产生数千伏特的射频电压，这使得感应器也开始显现静电电容性的特征。因此，感应器也能够认为是影响离子体的静电电容性的电极。必然地，从这些高电压感应器产生寄生性高频静电电容电流或者被放电等离子体照射。其结果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理室；圆筒状的电感室，其与所述等离子体处理室邻接设置；多个线圈，其沿着所述电感室的长度方向邻接配置，并生成高频感应电场；罩部件，其设置在所述电感室的径向外侧；以及保持部件，其配置在所述罩部件的内周面与所述电感室的外周面之间，且与所述罩部件的内周面接触，保持多个所述线圈，在所述等离子体处理装置中，各所述线圈的一端与高频电源相连接，各所述线圈的另一端为自由端，各所述线圈的长度方向的中央位置是接地端，所述线圈由所述保持部件保持，从而多个所述线圈沿着所述线圈的长度方向及径向被同时定位。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大木敬介，长田厚，
申请(专利权)人：北京芯士联半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：