针对气体放电激光器室的底切电极制造技术

提供了一种光源设备以及一种在光源设备的放电室中使用的电极设计。放电室被配置为保持气体放电介质，气体放电介质被配置为输出光束。光源设备包括相对电极对，被配置为将气体介质激发形成放电等离子体。相对电极对中的至少一个电极可以在电极的每个端部处或者在其他合适的位置处包括凹入部分或中空部分。所公开的电极结构改进了电极的腐蚀轮廓的均匀性，因为局部放电粒子通量在凹入部分处减小，通过利用电极几何形状的优化设计来重新分布通过电极的放电粒子通量，从而显著地延长了放电室的寿命。的寿命。的寿命。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】针对气体放电激光器室的底切电极
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年12月31日提交的题为“UNDERCUT ELECTRODES FOR A LIGHT SOURCE”的美国申请号62/955,542以及于2020年5月22日提交的题为“UNDERCUT ELECTRODES FOR A GASDISCHARGE LASER CHAMBER”的美国申请号63/029,099的优先权，这两个申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及诸如产生光的准分子激光器的激光器系统，并且更具体地涉及针对气体放电激光器中的放电等离子体的优化电极设计。

技术介绍

[0004]光刻设备是被配置为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模、掩模版)的图案投影到衬底上提供的辐射敏感材料(光致抗蚀剂或简称为“抗蚀剂”)层上。
[0005]为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。使用波长在20nm－400nm范围内、例如193nm或248nm的深紫外(DUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成特征。
[0006]主振荡器功率放大器(MOPA)或主振荡器功率环形放大器(MOPRA)是产生高相干放大光束的两级激光器系统。MOPA或MOPRA的性能关键与主振荡器(MO)、功率放大器(PA)和/或功率环形放大器(PRA)相关。MO、PA和/或PRA的电极围绕被激发为放电等离子体的气体介质。由于气体和等离子体的腐蚀性质，电极可能随着时间而被腐蚀。沿着电极的长度，放电强度可能不均匀。通常，放电强度在电极的端部处最高，并且与长度的其余部分相比，其在中心处也可以更高。在放电的端部或中间处的相对升高的局部放电强度可能导致电极上对应位置的腐蚀增加。由于电极之间的气体击穿生成放电等离子体，电极的不均匀腐蚀可能导致等离子体的放电质量差，并且因此需要过早更换放电室。

技术实现思路

[0007]因此，需要控制电极的腐蚀均匀性，从而增加电极的寿命。
[0008]在一些实施例中，光源设备包括被配置为保持气体介质的室。放电室可以被配置为输出光束。光源设备还可以包括相对电极对，相对电极对被配置为将气体激发为等离子体(借助所谓的击穿过程)。在一些实施例中，相对电极对中的至少一个电极包括在至少一个电极的每个端部处形成的凹入部分。
[0009]在一些实施例中，电极对中的每个电极包括向内面向气体介质并且在气体介质激发之后面向等离子体的第一表面，以及与第一表面相对的第二表面，并且至少一个电极的凹入部分在第二表面的每个端部处形成在第二表面内或者从端部向内形成在第二表面上。
[0010]在一些实施例中，至少一个电极包括主体厚度和向内面向等离子体的平坦第一表
面，并且凹入部分包括底切部分，其中至少一个电极的端部具有小于主体厚度的厚度。
[0011]在一些实施例中，电极对中的至少一个电极包括阳极。
[0012]在一些实施例中，电极对中的至少一个电极包括阴极。
[0013]在一些实施例中，电极对中的每个电极包括在每个端部处形成的凹入部分。
[0014]在一些实施例中，电极对中的每个电极包括向内面向气体介质并且在激发之后面向放电等离子体的第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，并且至少一个电极的凹入部分形成在第一和第二表面之间。
[0015]注意，在下文中，为了描述的简洁，气体介质和由气体介质形成的放电等离子体可以被统称为气体放电介质。
[0016]在一些实施例中，气体放电介质包括卤素气体和稀有气体来形成准分子和/或激发复合物。
[0017]在一些实施例中，光源还包括光学元件集合，光学元件集合被配置为围绕室形成光学谐振器。
[0018]在一些实施例中，底切电极包括向内面向气体放电介质的第一表面、与第一表面相对的第二表面以及通过底切到第二表面中或在第一和第二表面之间(即“中空”)形成的局部凹入或底切部分。
[0019]在一些实施例中，底切电极包括主体厚度和向内面向气体放电介质的平坦第一表面，并且凹入部分包括在第二表面内的底切部分，其中底切电极的端部具有小于主体厚度的厚度。
[0020]在一些实施例中，凹入部分形成在第一和第二表面之间。
[0021]在一些实施例中，凹入部分包括矩形形状的凹部。
[0022]在一些实施例中，凹入部分包括弯曲的凹部。
[0023]在一些实施例中，底切电极包括阳极。
[0024]在一些实施例中，底切电极包括阴极。
[0025]在一些实施例中，相对电极对被配置为将气体分解为等离子体。电极对中的每个电极包括向内面向等离子体的第一表面以及与第一表面相对的第二表面。在一些实施例中，相对电极对中的至少一个电极包括在至少一个电极的每个端部处形成的凹入部分。
[0026]在一些实施例中，至少一个电极包括主体厚度，并且第一表面包括向内面向气体放电介质的平坦表面，并且其中凹入部分包括底切部分，其中至少一个电极的端部具有小于主体厚度的厚度。
[0027]在一些实施例中，凹入部分包括矩形形状的凹部。
[0028]在一些实施例中，凹入部分包括弯曲的凹部。
[0029]在一些实施例中，电极对中的每个电极包括在每个端部处形成的凹入部分。
[0030]在一些实施例中，光源设备包括被配置为保持气体放电介质的室、以及被配置为激发气体放电介质而产生等离子体的相对电极对，等离子体产生输出光束。在一些实施例中，相对电极对中的至少一个电极包括凹入部分或中空部分中的至少一者。
[0031]在一些实施例中，电极对中的每个电极包括向内面向气体放电介质的第一表面、以及与第一表面相对的第二表面。至少一个电极可以包括凹入部分，其中凹入部分形成在第二表面内。
[0032]在一些实施例中，凹入部分可以沿至少一个电极的中心线定位。
[0033]在一些实施例中，凹入部分可以位于至少一个电极的端部处。
[0034]在一些实施例中，凹入部分可以从至少一个电极的中心线偏移。
[0035]在一些实施例中，凹入部分包括多个凹入部分。
[0036]在一些实施例中，多个凹入部分可以位于至少一个电极的每个端部处。
[0037]在一些实施例中，电极对中的每个电极包括向内面向气体放电介质的第一表面、以及与第一表面相对的第二表面。在一些实施例中，至少一个电极包括中空部分，该中空部分形成在第一和第二表面之间。
[0038]在一些实施例中，中空部分沿至少一个电极的中心线定位。
[0039]在一些实施例中，中空部分从至少一个电极的中心线偏移。
[0040]在一些实施例中，中空部分包括多个中空部分。
[0041]在一些实施例中，至少一个电极可以包括凹入部分和中空部分两者。
[0042]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光源设备，包括：室，被配置为保持气体放电介质；以及相对电极对，被配置为激发所述气体放电介质来产生等离子体，所述等离子体产生输出光束，其中所述相对电极对中的至少一个电极包括在所述至少一个电极的每个端部处形成的凹入部分。2.根据权利要求1所述的光源设备，其中所述电极对中的每个电极包括：第一表面，向内面向所述气体放电介质；以及第二表面，与所述第一表面相对，其中所述至少一个电极的所述凹入部分在所述第二表面的每个端部处形成在所述第二表面内。3.根据权利要求1所述的光源设备，其中所述至少一个电极包括主体厚度和向内面向所述气体放电介质的平坦第一表面，并且其中所述凹入部分各自包括底切部分，其中所述至少一个电极的所述端部具有小于所述主体厚度的厚度。4.根据权利要求1所述的光源设备，其中所述电极对中的所述至少一个电极包括阳极。5.根据权利要求1所述的光源设备，其中所述电极对中的所述至少一个电极包括阴极。6.根据权利要求1所述的光源设备，其中所述电极对中的每个电极包括在每个端部处形成的凹入部分。7.根据权利要求1所述的光源设备，其中所述电极对中的每个电极包括：第一表面，向内面向所述气体放电介质；以及第二表面，与所述第一表面相对，并且其中所述至少一个电极的所述凹入部分是在所述第一表面和所述第二表面之间形成的中空部分。8.根据权利要求1所述的光源设备，其中所述气体放电介质包括卤素气体和稀有气体来形成准分子和/或激发复合物。9.根据权利要求1所述的光源设备，其中所述气体放电介质包括F2、ArF、KrF和/或XeF。10.根据权利要求1所述的光源设备，进一步包括：光学元件集合，被配置为围绕所述室形成光学谐振器。11.一种底切电极，包括：第一表面，向内面向气体放电介质；第二表面，与所述第一表面相对；以及凹入部分，形成在所述底切电极的每个端部处。12.根据权利要求11所述的底切电极，其中所述底切电极包括主体厚度，并且其中所述凹入部分各自包括在所述第二表面内的底切部分，其中所述底切电极的端部具有小于所述主体厚度的厚度。13.根据权利要求11所述的底切电极，其中所述凹入部分是在所述第一表面和所述第二表面之间形成的中空部分。14.根据权利要求13所述的底切电极，其中所述中空部分被填充有非导电材料。15.根据权利要求11所述的底切电极，其中所述凹入部分包括矩形形状的凹部。16.根据权利要求11所述的底切电极，其中所述凹入部分包括弯曲的凹部。17.根据权利要求11所述的底切电极，其中所述底切电极包括阳极。
18.根据权利要求11所述的底切电极，其中所述底切电极包括阴极。19....

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：西默有限公司，
类型：发明
国别省市：