一种晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种晶体生长装置，包括炉体，真空保护壳，炉体与真空保护壳之间通过波纹管连接，真空保护壳内设置有称重传感器，称重传感器底端设有籽晶杆，籽晶杆伸入炉体中，籽晶杆外侧设置有钼保护管，且钼保护管顶端与真空保护壳之间固定连接，钼保护管中段直径小于顶端，底端呈半椎形状。利用钼保护管隔离了气流和籽晶杆，使得气流不能影响到籽晶杆使其摆动，籽晶杆不摆动即稳定了称重传感器，进而提高了称量晶体重量的稳定性，称重传感器能正常工作对功率的调整也较及时，使得晶体的成功率也得到了显著的提高。成功率也得到了显著的提高。成功率也得到了显著的提高。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长装置


[0001]本技术涉及晶体生长领域，具体涉及一种晶体生长装置。

技术介绍

[0002]由于晶体生长周期比较长且对设备的稳定性要求比较高。在晶体生长过程中，晶体生长炉内部中充有保护气体，温度梯度会引起气体的密度梯度，从而导致气体的自然对流引起籽晶杆摆动，籽晶杆在低速旋转时会不规律的摆动，这种不规则的摆动会引起称重传感器的重量波动，重量的波动会引起设备的功率起伏，功率起伏影响到热场中温度的起伏，温度起伏直接关系到晶体生长的品质。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的问题，本技术提供了一种晶体生长装置，包括炉体，真空保护壳，所述炉体与所述真空保护壳之间通过波纹管连接，其特征在于，所述真空保护壳内设置有称重传感器，所述称重传感器底端设有籽晶杆，所述籽晶杆延伸入所述炉体中，所述籽晶杆外侧设置有钼保护管，且所述钼保护管顶端与所述真空保护壳之间通过卡簧固定。
[0004]进一步地，所述钼保护管中段直径小于顶端直径。
[0005]进一步地，所述钼保护管底端呈半椎形状。
[0006]进一步地，所述籽晶杆下端设置一个熔融区用于晶体形成。
[0007]进一步地，所述熔融区外侧设置有加热器，用于对所述熔融区进行加热。
[0008]进一步地，所述籽晶杆下端设置一个熔融区。
[0009]进一步地，所述熔融区外侧设置有加热器，所述加热器外侧设置有保温层。
[0010]进一步地，所述加热器外侧设置有保温层。
[0011]进一步地，所述波纹管材料为不锈钢。
[0012]采用本技术中的籽晶杆保护装置有如下技术效果：
[0013]钼保护管隔离了气流和籽晶杆，使得气流不能影响到籽晶杆使其摆动，籽晶杆也不会引起称重传感器摆动，从而稳定了称量晶体重量的稳定性，进一步使得晶体的成功率得到显著的提高。
附图说明
[0014]图1为本技术实施例一的晶体生长装置结构示意图；
[0015]1、称重传感器；2、卡簧；3、籽晶杆；4、钼保护管；5、气流；6、波纹管；7、真空保护壳；8、加热器； 9、保温层；10、炉体；11、籽晶；12、熔融区。
具体实施方式
[0016]为清楚地说明本技术的设计思想，下面结合示例对本技术进行说明。
[0017]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的方案，下面结合本技术示
例中的附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的示例仅仅是本技术的一部分示例，而不是全部的示例。基于本技术的示例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下，所获得的所有其他实施方式都应当属于本技术保护的范围。
[0018]在本实施方式的描述中，术语指示的方位或位置关系均为基于附图所示的方位或位置关系，仅仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0019]如图1所示，本技术提供一种晶体生长装置，包括炉体10，真空保护壳7，炉体10与真空保护壳7之间通过波纹管6连接，真空保护壳7内设置有称重传感器1，称重传感器1底端设有籽晶杆3，籽晶杆3伸入炉体10中，籽晶杆3外侧设置有钼保护管4，且为了方便连接和固定，钼保护管4顶端与真空保护壳7之间通过卡簧2固定，钼保护管4中段直径小于顶端，底端呈半椎形状。利用钼保护管4隔离了气流5和籽晶杆3，使得气流5不能影响到籽晶杆3使其摆动，籽晶杆3不摆动即稳定了称重传感器1，进而提高了称量晶体重量的稳定性，称重传感器1能正常工作对功率的调整也较及时，使得晶体的成功率也得到了显著的提高。
[0020]晶体生长装置中的钼保护管4底部采用半椎形状的设计，以防止气流5的热量在钼保护管4的顶端聚集，引起真空保护壳7的温度升高，也引起籽晶杆3的温度升高，温度过高不但会引起籽晶杆3的使用寿命，而且也会影响到籽晶11的传热，最终会影响到晶体的品质。由于热量的传递是需要介质的，为了减少热量传递到的真空保护壳7内部，对钼保护管4的中段采用缩颈处理使其中段直径小于顶端直径，从而减小了钼保护管4的直径来减少热量向上传递。
[0021]晶体生长装置中的称重传感器1用于称量晶体生长过程中的重量，以PID的方式来控制功率的输出，进而控制晶体生长的快慢。随着晶体的长大和变长，真空保护壳7及内部装置会向上运动，波纹管6的材料使用不锈钢，不仅可以保护晶体生长装置中的气压，还可以进行伸缩起到缓冲作用。真空保护壳7既用于维持晶体生长装置中的压力还用于给钼保护管4起到支撑固定作用。用于隔离气流5和籽晶杆3的钼保护管4顶端与真空保护壳7之间设置有卡簧2，用以将钼保护管4与真空保护壳7固定。晶体生长装置的籽晶11下端设置一个熔融区12，在熔融区12外侧设置加热器8用于对熔融区12加热，在加热器8外侧设置有保温层9对熔融区12保温。
[0022]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。
[0023]最后，可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本技术的原理而采用的示例性实施方式，然而本技术并不局限于此。对于本领域普通技术人员而言，在不脱离本技术的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，包括炉体，真空保护壳，所述炉体与所述真空保护壳之间通过波纹管连接，其特征在于，所述真空保护壳内设置有称重传感器，所述称重传感器底端设有籽晶杆，所述籽晶杆延伸入所述炉体中，所述籽晶杆外侧设置有钼保护管，且所述钼保护管顶端与所述真空保护壳之间固定连接。2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述钼保护管顶端与所述真空保护壳之间通过卡簧固定。3.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述钼保护管中段直径小于顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘景峰，
申请(专利权)人：四川奇峰景行光学科技有限公司，
类型：新型
国别省市：