本发明专利技术公开了一种气体分流组件和具有其的晶体生长装置，晶体生长装置还包括炉体，炉体形成有保护气进口，气体分流组件适于设于炉体内且位于保护气进口的下游侧，气体分流组件包括多个分流件，多个分流件沿气流流向间隔排布，每个分流件包括多个支撑框和多个散风筋组，支撑框为环形，多个支撑框沿炉体的径向依次套设设置，每组散风筋组包括沿炉体的周向间隔设置的散风筋，相邻两个支撑框之间通过一组散风筋组相连，每个散风筋的两端分别与相应的两个支撑框相连。根据本发明专利技术的气体分流组件，可以使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定，以保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定，提升晶体品质。提升晶体品质。提升晶体品质。
【技术实现步骤摘要】
气体分流组件和具有其的晶体生长装置
[0001]本专利技术涉及晶体生长
，尤其是涉及一种气体分流组件和具有其的晶体生长装置。
技术介绍
[0002]相关技术中，单晶炉在运行过程中，需要采用保护气保证炉体内部氛围；然而，保护气流在通入炉体时，常出现气流不均匀或紊流的问题，容易影响炉体内固液界面处的温度梯度，同时难以实现氧化硅等杂质的有效排除，导致晶体品质欠佳。
技术实现思路
[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种气体分流组件，所述气体分流组件可以使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定，以保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定，提升晶体品质。
[0004]本专利技术还提出一种具有上述气体分流组件的晶体生长装置。
[0005]根据本专利技术第一方面实施例的气体分流组件，所述气体分流组件用于晶体生长装置，所述晶体生长装置还包括炉体，所述炉体形成有保护气进口，所述气体分流组件适于设于所述炉体内且位于所述保护气进口的下游侧，所述气体分流组件包括：多个分流件，多个所述分流件沿气流流向间隔排布，每个所述分流件包括多个支撑框和多个散风筋组，所述支撑框为环形，多个所述支撑框沿所述炉体的径向依次套设设置，每组所述散风筋组包括多个沿所述炉体的周向间隔设置的散风筋，相邻两个所述支撑框之间通过一组所述散风筋组相连，每个所述散风筋的两端分别与相应的两个所述支撑框相连。
[0006]根据本专利技术实施例的气体分流组件，通过设置气流分流组件包括多个分流件，并使得分流件包括多个支撑框和多个散风筋组，便于气体分流组件将流至炉体内的保护气进行分散，使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定，便于保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定、保证固液界面的形状较为稳定，同时有利于氧化硅等杂质平稳、顺畅地被保护气带走以便充分实现杂质排除，从而提高晶体的生长品质。
[0007]在一些实施例中，至少两组相邻所述散风筋组的所述散风筋的数量相同，且所述至少两组相邻所述散风筋组的所述散风筋一一对应相连；和/或，至少两组相邻所述散风筋组的所述散风筋沿所述炉体的周向错位设置。
[0008]在一些实施例中，至少两个相邻所述分流件的所述支撑框沿所述炉体的径向错位设置；和/或，至少两个相邻所述分流件的所述散风筋组的所述散风筋沿所述炉体的周向错位设置。
[0009]在一些实施例中，相邻两个所述支撑框和相邻两个所述散风筋共同限定出分流孔，沿所述气流流向，至少两个相邻所述分流件的所述分流孔的分布密度增大。
[0010]在一些实施例中，多个所述分流件包括沿所述气流流向依次设置的第一分流件、第二分流件和第三分流件，所述第二分流件的所述分流孔的分布密度大于所述第一分流件
的所述分流孔的分布密度，所述第二分流件和所述第三分流件之间的间距大于所述第二分流件和所述第一分流件之间的间距。
[0011]在一些实施例中，所述气体分流组件还包括：限位调节模块，所述限位调节模块用于调节至少一个所述分流件在所述气流方向上的位置；和/或，用于调节至少一个所述分流件的所述散风筋在所述支撑框的周向上的位置。
[0012]在一些实施例中，所述限位调节模块包括多组沿所述炉体的轴向方向间隔设置的凸起组，多组所述凸起组与多个所述分流件一一对应，每组所述凸起组包括沿所述炉体的周向方向间隔设置的多个支撑凸起，所述支撑凸起适于设于所述炉体的内壁面，所述分流件的底壁上设有多个沿所述炉体的周向方向间隔设置的凹槽，每个所述支撑凸起与至少两个所述凹槽中的任一个配合以支撑所述分流件。
[0013]在一些实施例中，所述限位调节模块包括支撑限位部，所述支撑限位部设于所述炉体的内壁面上，所述分流件的侧壁上设有滑槽，所述滑槽沿所述分流件的周向方向延伸，所述支撑限位部嵌设在所述滑槽内，所述分流件适于相对所述炉体转动。
[0014]根据本专利技术第二方面实施例的晶体生长装置，包括炉体，所述炉体内限定出炉腔，所述炉腔包括主室和副室，所述副室设于所述主室的上侧；坩埚，所述坩埚设于所述主室内；气体分流组件，所述气体分流组件为根据本专利技术上述第一方面实施例的气体分流组件，且设于所述副室内。
[0015]根据本专利技术实施例的晶体生长装置，通过采用上述的气体分流组件，气流分流组件包括多个分流件，并使得分流件包括多个支撑框和多个散风筋组，便于气体分流组件将流至炉体内的保护气进行分散，使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定，便于保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定、保证固液界面的形状较为稳定，同时有利于氧化硅等杂质平稳、顺畅地被保护气带走以便充分实现杂质排除，从而提高晶体的生长品质。
[0016]在一些实施例中，所述副室的壁面上形成有安装口，所述分流件通过所述安装口可抽拉地设于所述副室，所述分流件的外侧壁上设有用于封闭所述安装口的背板，或者，所述炉体上设有开关门，所述开关门可转动地设于所述安装口处以打开、或封闭所述安装口，所述分流件可拆卸地设在所述开关门的朝向所述安装口的一侧。
[0017]在一些实施例中，所述副室的内径为D，所述分流件在所述气流流向上的长度为h，相邻两个所述分流件之间的间距为d，0.1D≤h≤0.5D，d≤D。
[0018]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0019]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0020]图1是根据本专利技术一个实施例的气体分流组件的安装示意图；
[0021]图2是根据本专利技术实施例一的分流件的示意图；
[0022]图3是根据本专利技术实施例二的分流件的示意图；
[0023]图4是根据本专利技术实施例三的分流件的示意图；
[0024]图5是根据本专利技术实施例四的分流件的示意图；
[0025]图6是根据本专利技术实施例五的分流件的示意图；
[0026]图7是根据本专利技术实施例六的分流件的示意图；
[0027]图8是根据本专利技术实施例七的分流件的侧视图；
[0028]图9是根据本专利技术一个实施例的气体分流组件的多个分流件的示意图。
[0029]附图标记：
[0030]晶体生长装置100、保护气进口2a、副室2b、
[0031]气体分流组件1、
[0032]分流件11、分流孔110、第一分流件11a、第二分流件11b、第三分流件11c、
[0033]支撑框111、散风筋组112、散风筋1121、滑槽113、
[0034]限位调节模块12、支撑凸起121。
具体实施方式
[0035]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0036]下文本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种气体分流组件(1)，其特征在于，所述气体分流组件(1)用于晶体生长装置(100)，所述晶体生长装置(100)还包括炉体，所述炉体形成有保护气进口(2a)，所述气体分流组件(1)适于设于所述炉体内且位于所述保护气进口(2a)的下游侧，所述气体分流组件(1)包括：多个分流件(11)，多个所述分流件(11)沿气流流向间隔排布，每个所述分流件(11)包括多个支撑框(111)和多个散风筋组(112)，所述支撑框(111)为环形，多个所述支撑框(111)沿所述炉体的径向依次套设设置，每组所述散风筋组(112)包括多个沿所述炉体的周向间隔设置的散风筋(1121)，相邻两个所述支撑框(111)之间通过一组所述散风筋组(112)相连，每个所述散风筋(1121)的两端分别与相应的两个所述支撑框(111)相连。2.根据权利要求1所述的气体分流组件(1)，其特征在于，至少两组相邻所述散风筋组(112)的所述散风筋(1121)的数量相同，且所述至少两组相邻所述散风筋组(112)的所述散风筋(1121)一一对应相连；和/或，至少两组相邻所述散风筋组(112)的所述散风筋(1121)沿所述炉体的周向错位设置。3.根据权利要求1所述的气体分流组件(1)，其特征在于，至少两个相邻所述分流件(11)的所述支撑框(111)沿所述炉体的径向错位设置；和/或，至少两个相邻所述分流件(11)的所述散风筋组(112)的所述散风筋(1121)沿所述炉体的周向错位设置。4.根据权利要求1所述的气体分流组件(1)，其特征在于，相邻两个所述支撑框(111)和相邻两个所述散风筋(1121)共同限定出分流孔(110)，沿所述气流流向，至少两个相邻所述分流件(11)的所述分流孔(110)的分布密度增大。5.根据权利要求4所述的气体分流组件(1)，其特征在于，多个所述分流件(11)包括沿所述气流流向依次设置的第一分流件(11a)、第二分流件(11b)和第三分流件(11c)，所述第二分流件(11b)的所述分流孔(110)的分布密度大于所述第一分流件(11a)的所述分流孔(110)的分布密度，所述第二分流件(11b)和所述第三分流件(11c)之间的间距大于所述第二分流件(11b)和所述第一分流件(11a)之间的间距。6.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：李向阳，陈俊宏，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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